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疾病生物标志物的质谱超高灵敏检测和成像新方法
膜蛋白生物标志物的超高灵敏度、高通量、多目标及操作简便的常压敞开式质谱（AMS）免疫分析新方法。该方法可实现微升级体液中或几十个细胞表面的疾病蛋白标志物的原位检测，检测灵敏度达zeptomole（zmol）水平。实现了血清样品中CA125等生物标志物的检测，有望用于卵巢癌和乳腺癌的早期诊断。该平台还可实现低至25个细胞水平的OVCAR-3和MCF-7细胞表面的重要三种生物标志物（CA125、CEA和EpCAM）的同时、原位表达差异测定，显示了超高的灵敏度和多目标同时检测能力，且具有普适性和可拓展性。
北京大学
2021-04-11
一种超高强度钢轴类零件的加工方法
本发明涉及一种超高强度钢轴类零件的加工方法。该方法通过在一台高速外圆磨床上装夹超高强度钢轴类零件，经过装置设置和零件装夹、粗磨、半精磨和精磨四个工艺流程，在粗磨、半精磨、精磨工艺流程开始之前和之后对零件进行强冷降温，并在上述三个工艺流程过程中对磨削区域自上而下喷射高压气、液混合流体。本发明具有磨削力小，磨削效率高；提高了材料的脆性，并改善了材料的加工性能；减少了磨削热的产生和温升，减少了加工表面烧伤与硬化；无需二次装夹，减小装夹误差，提高加工精度和加工效率。
长沙理工大学
2021-04-13
一种超高纯度碳纳米管导电浆料及其制备方法
本发明属于纳米材料的制备与改性领域，具体公开了一种超高 纯度碳纳米管导电浆料，其制备方法包括以下步骤，首先在硅片表面 沉积一层氧化铝薄膜，接着在氧化铝薄膜上溅射铁薄膜，然后将附有 铁薄膜的硅片退火，使用水辅助超级生长法获得阵列碳纳米管，最后 将碳纳米管剥离,使用超声与球磨混合分散法分散于溶剂 N-甲基吡咯 烷酮中,即获得所述超高纯度碳纳米管导电浆料。本发明还公开了该超 高纯度碳纳米管导电浆料在锂电池中的应用。本发明优
华中科技大学
2021-04-14
一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域，具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤：将超高纯铝板材于５０℃～３００℃下热轧，道次压下量控制在４０％～５０％；将热轧后的超高纯铝板材在１００～３００℃温度下保温０～１小时；然后进行冷轧，道次压下量控制在４０％～５０％，通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升，抑制板材的
东南大学
2021-04-14
应用于超高频的大功率高隔离度天线收发开关
本实用新型公开了一种应用于超高频的大功率高隔离度天线收发开关，包括用于选择不同信号通路 的模拟开关组，用于模拟开关组控制逻辑产生的控制逻辑发生器以及用于提供能量的供电电源，模拟开 关组与天线、发射机、接收机相连，控制逻辑发生器的输入与控制信号相连，输出与模拟开关组相连， 供电电源分别与控制逻辑发生器、模拟开关组相连。本实用新型所述的天线收发开关，通过外部提供的 控制逻辑，控制天线与发射机相连还是接收机相连，实现雷达发射与接收天线共用。通过测试，
武汉大学
2021-04-14
超高强度高品质高氮不锈钢制备关键技术及品种开发
高氮不锈钢是近年来随着冶金科技进步出现的一种新型工程材料，具备高强度，良好的韧性、优异的耐磨性、耐腐蚀性能等优异的性能，大幅提高武器装备在海洋、空中、地下及其它恶劣环境下的抗腐蚀及“三防”能力，可广泛用于高抗打击能力、高隐蔽性能、高压与深潜、高抗腐蚀性、耐磨耐高温及减少维护的军工重要产品及基础设施等国防军工领域。超高强度高品质高氮不锈钢，具有超高强度、硬度和优异的耐蚀性能，在航空航天材料和军用装备中具有广阔的应用前景。
东北大学
2021-04-10
一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置
（专利号：ZL 201510093120.5） 简介：本发明公开一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置，涉及零件加工再制造技术领域。该喷涂方法首先利用电极产生的高温电弧加热熔化涂层材料的喷涂丝成熔滴脱落，熔滴被雾化气体雾化成微滴流，然后由激光脉冲束辐照于微滴流表面上，表面一部分微滴吸收激光能量，瞬间气化和电离形成高压等离子体，高压等离子体继续吸收激光能量膨胀爆炸形成GPa量级的高压冲击波，高压冲击波驱动着微粒流高速喷射到工件表面形成涂层。喷涂装置包括激光发生器、导光分光系统、电弧制液系统、工件夹具系统、回收系统以及控制系统。本发明能够实现高速高效喷涂，涂层与基体的结合强度好，涂层的致密度高、空隙率低，具有较高抗热疲劳和机械疲劳的性能。
安徽工业大学
2021-04-11
四川大学超高速离心机采购项目公开招标采购公告
四川大学超高速离心机采购项目招标项目的潜在投标人应在成都市高新区吉泰五路88号3栋7层1号（花样年·香年广场）获取招标文件，并于2022年07月12日11点00分（北京时间）前递交投标文件。
四川大学
2022-06-21
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11