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17寸8口LCD KVM切换器四合一控制平台液晶套
产品详细介绍 PANIO ZP1708为17寸LCD液晶显示器、键盘及鼠标（触控板）内置8口KVM切换器于1U高度的抽取式、轻量化机身设计、安装简易，一人轻松装上机柜，抛弃传统的需要两人以上才能安装方式，机身带抠锁设计固定，让您更加方便和安全。 功能特点 PANIO ZP1708为17寸LCD液晶显示器、键盘及鼠标（触控板）内置8口KVM切换器于1U高度的抽取式、轻量化机身设计、安装简易，一人轻松装上机柜，抛弃传统的需要两人以上才能安装方式，机身带抠锁设计固定，让您更加方便和安全。 >集17寸液晶显示屏/标准键盘/Touch PAD触摸鼠标 >标准19’’机架结构，高度整合为标准1U高度，节省85%以上的机柜空间 >面板具有带锁装置，保证液晶正常保护，带有笔记本翻转专利的型材，使显示与机身更为一体自然 >即插即用,支持热插拔,免驱动程式 >支持Windows,NT,UNIX,LIUNX,NOVELL,DOS等多种系统 >支持IBM、COMPAQ、HP、DELL、SUN、联想等原装服务器机型和研华、研祥、大众、威达、艾讯等各类工控机。 1.透过本LCD KVM控制平台可使用一组显示设备/键盘/鼠标控制八台计算机或服务器 2.每端口均能仿真屏幕/键盘鼠标讯号,可同时开机 3.支持热插拨,免驱动程式,即插即用 4.每端口均能自动侦测屏幕/键盘/鼠标型号,设定最佳化 5.完整支持屏幕DDC2B功能,未切换计算机也能侦测屏幕型号 6.鼠标高性能兼容性,支持高阶多功能键鼠标(如:Logitech MX系列) 7.可通过键盘热键及OSD视控切换,支持最高分辨率达2048*1536 8.内建自动扫描功能方便监控,自动扫描时间为5~~255秒 9.OSD机种提供命名,每端口可以单独设置密码,自动扫描跳选及串联扩充功能 10.面板具有带锁装置,保证液晶面板最大程度不划伤. 示意图
深圳市卓普科技有限公司
2021-08-23
卓普17寸液晶显示器8口LCDKVM控制平台四合
产品详细介绍 力卓 ZP1708为17寸LCD液晶显示器、键盘及鼠标（触控板）内置8口KVM切换器于1U高度的抽取式、轻量化机身设计、安装简易，一人轻松装上机柜，抛弃传统的需要两人以上才能安装方式，机身带抠锁设计固定，让您更加方便和安全。 功能特点 PANIO ZP1708为17寸LCD液晶显示器、键盘及鼠标（触控板）内置8口KVM切换器于1U高度的抽取式、轻量化机身设计、安装简易，一人轻松装上机柜，抛弃传统的需要两人以上才能安装方式，机身带抠锁设计固定，让您更加方便和安全。 >集17寸液晶显示屏/标准键盘/Touch PAD触摸鼠标 >标准19’’机架结构，高度整合为标准1U高度，节省85%以上的机柜空间 >面板具有带锁装置，保证液晶正常保护，带有笔记本翻转专利的型材，使显示与机身更为一体自然 >即插即用,支持热插拔,免驱动程式 >支持Windows,NT,UNIX,LIUNX,NOVELL,DOS等多种系统 >支持IBM、COMPAQ、HP、DELL、SUN、联想等原装服务器机型和研华、研祥、大众、威达、艾讯等各类工控机。 1.透过本LCD KVM控制平台可使用一组显示设备/键盘/鼠标控制八台计算机或服务器 2.每端口均能仿真屏幕/键盘鼠标讯号,可同时开机 3.支持热插拨,免驱动程式,即插即用 4.每端口均能自动侦测屏幕/键盘/鼠标型号,设定最佳化 5.完整支持屏幕DDC2B功能,未切换计算机也能侦测屏幕型号 6.鼠标高性能兼容性,支持高阶多功能键鼠标(如:Logitech MX系列) 7.可通过键盘热键及OSD视控切换,支持最高分辨率达2048*1536 8.内建自动扫描功能方便监控,自动扫描时间为5~~255秒 9.OSD机种提供命名,每端口可以单独设置密码,自动扫描跳选及串联扩充功能 10.面板具有带锁装置,保证液晶面板最大程度不划伤. 示意图
深圳市卓普科技有限公司
2021-08-23
西安电子科技大学机电院在ACS AMI期刊上发表月尘防护研究成果
月尘是困扰月球探索的重要空间环境因素，一系列月尘引发的机械、热控系统及光学表面失效问题已经成为月球探索过程中亟待解决的重要问题。采用传统的机械振动、吹扫、电场排斥等主动除尘方式虽然可以显著抑制材料表面尘埃聚集，但由于能耗以及结构的限制很难广泛应用。
西安电子科技大学
2022-07-20
铜基量子自旋液体的候选者和铜基高温超导材料母体在掺杂后的电子结构
刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例，采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法，对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现，ZnCu3(OH)6BrF掺杂后，掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”，而是局域在一个铜原子周围，引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子（如图一所示）。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此，电子掺杂后，ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下，具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现，低掺杂浓度时，铜原子附近形成较为扩展的极化子，因此在高掺杂浓度时，这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加，实现半导体到导体的转变，与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象，指出要在量子自旋液体实现超导，仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的，还必须实现有效掺杂，注入一定浓度的“自由载流子”，为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。
南方科技大学
2021-04-13
通过增大狄拉克半金属约瑟夫森结的几何尺寸将电子输运维数降到拓扑铰链态
近日，南方科技大学量子科学与工程研究院院长、中国科学院院士俞大鹏团队与北京大学、荷兰特文特大学等合作，在狄拉克半金属-超导体异质结量子调控方面取得研究新进展，相关成果以《通过增大狄拉克半金属约瑟夫森结的几何尺寸将电子输运维数降到拓扑铰链态》（“Reducing Electronic Transport Dimension to Topological Hinge States by Increasing Geometry Size of Dirac Semimetal Josephson Junctions”）为题发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上。
研究团队利用体态、表面态和棱态具有不同超导相干长度的性质特点，通过增长沟道长度，逐步实现从体态到表面态、再到棱态的超导电流的传导。
南方科技大学
2021-04-11
专业级电子分析天平GH-120 GH-200 GH-202 GH-252 GH-300
产品详细介绍
广州艾安得仪器有限公司
2021-08-23
Aigtek安泰电子 ATA-300系列功率放大器 最大功率输出810Wp
西安安泰电子科技有限公司
2022-06-01
特高压±800kV直流输电工程电磁环境与电磁兼容预测及控制技术
特高压技术已成为直流输电技术的发展前沿。针对特高压±800kV直流输电工程的电磁环境与电磁兼容问题，提出了直流输电线路离子流场三维计算方法，参加制定了±800kV特高压直流输电线路的电磁环境指标限值；提出了换流站阀厅电磁屏蔽效能要求以及阀厅搭接技术要求；提出了特高压输电线路对邻近无线电台站和输油输气管道的电磁影响指标限值及防护措施；提出了直流接地极布置的主要技术方案和改善跨步电压的技术措施，评估了入地电流对邻近变电站变压器的直流偏磁影响，提出了抑制变压器直流偏磁的主要措施。研究成果应用于云南-广东、向家坝-上海、锦屏-苏南±800kV特高压直流输电示范工程建设。参与研究的成果“特高压±800kV直流输电工程”获2017年度国家科学技术进步奖特等奖，华北电力大学作为项目主要完成单位排名第15，齐磊教授作为主要完成人排名第30。
华北电力大学
2021-02-01
基于精细化运动想象脑电信号控制的机械手系统及方法
本发明公开了一种基于精细化运动想象脑电信号控制的机械手系统及方法，该系统包括脑电采集装置、计算机和多维度机械手；脑电采集装置包括电极帽、信号发送装置与信号接收装置；电极帽为非侵入式电极帽，直接佩戴在操作者头顶，采集操作者运动感觉区域的脑电信号，通过信号发送装置发送到信号接收装置；信号接受装置与计算机连接，计算机处理脑电信号，并将控制命令发送给所述多维度机械手，控制机械手的两个手爪电机、手腕电机、手肘电机和肩关节电机运动。操作者无需进行肢体运动，只要想象就能使机械手按照操作者的意愿实现抓取物体、搬运物体等功能，可以使瘫痪、丧失运动机能的残疾人重新实现一些基本的生活动作。
浙江大学
2021-04-11
掺铝氧化锌薄膜的退火真空度和氩离子溅射清洗工艺控制
掺铝氧化锌薄膜（ AZO ）成本低廉、无毒环保，溶胶凝胶法制备 AZO 薄膜具有工艺简单、成膜均匀性好、易于精确掺杂等优点，而后续处理工艺则是提高溶胶凝胶法制备的透明导电薄膜性能的关键。为此我们研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范围退火条件下的电阻率变化规律，发现：电阻率的降低集中在相对狭窄的真空度范围，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之间，电阻率陡降了 2 个数量级。电阻率在 10 Pa 退火时达到最小值，继续提高真空度（减低气压），电阻率不再继续降低。这一研究结果不仅澄清了以往对溶胶 - 凝胶法制备透明薄膜后续工艺处理的模糊认识，而且对实际生产工艺具有重要的指导意义，例如以此为根据，选择合适的真空度退火，达到既满足产品的性能指标，又能节能减排的最佳效果。 XRD 与 XPS 的分析表明中真空下氧空位、锌填隙、以及 Al3+ 对 Zn2+ 离子的取代是中真空度下电阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 离子对退火后的样品进行反溅射清洗，能进一步提高电导率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的绒面结构，能将入射太阳光分散到各个角度。用作太阳能电池电极时，能有效增强太阳能电池内的光吸收材料对入射太阳光的捕获，提高光能利用率。
辽宁大学
2021-04-11