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磁致伸缩导波传感器及含有传感器的换热管缺陷检测系统
本发明公开了磁致伸缩导波传感器及含有传感器的换热管缺陷检测系统，传感器包括外壳，外壳的外侧壁上设置有第一环形布线槽和第二环形布线槽，第一环形布线槽和第二环形布线槽内分别放置有激励线圈和接收线圈，激励线圈和接收线圈均为螺线管线圈，外壳内腔在对应于激励线圈和接收线圈的位置分别放置有激励磁铁和接收磁铁，激励磁铁和接收磁铁均为钐钴永久磁铁，外壳的一端连接有插头连接座，插头连接座上连接有激励插头和接收插头。检测系统包括传感器、功率放大器、信号发生器、计算机、A/D 转换器和滤波放大器。本发明通过磁致伸缩效应，
华中科技大学
2021-04-14
磁致伸缩导波传感器及含有传感器的换热管缺陷检测系统
本实用新型公开了磁致伸缩导波传感器及含有传感器的换热管缺陷检测系统，传感器包括外壳，外壳的外侧壁上设置有第一环形布线槽和第二环形布线槽，第一环形布线槽和第二环形布线槽内分别放置有激励线圈和接收线圈，激励线圈和接收线圈均为螺线管线圈，外壳内腔分别放置有激励磁铁和接收磁铁，激励磁铁和接收磁铁均为钐钴永久磁铁，外壳的一端连接有插头连接座，插头连接座上连接有激励插头和接收插头。检测系统包括传感器、功率放大器、信号发生器、计算机、A/D 转换器和滤波放大器。本实用新型通过磁致伸缩效应，直接在换热管内激励出纵向
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于点型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置
本发明公开了一种适用于点型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装 置，该装置包括磁敏感元件部分，磁感应部分以及磁轭式局部微磁化 部分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引线端、磁引导芯和引导芯 套筒，磁引导芯下端采用圆锥形的结构细化检测区域，实现点型缺陷 的高分辨率检测；磁感应部分由绕制在引导芯套筒外侧的磁感应线圈 组成；由引导芯套筒支撑固定的磁轭式局部微磁化部分，包括环形导 磁构件、磁铁连接件、磁轭式双磁铁以及斜向双导磁构件，该部分将 磁场量导入待检测金属体内，达到局部微磁化的效果，通过与磁引导 芯连接的磁敏感
华中科技大学
2021-04-14
一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统及测试方法
本发明提供了一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统， 包括探针测量平台，探针测量平台的两个探针前端分别加在 MTJ 单元 的上下电极，两个探针的后端分别连接电源测量模块的高低电平输出 端口；带铁芯绕组线圈固定在 MTJ 单元的空间正上方，绕组线圈电源 的正负极接带铁芯绕组线圈的两端；计算机测试平台控制绕组线圈电 源向带铁芯绕组线圈提供不同的电压，并控制电源测量模块产生电压 激励信号以获取电流响应信号，根据电压激励信
华中科技大学
2021-04-14
二维磁性CrI3中磁序引入的反常偏振拉曼散射谱
近年来二维磁性材料由于其丰富的物理性能以及广阔的应用前景吸引了广泛的关注。在众多的二维磁性材料中，CrI3由于层间反铁磁相互作用弱，可以通过外加磁场、电场、掺杂与压力等外部手段进行调控，使得其在磁电存储、自旋滤波、自旋晶体管等方面展现了潜在的应用价值，从而成为近几年来的研究焦点。 除了应用前景以外，二维磁性材料还有许多新奇的物理性质，例如最近人们在双层CrI3中，发现层间反铁磁序破坏了
南方科技大学
2021-04-14
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
网格状CuxS/Cu2o0,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法
一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
西南交通大学
2016-10-20
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法，其主要步骤是：A、将纯钛片两次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂层模板；B、将没食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再将涂层模板在混合溶液中浸3-5h，取出超声清洗三遍，得有机分子层模板；C、将0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按体积比1:1混合成混合液；再调节PH值至2.7-2.9；D、将有机分子层模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴锅中浸泡10-40h，即得。该法在钛基底上制备得到的TiO2薄膜的结合力高、分布均匀、光电转换效率高，生物相容性好。
西南交通大学
2016-10-25