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环境友好的宽温高稳性薄膜储能电容器的开发与研究
我们已采用磁控溅射沉积方法成功地制备和研究了环境友好的钛酸钡和铋镁锆钛氧的复合薄膜，发现其储能密度和储能效率在-100~200 °C温度区间内都表现出了良好的热稳定性，并且其宽温储能密度明显高于铅基材料在这个温度区间报道的最大值，使其成为替代铅基储能材料的最佳选择。为了降低生产成本，目前我们正在通过研究和调控薄膜的生长工艺来实现在成本低廉的Si、Ni等衬底上制备大面积、高质量、高性能的复合储能薄膜。
西安交通大学
2021-04-11
一种基于超磁致伸缩薄膜驱动器的平面线圈驱动式微阀
本发明公开了一种基于超磁致伸缩薄膜驱动器的平面线圈驱动式微阀，包括下阀体 （1）、依次压叠在下阀体（1）上的基片（3）、上阀体（4）和平面螺旋线圈（6），下阀 体的底部沿径向方向分别设有进液流道（2）和出液流道（11），下阀体的上部设有液体腔 （13），进液流道（2）设有垂直向上的与液体腔连通的流道口，出液流道（11）与所述液 体腔连通；基片（3）上表面镀有具有逆磁致伸缩效应薄膜（7），下表面镀有具有正磁致伸 缩效应薄膜（9）；平面螺旋线圈（6）通电后，磁致伸缩薄膜驱动器在激励磁场的作用下发 生形变向上弯曲，使得工作流体通道打开，实现液压系统回路的通断。本发明具有体积小、 易于微型化、响应速度快、可控性强等特点。
安徽理工大学
2021-04-13
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略，通过合成一个柔性的共轭n型聚合物，使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界，提升其机械性能，实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离，进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学
2021-04-14
同济大学化学科学与工程学院吴彤团队在超折叠导电材料方面再获新突破
受到蜘蛛纺丝多级水分管理过程的启发，同济大学吴彤团队使用价格低廉且完全水溶性的聚乙烯醇（PVA）为原料，通过水溶胶静电纺丝，结合水管理的温度梯度脱水/碳化的联合仿生技术，制备出一种逼近超折叠极限厚度（～10μm）和极限比表面（～1370m2/g）的且能够承受100000次以上无损真折叠的碳纤维膜材料（PVA-SFCNFMs）。
同济大学
2021-12-02
一种超疏水涂料的制备方法及其所得涂料和制备高透明超疏水涂层的应用
本发明公开了一种超疏水涂料的制备方法及其所得涂料和制备高透明超疏水涂层的应用，所述超疏水涂料的制备方法包括如下步骤：向容器中一次性加入一定体积的溶剂，共溶剂，催化剂，然后以一定转速搅拌一段时间，再向其中先后加入一定体积的硅酸酯和含氟硅氧烷，在室温的条件下，继续反应一定时间，即得所述涂料。本发明所制备的超疏水涂料可以通过喷涂、蘸涂、浸涂等方法，用于玻璃，纸片，钢铁等不同的基底上，所制备的涂层在可见光的范围内，透过率达到92％以上。与现有技术相比，不仅所制备的涂层制备方法简单，成本低廉，有利于大规模工业化生产，所制备的涂层具有多种用途，如车窗玻璃，摩天大楼光幕，手机和电脑屏幕等，有很大的商业价值。
东南大学
2021-04-11
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
网格状CuxS/Cu2o0,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法
一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
西南交通大学
2016-10-20
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法
一种钛基底上制备有机分子杂化TiO2纳米复合薄膜的方法，其主要步骤是：A、将纯钛片两次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂层模板；B、将没食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再将涂层模板在混合溶液中浸3-5h，取出超声清洗三遍，得有机分子层模板；C、将0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按体积比1:1混合成混合液；再调节PH值至2.7-2.9；D、将有机分子层模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴锅中浸泡10-40h，即得。该法在钛基底上制备得到的TiO2薄膜的结合力高、分布均匀、光电转换效率高，生物相容性好。
西南交通大学
2016-10-25