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一种基于二维 FFT 处理器的行转置架构设计方法
本发明公开了一种二维 FFT 处理器的行转置架构，具有以下特点：FFT 处理器包含片上行转置存储器，用于保存图像行变换结果。当行变换结果超过该片上存储器容量时，每行变换结果的前 2k 个数据写入片上行转置存储器，剩余数据写入片外 SDRAM，k 根据行变换结果和片上行转置存储器容量计算得到。此时，将片上行转置存储器一分为二，记为存储器 A、B，用于保存行变换部分结果以及暂存片外SDRAM 读出数据。在从存储器 A 或
华中科技大学
2021-04-14
一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料，包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂，所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中，其 添加量为环氧树脂的 0.1～10wt.％。其制备方法包括以下步骤：(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管；(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中，形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系；(3
华中科技大学
2021-04-14
一种带有硫化铝外壳的二硫化钨纳米粉末材料及其制备方法
（专利号：ZL 201410557604.6） 简介：本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的二硫化钨(WS2)纳米粉末材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构，内核为WS2纳米颗粒，外壳为Al2S3层；所述WS2内核的粒径为10～100nm，所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层，其厚度为1～10nm。本发明采用等离子电弧放电法，将钨粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料，采用石墨作为阴极材料，
安徽工业大学
2021-01-12
利用两嵌段聚合物 PS-PAA 合成介孔二氧化硅材料
该方法合成的材料具有规则的孔隙结构，高度有序，合成条件温和简单，可操行强，重复性好，材料具有较大的比表面积，可用于多种功能化，进行药物释放等应用。
上海理工大学
2021-01-12
中国高等教育学会科服委第二次主任会议在沈阳举行
12月7日，中国高等教育学会科技服务专家指导委员会（以下简称科服委）第二次主任会议在东北大学举行。
中国高等教育学会
2023-12-11
一种高结晶性的二维MWW沸石分子筛及其制备方法
本发明提供了一种高结晶性的二维MWW沸石分子筛的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，将二维材料的粉末加入反应容器，滴加有机结构导向剂并混合均匀，得混合液，对混合液依次进行超声处理和离心处理后取上层清液，得液相剥离后的薄层二维材料分散液；步骤S2，将薄层二维材料分散液、去离子水、碱金属源和铝源配制成溶液，在溶液中缓慢加入硅源，搅拌溶解，陈化处理，得溶胶凝胶；步骤S3，溶胶凝胶进行水热晶化后，得反应产物，进行洗涤、离心和干燥处理后，得高结晶性的二维MWW沸石分子筛。本发明中采用六方氮化硼或硫化钼作为外延生长二维沸石的模板，无需额外添加除六亚甲基亚胺或哌啶之外的有机模板剂，合成得到结晶性好且横纵比大的二维MWW型沸石。
复旦大学
2021-01-12
铑铁温度传感器线绕型二级标准温度计低温测量
北京锦正茂科技有限公司
2022-04-18
高分辨率红外二氧化碳传感器Prime2
产品详细介绍 l 作不受供电极性影响 l 线性电压输出或模拟催化燃烧电桥输出 l 工作电压范围3.0V-5.0V l 工作电流典型值为80mA l 最新的MEMS探测器技术 l 量程：从0-5000ppmCO2到0-10%VolCO2 l 全金属结构，绝缘外壳 l 体积小 l 灵活的电路访问设置 l 用户可以通过硬件连接进行标定 l 宽温度工作范围 l 快速响应
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
实验室温度计 硅二极管温度传感器 DT640
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-06-27
铑铁温度传感器线绕型二级标准温度计低温测量
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-14