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第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之五 生成式人工智能驱动的高等教育教学模式创新学术活动
教育大模型与教学智能体的创新应用
高等教育博览会
2025-08-04
天津市人社局市财政局关于进一步做好一次性创业补贴发放工作的通知
为鼓励自主创业，促进创业带动就业，根据国家和本市有关规定，现就进一步做好一次性创业补贴发放工作有关事项通知。
天津市人社局
2023-01-31
浙江省科学技术厅等12部门关于印发《浙江省加快推动“人工智能+科学”创新发展行动计划（2025-2027年）》的通知
到2027年，浙江初步建成“人工智能+科学”算力底座、数据底座、模型底座，全面优化面向科学研究的人工智能要素供给，推动人工智能在三大科创高地重点领域的深度融合应用，突破一批“人工智能+科学”关键理论和技术，培育4个以上“人工智能+科学”领域基础模型，打造8个以上“人工智能+科学”标杆应用场景，形成20个以上“人工智能+科学”数据知识产权典型案例，赋能1000家以上科技型企业，显著提升科学研究效能，构建具有全球影响力的人工智能赋能科学研究高地，抢占新兴产业和未来产业制高点。
浙江省科学技术厅
2025-07-17
一种升降一体式几何台灯
本实用新型公开了一种升降一体式几何台灯.本实用新型包括底座,第一固定块,第二固定块,固定支架,灯罩,LED灯管,启动器,所述底座内设有相连的充电电池和控制线路板,所述固定支架采用伸缩杆,且固定支架内设有第一固定块,第二固定块,固定支架顶端设有与第二固定块相匹配的启动器,通过启动器和第二固定块控制灯罩的上升和下降,从而实现了灯罩与底座一体化.本实用新型能够保护视力,绿色环保高效节能,还可以随意调节色温,也可以调节LED灯的亮度.该设计操作简单,综合实用性强,易于推广使用.
杭州电子科技大学
2021-05-06
一路标清+一路高清
产品详细介绍一路HDMI 1080I 一路标清（色差 AV S端子）
北京它山石众播传媒科技有限公司
2021-08-23
涂附于彩钢板表面的纳米二氧化钛功能性膜 规模化制备关键技术研究
本项目制备了具有低温固化性能的纳米二氧化钛溶胶，利用现代涂布技术，在彩钢板表面涂附具有分解有害物质、抗菌、杀菌、防污、自清洁功能的纳米二氧化钛涂层，使传统的彩钢板具有更广泛的用途和更优异的特性。
纳米二氧化钛光催化剂具有两个最显著的特性：在紫外光照射下具有光催化活性和超亲水性。光催化活性可以分解吸附在表面的一些有机物、有害气体和生物体。超亲水性具有易洗、防污、抗污的能力。如果在彩钢板的表面涂附上具有光催化活性和超亲水性的纳米二氧化钛涂层后，可防止真菌、微生物、霉菌及细菌在钢板表面繁殖，分解吸附在表面的任何有机物，还具有防污，自清洁作用，将适应于电子工业厂房、特殊医用检查室（X射线、磁共振、超声波等），无菌病房和实验室以及一些净化和家电设备，填补了国内空白。这些具有特殊功能的高档次彩钢板在中国的潜在市场很大，很有发展前景。
本研究项目的关键技术和创新点在于如何解决低温固化纳米二氧化钛溶胶的制备、纳米二氧化钛涂层和彩钢板固有涂层之间的结合牢度、膜透明性以及光催化活性之间的矛盾。中试规模的纳米二氧化钛溶胶经过鼎升金属材料有限公司和山东陵县江南净化彩板有限公司在彩钢板上涂布使用后，反应良好。涂布纳米二氧化钛功能膜的彩钢板经过吴江市东吴机械有限责任公司使用后，肯定了本项目所制备的彩钢板具有分解有机物、抗菌、防污、自清洁功能。
华东理工大学
2021-04-13
人才需求：拥有国际一流水平或填补国内空白的发明专利或自主知识产权的研发成果
1）人才研究方向处于相关产业发展前沿，与我公司发展需求一致，拥有国际一流水平或填补国内空白的发明专利或自主知识产权的研发成果。
2）自2014年以来主持过相关产业领域省级以上产业技术开发、成果转化及产业化项目或获得省部级科技进步奖以上的奖励。
烟台恒源生物股份有限公司
2021-08-31
中共自然资源部党组关于印发《关于进一步加强青年科技人才培养使用的具体举措》的通知
支持青年科技人才“挑大梁”“当主角”
中国自然资源部官网
2024-01-24
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，缓解了衬底与薄膜之间的应力产生，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用，该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10