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原位注射聚乙二醇型水凝胶及其制备方法
本发明公开了一种原位注射聚乙二醇型水凝胶的制备方法,包括:以聚乙二醇和硫代苹果酸为原料,以三氟甲基磺酸稀土为催化剂,通过缩聚反应制备多巯基线形聚乙二醇型聚醚酯;以聚乙二醇和马来酸酐为初始原料,以三氟甲基磺酸稀土为催化剂,通过缩聚反应制备多双键线形聚乙二醇型聚醚酯;分别将多巯基线形聚乙二醇型聚醚酯及多双键线形聚乙二醇型聚醚酯溶PBS缓冲溶液中,两份溶液迅速混匀,静置,制得原位注射聚乙二醇型水凝胶。该方法操作简单,条件易控制,适于工业化生产。本发明还公开了一种原位注射聚乙二醇型水凝胶,具有可降解、可原位注射性能。
浙江大学 2021-04-11
大尺寸均匀单层二硫化钼可控制备材料
单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2 等)是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等,在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如,难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013),他引198次); 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次);发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014),他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015),他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min,单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外,他们利用玻璃基底的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径,并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。
北京大学 2021-04-10
高纯度二氧化氯制备先进技术
二氧化氯因其高效、安全、不易产生氯代有机物等“三致”物质的优点而替代液氯广泛应用于饮用水、污水处理、医疗卫生、食品加工等领域,被誉为第四代消毒剂,是世界卫生组织和世界粮农组织推荐的A1级广谱、安全和高效消毒剂。 本项目在“国家科技支撑计划项目”的支持下,通过先进的复合还原催化技术、双釜串联及梯级反应强化技术、反应耦合分离技术、发生器结构独特设计等一系列自主创新,攻克了二氧化氯制备技术难题,开发了一种高纯度二氧化氯绿色制备集成新技术,提高了二氧化氯的品质与发生器的安全性,填补了国内空白
南京工业大学 2021-04-14
一种二硼化钒粉体的制备方法
(专利号:ZL 201410219036.9) 简介:本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法,属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3:11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后,在惰性气体保护下在800~1100℃下热处理0.5~4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害,生产工艺简单,适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度,
安徽工业大学 2021-01-12
一种增强吡唑醚菌酯防效的杀菌混剂配方及制备方法
本发明公开了一种增强吡唑醚菌酯防效的杀菌混剂配方及制备方法,涉及农用杀菌剂应用领域。该农用杀菌混剂包含吡唑醚菌酯和生石灰两种有效成份,两种成份的质量份数比为1:10‑1:100,含有两种有效成份药剂或物质在使用前直接混合,其中吡唑醚菌酯为原药或者是以吡唑醚菌酯为主要有效成份的各种制剂。该农用杀菌混剂主要用于树体涂枝、涂干或冬春季涂白,也可用于雨季喷雾,以替代波尔多液或波尔多浆防治果树与林木枝干病害或在雨季防治叶部病害。所发明的农用杀菌混剂克服了波尔多液不具备的内吸治疗效果、配制方法繁琐、以及大量使用后所造成的环境污染等问题,增加了吡唑醚菌酯的耐雨水冲刷能力,延长药剂的持效期,也为杀菌剂的开发、利用提供新的思路。
青岛农业大学 2021-04-13
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中,借助常见 的可与硫族单质(S,Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度,以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的,利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C,并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟,完成 TMDs 
武汉大学 2021-04-14
改性聚间苯二甲酰间苯二胺超滤膜及其制备方法和应用
本成果基于间位芳纶材料,通过调控制膜配方以及制膜工艺,所制备的间位芳纶膜具有高的渗透通量、高的机械强度以及良好的耐酸碱性能。依托于自身实验室的中试平板刮膜装置,实现了间位芳纶膜的中试化制备,并且进行膜组件、膜设备的进一步放大设计。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 聚间苯二甲酰间苯二甲酰胺(PMIA))纤维是一种新型的有机耐高温纤维,具有出色的综合特性,包括良好的热稳定性,化学稳定性,亲水性和阻燃性。膜材料的耐压性和耐热性是膜分离工艺长期运行所必需的,这些优异的性能使PMIA成为膜制备领域的关键性材料之一。此外,由于该材料易溶于普通有机溶剂中,因此,可以采用非溶剂诱导相转化(NIPS) 法制备PMIA 超滤膜,这为工业化生产提供了可能。 目前我国的膜材料主要还是依赖于进口,并且亲水性差、机械强度低、耐溶剂性能差等诸多问题,而间位芳纶膜材料已经实现了国产化,并且价格便宜,打破了国外垄断的局面。基于间位芳纶材料,我们通过调控制膜配方以及制膜工艺,所制备的间位芳纶膜具有高的渗透通量、高的机械强度以及良好的耐酸碱性能。依托于我们实验室的中试平板刮膜装置,我们实现了间位芳纶膜的中试化制备,并且进行膜组件、膜设备的进一步放大设计。所开发的PMIA膜可以达到及其高于市场同种类产品,其产业化可大大丰富目前水处理市场。 平板膜纯水通量不小于700L∙m-2 ∙ h-1 ∙ bar-1(温度 25℃(不含)以下),静态水接触角低于60°。【纯水通量和接触角测试方法依据国家标准 GB/T 32360-2015《超滤膜测试方法》】。
北京理工大学 2022-08-17
—二氨基二苯醚
一、项目简介本品为白色结晶(粉末),熔点是1860℃,不溶于水,易溶于盐酸。其工艺特点是用毒性低的非质子极性溶剂代替毒性大的硝基苯;与目前工艺相比,反应温度底,反应时间短;收率高。二、市场前景本品是重要的化工原料。可以合成耐热性塑料聚酰亚胺树脂、聚马来酰亚胺树脂、聚酰胺—聚亚胺树脂、聚酯—聚亚胺树脂等。亦可作环氧树脂,纤维素树脂的交联剂。与其它交联剂相比具有交联率高,交联结构稳定;加工安全性大,使用方便,加入聚合物后的有效使用期适中,既不过早,也不过迟;能显著提高聚合物的耐热性,耐油性,耐磨性。随着电气电子设备质量要求的提高,本品的需求量也会越来越大。
河北工业大学 2021-04-13
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