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一种低阻高通量耐污型水处理膜及其制备方法
项目简介 本成果处提供一种低阻高通量耐污型水处理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超滤膜为 模板，以 FeCl2为还原剂，在基膜孔道内原位化学沉积生成 Fe3O4纳米粒子，以获得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超滤膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、寿命长等优 点。 产品性能、指标 （1）阻力小，使用 TiO2 与膜材料共混增强膜的亲水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江苏大学
2021-04-14
粉煤灰等固废耦合制备莫来石耐火材料新技术
北京大学工学院科研团队通过多年的研究，开发了具有自主知识产权的利用粉煤灰等工业固废制备莫来石耐火材料新技术。此技术的核心发明是通过研究粉煤灰、煤矸石、铝矾土等高温烧结过程中莫来石化的机理和莫来石化过程中晶粒的生长、聚集及网状结构的发展等显微结构变化，获得了粉煤灰等固废耦合制备莫来石复相耐火材料新技术。目前，该技术已进行工业示范。
北京大学
2021-01-12
成功解析卡波氏肉瘤病毒（KSHV）重要功能蛋白ORF57C端（ORF57-CTD）的单体和二聚体结构
卡波氏肉瘤病毒，又名人类疱疹病毒8型，是一种重要的人类肿瘤病毒，能导致卡波氏肉瘤和B细胞淋巴瘤等恶性肿瘤。ORF57是KSHV编码的早期基因，在病毒复制过程中能稳定病毒转录的mRNA从而促进病毒复制，是病毒裂解复制过程中的重要功能蛋白。ORF57蛋白半衰期较短，因此维持其稳定性对其发挥功能至关重要。既往报道证实ORF57蛋白通过二聚化而得以稳定，然而ORF57二聚化的详细生化机制长期没有得到充分的阐明。该研究利用X射线衍射技术成功解析了ORF57-CTD蛋白3.5Å分辨率的二聚体结构和3Å分辨率的单体结构，揭示了ORF57-CTD每一个单体球状核心区域底部都含有一个保守的锌离子CHCC结合序列并结合一个锌离子；此外，ORF57-CTD的每个单体N端延伸出一个长臂并包裹住另一个单体核心区域，且两个单体的核心区域以反向平行的形式相互作用。因此，N端长臂和核心区域的相互作用介导了ORF57的二聚化形成
武汉大学
2021-04-10
华中农业大学文法学院实验室计算机更新采购项目（二次）竞争性磋商公告
华中农业大学文法学院实验室计算机更新采购项目（二次）竞争性磋商
华中农业大学
2022-06-23
2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划” 第二组双走访活动圆满成功
为提升高校人才培养质量，推动教育与产业统筹融合，进一步推选2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作双百计划”（以下简称“双百计划”）典型案例，中国高等教育学会于2022年3月19日开展了“双百计划”第二组双走访活动。本场双走访采用线上走访形式。
中国高等教育博览会
2022-03-24
【成电重研院】第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆举办
4月9日，以“芯”成果·新生态|集成电路产业发展现状及趋势”为主题的第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆召开。论坛由中国科协和重庆市人民政府指导，中国高等教育学会、中国科协科学技术创新部、重庆市教育委员会、重庆市科技局、中国科学技术出版社共同主办，电子科技大学承办，电子科技大学重庆微电子产业技术研究院、成都市电子学会协办。
云上高博会
2023-04-11
西北农林科技大学化药学院常明欣教授团队在合成手性二氢喹喔啉酮方面取得新进展
该研究利用二胺作为不对称还原胺化的胺源，与酮酯在手性铑催化剂作用下高效合成手性3,4-二氢喹喔啉酮。
西北农林科技大学
2022-10-13
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-05
纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法
本发明涉及一种碲化铅为基的热电材料及其制备方法。本发明中所述的纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化热铅电材料是指 AgnPbMnTe1+2n ，M 为 Sb 或 Bi, 0<n≤0.2。其制备方法有两种：1、在碲粉中加入还原剂使碲粉还原成碲离子，加热后加入铅的可溶性盐、锑或铋的可溶性盐和硝酸银的去离子水溶液，搅拌或超声波处理后，过滤、清洗，再室温真空烘干即可； 2、把碲粉加入到硝酸银、铅的氯化盐或硝酸盐和锑或铋的氯化盐或硝酸盐的去离子水溶液中，再加入还原剂，加热至 100-200oC 保温 1-20 小时后冷却至室温，将产物过滤洗涤后进行真空干燥处理即可。本发明所制备的新的碲化铅热电材料粒度细、纯度高，使用的原料便宜易得，工艺简单。
同济大学
2021-04-11
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01