JYD-2A恒温金属浴是采用微电脑控制的恒温金属浴装置,控温精度高，制样平行性好，以替代传统的水浴装置,可广泛应用于各种样品的培养、保存和反应，应用行业遍及医药、化工、食品安全、质检、环境等。JYD-2A恒温金属浴可实现2个模块独立加热、恒温，独特的二合一设计，满足更多实验需求。 产品特点 1、LED显示，界面清爽简洁。 2、仪器升温速度快、加热均匀、控温、稳定性高，低能耗无噪音。 3、内置温度偏差校准功能，自动故障检测及蜂鸣器报警功能。 4、内置超温保护装置，使用更安全可靠，延长机器使用寿命。 5、产品设计紧凑而严密,占用的空间范围小，带来更多的自由和方便。 6、多种模块选择更换，便于清洁与消毒食用各种试管。 7、可实现2个模块独立加热、恒温，独特的二合一设计，满足更多实验需求。

产品详细介绍性能与特点: 1、 根据人体基本结构,将安检门探测区划分为6个相互重叠的网状探测区域。采用单一频率激励技术，并在探测区内形成十分均匀的垂直磁场密度，穿透力强，探测灵敏度高，并消除了探测区域的“弱区”和“盲区”。 2 、六组探测区域均可进行100级灵敏度的调整，可根据实际应用状况，预先设定灵敏度的级别，并可对整体灵敏度进行相应的设置。最高灵敏度可探测到一枚回形针大小的金属，可在排除皮带扣、钥匙、首饰、硬币等物品，检测到管制刀具和枪支或金属物品。 3、针对各种使用环境的电磁干扰（EMI），对整个系统进行了电磁兼容设计（EMC），并对违禁物品采样信号使用DSP处理流进行相关运算和滤波，从而使得整套设备具有极强的电磁抗干扰能力。 4、具有国际领先防震、抗干扰技术，门体晃动的时候可以不误报。 5、可设定多组工作频率，使得多台设备并排相邻工作时，互不干扰。 6、预留的通讯接口采用防雷设计（ESD），可实施远程通讯操作。 7、可自行在控制面板上修改密码及调节灵敏度，也可通过遥控器对门体进行控制。 8、双侧两对红外对射进行扫描，迅速响应相关的探测信号，复位速度极快，可进行大流量的检测（60~70人/分钟，如不报警，通过人数还可加倍）。 9、采用先进的计数器，能精准的对通过人数进行快速统计，统计人数准确。 10、两测门柱安装门柱灯，可直观地显示违禁物品所在的区域，视角可达180度，每侧门灯由120个灯炮组成。 11、可以选装摄像头，抓拍报警人员，数据可进行远程通讯。 12、超大LCD显示屏，中英文等多种语言可供切换，菜单式选择，操作简单方便。 13、拥有多种选择的声光报警方式，便于识别，并可按客户要求调节音量大小。 14、对人体无害: 对人体内的心脏起博器、孕妇、磁性软盘、磁带、录像带等无害。 15 、门体采用豪华型特珠材料制成，表面耐磨、耐腐蚀、防水、防潮和防火，并且不变形。 16、采用符合当前适用环境的所有国际安全标准。 17、门体颜色有黑、白、红等到，如客户订单数量大也可按客户要求选用门体颜色。 l   技术标准： 电器参照EN60950安全标准执行 辐射参照EN50081-1标准执行 抗干扰参照EN50082-1标准执行 符合标准: GB15210-2003《通过式金属探测门通用技术规范》 l 技术参数: 外接电源：90V —250V     50/60Hz 功耗：35W 工作环境：-20摄氏度— +45摄氏度 运输全重：约75kg 整机重量：约70kg 工作频率：根据安装环境自行调节 外形尺寸：(mm)2220(高) x 820(宽) x 522(深) 通道尺寸：(mm)2000(高) x 700(宽) x 522(深)

实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，如电视机的电子枪，它的发射效果会影响电视机的质量，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。   仪器概述 本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。 精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：实验电源配置2个模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。   表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    理想真空二极管盒   BEM-5716 连接导线，香蕉插头，0.8米，红   BC-105084   【2】 连接导线，香蕉插头，0.8米，黑   BC-105083   【2】 连接导线, 1m, 红   BC-105074 连接导线, 1m, 黑   BC-105073 电源线   BC-105075 用户手册   CD-M-BEX-8509B

本发明公开了一种用于金属面爬壁机器人的磁吸附提升系统，包括四组提升子机构，两组提升子机构位于机器人对称两侧，每个提升子机构包括两个支撑架、通过轴承与所述两个支撑架底端连接的磁铁旋转架、固定在所述磁铁旋转架上的旋转架固定座、安装在所述磁铁旋转架上的磁铁、与旋转架固定座轴承连接的提升杆、与所述提升杆连接的H型中间杆和连架杆、与所述H型中间杆连接的主动杆。该提升装置可以满足金属面爬壁机器人的磁吸附稳定性，保证了连杆之间的旋转平稳性和快速性，实现了金属面爬壁机器人的磁吸附状态和磁力脱离状态的快速切换，在吸附状态时实现了吸附的稳定性，在释放状态时实现了磁吸附的消除。

随着石油资源的枯竭，二氧化碳排放量的增加、环境污染的日益严重，寻找一种可替代石油的清洁能源是未来社会可持续发展的迫切要求。氢气作为一种清洁能源，将成为替代石油的重要燃料之一。硼氢化物是一种可用于机动车辆燃料的储氢化合物。发展一种可在低温下可控地催化硼氢化物连续稳定地产生氢气的技术，是硼氢化物得以应用于机动车辆的重要环节。利用磁性过渡族金属包覆另一种金属，形成核壳型复合纳米粉，不仅因为不同金属的协同效应和界面效应，使其具备更高的催化活性，而且赋予了纳米粉磁可控的特性。这种含有磁性金属的核壳型纳米粉，由

 目前几乎所有人工合成的含氮有机化合物都需要经过工业合成氨（NH3）。而传统的工业合成氨过程 (Haber-Bosch Process)条件极其苛刻。据推算年耗能占全球能耗的2%左右，需消耗约25%的化石资源，并且产生大量温室气体。因此，将氮气直接、高效、温和地转化为含氮有机化合物，而不经过NH3, 是解决以上问题的重要途径之一。但迄今相关文献报道很少, 催化反应体系还没有实现（见中文综述：从氮气直接合成含氮有机化合物。该研究实现了由稀土金属钪（Sc）促进的，直接由氮气、MeOTf和亲电试剂等有机底物反应高效合成肼衍生物的过程。他们分离和表征了(N2)2−-, (N2)3−-和(N2Me2)2−-Sc中间体，并发现CO能有效插入(N2Me2)2−-Sc中间体的Sc−N键中，实现了N2与CO的高效偶联（Scandium-Promoted Direct Conversion of Dinitrogen into Hydrazine Derivatives via N−C Bond Formation. Ze-Jie Lv, Zhe Huang, Wen-Xiong Zhang,* and Zhenfeng Xi,* J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 8773−8777）。

本发明公开的一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球，其球壳是多晶的金属掺杂氧化物，晶粒尺寸在20nm以下，掺杂原子百分比为0.01~20%，空心球球壳厚度在20纳米以下，直径为80～600纳米。本发明利用模板吸附方法，通过配置吸附溶液和后续的退火处理制备得到金属掺杂的氧化物纳米空心球。本发明制备的金属掺杂氧化物纳米空心球的晶粒尺寸在20nm以下，结晶质量高，比表面积一般大于200m2.g-1。本发明的方法简单、成本较低，克服了许多金属难以实现掺杂的困难，并且掺杂浓度可以按要求随意控制，对掺杂金属种类的选择和氧化物的选择都具有极大的范围，有利于产业化的应用。

本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs