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镁基金属与铝基金属的连接方法
本发明公开了一种镁基金属与铝基金属的连接方法。镁基金属与铝基金属通过中间层连接，连接方法包括以下步骤：1)第一扩散过程：对铝基金属的扩散面和中间层的第一扩散面分别进行表面处理，然后利用真空扩散焊接工艺，在第一温度下对表面处理后的铝基金属和中间层进行扩散连接；2)第二扩散过程：对镁基金属的扩散面和中间层的第二扩散面分别进行表面处理，然后利用真空扩散焊接工艺，在第二温度下对表面处理后的镁基金属和中间层进行扩散连接，即得到通过中间层连接的镁基金属和铝基金属；第一温度高于第二温度，所得接头处无凝固(铸造)组织，不生成气孔、宏观裂纹等缺陷，且接头精度高、变形小、工艺稳定性强。
西南交通大学
2016-10-19
过渡金属对贵金属团簇物性的修饰
项目简介： 贵金属团簇是一种山Au、Ag 等贵金属元素的几个至几十个原子形成的聚集体 ， 由于 Au、Ag 等原子的化学 惰性， 使得它们具有良好的生物相容性， 被广
西华大学
2021-04-14
一种碳化硅橡胶耐磨材料及其制备方法
一般橡胶都采用炭黑进行补强 , 所得到的产品耐磨性和拉伸强度有限 , 性能更好的采用碳纤维共混改性 , 但大大增加了橡胶产品的制造成本。寻找一种能够满足性能要求 , 又能够降低成本的新补强材料成为必然。该成果采用具有高强度 , 高硬度 , 高耐氧化性能的碳化硅对天然橡胶共混改性 , 采用天然、合成橡胶作为基体材料，以碳化硅 ( 其它填充料 ) 作为填料进行共混研究，设计并对比不同方案，以期使橡胶基体与碳化硅微粒间能产生一定的力学键合作用，从而使得橡胶耐磨性很大的提高，同时保证橡胶的其他力学和工艺性能。以获得具有良好力学性能和广阔的发展前景的复合材料。
西安科技大学
2021-04-11
一种异位活性氧化镁碳化固化淤泥土方法
本发明公开了一种异位活性氧化镁碳化固化淤泥土方法，属于水利土木工程的领域。该方法包括淤泥预处理、固化剂均混、淤泥颗粒化、二氧化碳碳化、废气／废液收集、资源化利用几个步骤，通过实测含水率调节固化剂供给量，根据土性调节颗粒粒径和二氧化碳压力，实现了淤泥与固化剂的充分拌合以及氧化镁固化淤泥颗粒的快速碳化。作业过程中吸收粉尘和二氧化碳，避免了二次污染。该方法安全简捷、低碳环保、连续作业率高，解决了淤泥处理和工程应用难题，淤泥碳化颗粒具有含水率低、硬度大、抗剪强度高和摩擦系数大等优点，可用作路基、机场跑道、工程回填等填料，实现了淤泥／污泥和二氧化碳在工程上的再利用，具有巨大的工程建设意义。
东南大学
2021-04-11
碳化硅提纯工艺信息化管理子系统的设计和研制
碳化硅微粉的提纯工艺要求实时在线监测提纯罐中微粉溶液的温度、液位、搅拌机时间等参量；如果分别选购市场上已有的数字化测温仪、液位计和搅拌机运动监测（如转速）仪表分别监测相关参量，还需另外选购工业控制计算机（车间环境温度夏季高达50℃以上，普通PC机无法胜任），以便把测温仪、液位计和（搅拌机）运动监测的信号实时采集和存储。此方案不仅成本高，而且占用车间生产、物流空间较多，将对车间正常生产带来严重影响；为此（受连云港乐园磨料磨具有限公司委托）我们以增强型嵌入式微控制器AT89S52为核心，自行设计研制了集提纯罐溶液温度、液位、搅拌机监测与提纯工艺管理于一体的智能化多参量监测仪。该仪器支持时下流行的在系统编程（In-SystemProgramming）下载技术，便于今后的程序升级；采用液晶显示器和键盘作为人机接口；采用Flash存储器AT29C010A作数据备份之用；采用一主多从的方式通过RS-485总线协议实现分布式结点与上位机的通信，具有良好的抗干扰能力。
东南大学
2021-04-10
大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化
已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比，SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14
一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球及其制备方法
本发明公开的一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球，其球壳是多晶的金属掺杂氧化物，晶粒尺寸在20nm以下，掺杂原子百分比为0.01~20%，空心球球壳厚度在20纳米以下，直径为80～600纳米。本发明利用模板吸附方法，通过配置吸附溶液和后续的退火处理制备得到金属掺杂的氧化物纳米空心球。本发明制备的金属掺杂氧化物纳米空心球的晶粒尺寸在20nm以下，结晶质量高，比表面积一般大于200m2.g-1。本发明的方法简单、成本较低，克服了许多金属难以实现掺杂的困难，并且掺杂浓度可以按要求随意控制，对掺杂金属种类的选择和氧化物的选择都具有极大的范围，有利于产业化的应用。
浙江大学
2021-04-13
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14
物联网
物联网体系
智能连接家、校、人，实现物联校园数据的实时采集提高教学、教务、校务、办公的高效管理，离不开智能物联设备的支持
广州光大教育软件科技股份有限公司
2021-08-23