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中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-Ⅵ晶体
本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法,以及基于该晶体构建的激光输出实验装置,属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到,并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦,同时实现两种离子受激激发,从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。
四川大学 2017-12-28
一种用于抑制激光器脉冲过冲现象的激励电源
本发明公开了一种用于抑制激光器脉冲过冲现象的激励电源。 该激励电源包括控制模块,开关电源模块及谐振模块。控制模块输出 频率变化的驱动脉冲信号,经过开关电源模块处理后输出交流方波信 号,交流方波信号经谐振模块调幅后变为在每个周期内先为低电平后 为高电平的周期性的激励信号。该激励电源输出的激励信号能够在抑 制过冲现象的同时使激光脉冲的上升沿更加陡峭,满足激光加工对激 光脉冲输出波形的要求,对于提高激光脉冲加工的质量和效率
华中科技大学 2021-04-14
一种激光红外复合的地面建筑物识别及导航方法
本发明提供一种地面建筑物识别方法,包括以下步骤:(1)航拍地面红外图像;(2)在红外图像中进行检测定位确定疑似目标;(3)对准疑似目标进行激光成像;(4)对激光成像进行距离选通以滤除前景和背景干扰;(5)在滤除干扰后的激光成像中提取疑似目标的形状特征,将其作为目标匹配要素与目标形状特征模板进行匹配,从而识别目标。本发明方法将激光成像融入到红外成像目标定位中,既利用红外成像范围大的优点,又利用激光成像的三维距离信息,有
华中科技大学 2021-04-14
一种能隐藏反馈时延特性的激光混沌信号产生装置
本发明公开了一种能隐藏反馈时延特征的激光混沌信号产生装置。通过在垂直腔面发射激光器的环形反馈腔中引入可调偏振片,即使在较大反馈强度下,只要合理地调节可调偏振片的角度,也能成功地隐藏激光混沌信号的反馈时延特征。本发明装置在保证了产生激光混沌信号的基础上,实现了在较大反馈强度下的混沌载波的时延隐藏特性,增强了基于垂直腔面发射激光器的混沌通信系统的安全性。
西南交通大学 2016-10-19
一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备
本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备, 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处,利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体,使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子,加速 NH 键的断裂,提供充足的活性氮源, 使非氮元素与活性氮源发生化学反应,沉积第 III 族氮化物膜层材料, 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底
华中科技大学 2021-04-14
一种列车车轴激光熔覆修复的合金粉末
项目简介 提供列车车轴激光熔覆修复的合金粉未的制备方法,该方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。 一种列车车轴激光熔覆修复的合金粉未,该合金粉未具有工艺可控性好、修复后其微观组  &n
西华大学 2021-04-14
激光3D打印在口腔义齿制造领域中的应用与推广
彻底解决了传统铸造工艺的所有弊端和缺陷。
广州瑞通增材科技有限公司 2023-04-25
非接触法激光收缩膨胀测定仪NELD-LS730
执行标准:GB/T50082-2009,JC/T 2630-2021,JTG3420-2020 耐尔得自主研发的“非接触法激光收缩膨胀测定仪_NELD-LS730”作为本次标准的规范性收缩率试验方法中的试验验证仪器。本品采用进口激光传感器,设计了灵活多角度的测试平台,10.8寸触摸屏,嵌入式测试软件,满足1-6通道的测量,并具备任意双通道测量横向试件,单通道纵向测量水泥等胶凝材料的早龄期自由收缩,非接触测距12mm,精度1μm,有利于科研单位对数据精度提高的实现。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-14
一种平底螺旋立铣刀正交车铣轴类零件的切削力建模方法
本发明公开了一种平底螺旋立铣刀正交车铣轴类工件的切削力 建模方法,包括步骤:分别建立螺旋立铣刀坐标系和轴类零件坐标系, 确定两个坐标系间的坐标变换;在建立的坐标系中,明确正交车铣切 削运动轨迹,确定轴向进给、径向进给和总进给;根据计算得到的正 交车铣运动轨迹和确定的进给,确定正交车铣切屑几何;对每个离散 层建立微元正交车铣切削力计算公式,根据确定的正交车铣切屑厚度、 切削深度和正交车铣切入切出角,判断各离散层是否参与切削,确定 微元切削力的积分限,积分参与切削的微元切削力,获得当前切削状 态总切削力
华中科技大学 2021-04-14
加工第三代半导体晶片光电化学机械抛光技术
第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点,已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件,其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而,氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性,半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此,我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术,不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片(如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h,比目前的化学机械抛光的高约10倍),而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单,技术具有完全的自主知识产权。
厦门大学 2021-04-10
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