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基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热式毫米波信号检测器
本发明的基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热式毫米波信号检测器，主要实现结构包括由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结、间接加热式微波功率传感器和开关。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁，每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处为λ／４。功率通过第一间接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用间接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号，分别同两路等分后的参考
东南大学
2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结直接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及直接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个直接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成；直接式热电式功率传感器主要由共面波导传输线、两个热电偶和一个隔直电容所构成，每个热电偶
东南大学
2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导、缝隙耦合结构、移相器、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个间接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导、扇形缺陷结构和空气桥所组成；间接式热电式功率传感器主要由共面波导、两个终端电阻以及热电堆所构成，热电堆是由两种不同的半导体
东南大学
2021-04-14
硅基微机械悬臂梁耦合间接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的硅基微机械悬臂梁耦合间接加热在线式毫米波相位检测器，实现结构包括悬臂梁耦合结构、功率合成／分配器和间接加热式微波功率传感器。悬臂梁耦合结构中，两个结构相同的悬臂梁在ＣＰＷ中央信号线上方，用于耦合部分待测信号，通过锚区与功率合成器相连，耦合信号的功率相等，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度为λ／８。悬臂梁下方的ＣＰＷ中央信号线上覆盖了一层Ｓｉ３Ｎ４介电层，用于防止电学短路。参考信号通过功率分配器分成两路信号，分别与两路悬臂梁耦合的信号通过功率合成器合成，功率合成器的输出端连接到间接加热式微波功
东南大学
2021-04-14
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
硅基微机械悬臂梁耦合直接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的硅基微机械悬臂梁耦合直接加热在线式毫米波相位检测器，实现结构包括悬臂梁耦合结构、功率合成／分配器和直接加热式微波功率传感器。悬臂梁耦合结构左右对称，两个悬臂梁在ＣＰＷ中央信号线上方，结构相同，用于耦合部分待测信号，通过锚区与功率合成器相连，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度为λ／８。悬臂梁下方的ＣＰＷ中央信号线上覆盖了一层Ｓｉ３Ｎ４介电层，用于防止电学短路。参考信号通过功率分配器分成两路信号，分别与两路悬臂梁耦合的信号通过功率合成器合成，功率合成器的输出端连接到直接加热式微波功率传感器进行功
东南大学
2021-04-14
硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，其上有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导传输线传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成；间接式热电式功率传感器由共面波导传输线传输线、两个终端电阻以及热电堆所构成，热
东南大学
2021-04-14
微孔淀粉基止血剂
在构建一种在物理性和化学性等多重止血机制的协同作用下发挥优异的止血性能的材料， 它的止血将更为彻底有效，止血范围也将显著扩大。 该项目以具有强吸水性和体内酶促降解性的植物淀粉为原料，从成分设计和结构控制着 手，制备出具有多重功能的淀粉基微孔止血材料。一方面赋予材料多孔结构和高比表面积以快 速吸收血液中的水分，提高创面附近凝血因子的浓度而实现物理性止血；另一方面通过对微 孔淀粉改性和功能化处理，激发与血液有效成分进行反应，启动和加快内源性和外源性凝血途 径，实现化学性止血。该项目拓宽了淀粉在生物医学中的应用；同时该离子负载型淀粉基微孔 止血材料的成功研发，对有效控制动脉、静脉和实质性脏器等的大出血具有重要的临床意义和 实用性。
华东理工大学
2021-04-11
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10
磷酸镁基快速修补材料
本技术开发了先进的磷酸镁基快速修补材料。通过使用分子模拟技术，联合数学模型的建立，能够指导高耐水性快速修补材料的合成。
青岛理工大学
2021-04-22