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一种带有硫化铝外壳的硫化铜纳米粉末材料及其制备方法
（专利号：ZL 201410557601.2） 简介：本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的硫化铜(CuS)纳米粉末材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构，内核为CuS纳米颗粒，外壳为Al2S3层；所述CuS纳米颗粒内核的粒径为10～100nm，所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层，其厚度为1～10nm。本发明采用等离子电弧放电法，将铜粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料，采用石墨作为阴极
安徽工业大学
2021-01-12
聚集诱导发光（ AIE ）绿色荧光磁性指纹粉末 / 喷雾及智能指纹对比分析仪
传统荧光材料与磁性（多为黑色）指纹粉末结合后通常会导致荧光猝灭，而利用 AIE 材料聚集态下荧光亮度的高特性，与黑色磁粉复合后不但信号不受背景干扰，还能实现在日光和紫外光下的双重显色，获得高分辨的指纹多级结构信息。为了适应南方潮湿天气，本团队进一步开发了指纹喷现液，可在更复杂环境和背底下进行微弱指纹识别。该技术已在公安机关试用推广，成功协助侦破多起恶性案件。 同时，利用本团队自主开发的智能指纹对比分析仪，能够快速读取通过 AIE 双模输出的指纹信息，并与相关数据库人员进行对比， 进而展示现役人员的准确信息。该技术还可结合目前的云端技术与监控图像识别系统，快速确认疑似人员的移动路径，实现采集- 识别-监控-追捕无缝对接。
华南理工大学
2023-05-08
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构，使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域，以大幅度减少金属粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸，该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板，实现了针对不同金属构件
华中科技大学
2021-04-14
一种带有硫化铝外壳的二硫化钨纳米粉末材料及其制备方法
（专利号：ZL 201410557604.6） 简介：本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的二硫化钨(WS2)纳米粉末材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构，内核为WS2纳米颗粒，外壳为Al2S3层；所述WS2内核的粒径为10～100nm，所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层，其厚度为1～10nm。本发明采用等离子电弧放电法，将钨粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料，采用石墨作为阴极材料，
安徽工业大学
2021-01-12
一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法
本发明公开了一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法，以三氧化二铁纳米颗粒为核心，通过控制正硅酸乙酯的量来控制包覆的二氧化硅的厚度，再通过热分解的方法在二氧化硅外面包覆一层碳，通过去除中间层的二氧化硅得到了三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构。本发明通过简单的包覆过程合成了三氧化二铁/碳的蛋黄-蛋壳复合纳米结构，降低了成本，可大批量生产。另外，这种中空的三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳复合纳米结构有利于提高锂离子电池负极材料的性能。
浙江大学
2021-04-11
一种花状四氧化三铁纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种花状四氧化三铁纳米材料及其制备方法，以七水合硫酸亚铁和氢氧化钾为原料，聚乙烯吡咯烷酮为结构导向剂剂，硝酸钠为氧化剂，先制备氢氧化亚铁深绿色胶体，然后经过氧化过程，在70～90°C水浴100～180min，即制得花状四氧化三铁纳米材料。本发明的材料分散性好，对磷和镉金属镉(II)的吸附性能好。在生物医学、电子工业、环境保护等领域具有潜在应用价值。
安徽建筑大学
2021-01-12
铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂的制备方法、产品及应用
本发明公开了一种铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂的制备方法，包括：(1)将铝盐加入到甲酸/甲酸铵的缓冲溶液中，铝盐完全溶解后，加入介孔SBA‑15，吸附完成后，烘干，焙烧得到铝负载的SBA‑15样品；(2)将铝负载的SBA‑15样品置于含有铁离子和铜离子溶液中，浸渍完成后，烘干，可选择的进行焙烧，得到铁‑铜‑铝氧化物复合催化剂。本发明还公开上述制备方法制备得到的催化剂和该催化剂的应用方法。本发明通过Al对介孔材料SBA‑15进行修饰，获得良好Al2O3纳米层，继续负载双金属组分Fe和Cu之后，活性组分继续保持高度分散的纳米层，在中性条件下，催化剂有着良好的降解去除，显示出催化剂极高的催化活性。
浙江大学
2021-04-13
“铁磁体/拓扑绝缘体异质结构界面存在磁性斯格明子的证据
磁性斯格明子是由拓扑保护的纳米涡旋磁结构，其微观的形成机制与非共线性作用（Dzyaloshinskii—Moriya Interaction）有关。该结构在物理上可以被看成一种受拓扑保护的磁准粒子，拥有很长的寿命，可被电流、热、光等条件所驱动。值得一提的是，其存在和消失的这两种状态可以被定义为磁存储中的“1”和“0”状态，使它成为一种颇具潜力的存储信息载体，在未来的自旋电子学和存储领域具有巨大的应用潜力。
南方科技大学
2021-04-14
一种提高Y2NiMnO6陶瓷多铁性能
青岛大学
2021-04-13
一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12