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一种基于铁的用于烷基化反应的催化剂的制备方法
本发明公开了一种基于铁的用于烷基化反应的催化剂的制备方法。该方法是先将具有全氟烷基磺酰亚胺结构的离子液体预热至60~90℃,然后加入含铁化合物,搅拌混合均匀后降至常温;常温下反应6~24h,使其相互反应生成配合物,得到用于催化Friedel‑Crafts烷基化反应的催化剂。本发明方法制备得到的催化剂用于合成Friedel‑Crafts烷基化反应,如苯与1‑十二烯合成十二烷基苯的反应,该催化剂具有活性高,2‑直链烷基苯(2‑LAB)选择性较高,使用条件温和,耐水性好不易水解,可以通过简单方法回收,且循环性好的特点。
浙江大学 2021-04-13
一种非晶铁磷合金/V8C7 复合镀层及其电镀工艺
本发明之非晶铁磷合金/V8C7复合镀层,所述复合镀层的基体材质为非晶态Fe-P合金,Fe 含量为复合镀层的60-89wt%(优选70-85wt%),P 含量为复合镀层的10-30wt%(优选12-22wt%),所述复合镀层中含有固体微粒V8C7,含量为复合镀层的1-10wt%(优选3-7wt%)。复合镀层可以含有各种不同的金属或合金以及各种不同类型的微粒,其技术适用性和实用性宽广,具有较强的可变性和可操作性,应用将日益广泛。
长沙理工大学 2021-01-12
面向大功率开关电源器件的铁硅粉芯关键生产工艺开发
:铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料,主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料,作为电感器 和电抗器的磁芯,用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换,其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波
合肥工业大学 2021-04-14
掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器
本实用新型公开了一种掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器,该掺铁硒化锌可饱和吸收镜包括基底、镀在所述基底上的高反射膜以及镀在所述高反射膜上的掺铁硒化锌薄膜,由于该掺铁硒化锌可饱和吸收镜以掺铁硒化锌薄膜为可饱和吸收体,同时掺铁硒化锌薄膜本身具有较高的损伤阈值,能够用于高功率激光器的研制,弥补了本领域缺少高损伤阈值可饱和吸收镜或可饱和吸收体的空缺;基于上述掺铁硒化锌可饱和吸收镜构成的锁模光纤激光器,利用双包层增益光纤获得激光,并通过掺铁硒化锌可饱和吸收镜对激光进行调制实现锁模,获得超短脉冲激光。
四川大学 2017-12-28
一种光助铁酸铋活化过硫酸氢钾降解有机废水的方法
(专利号:ZL 201510181466.0) 简介:本发明公开了一种采用光助铁酸铋活化过硫酸氢钾降解有机废水的处理方法,属于污水处理技术领域。本发明中钙钛矿结构BiFeO3具有球状形貌,是在水热条件下通过加入一定量的表面活性剂制得,比表面积大,制得的BiFeO3本身即可在可见光照射下光催化降解有机污染物。本发明中将BiFeO3应用于活化过硫酸氢钾降解有机污染物中,在15min对甲基橙的降解率为94%,40min对甲基蓝的降解率为90%,
安徽工业大学 2021-01-12
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
基于半导体异质结概念,提出利用晶相共生现象可控合成异质结 光催化材料
基于半导体异质结概念,首次通过工艺简单,成本低廉熔融盐法合成一系列 钽酸钙基半导体异质结复合材料,发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量 可通过改变前驱物比例简单调控,证明该异质结复合物晶相,组分变化与光催化 制氢性能有着密切关系,阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制,极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学 2021-01-12
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
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