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碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均
华中科技大学
2021-01-12
金属和合金纳米粒子组装薄膜材料的气相制备技术
纳米粒子由于具有非常小的颗粒尺寸和大的比表面积，通常显示出许多不同于常规块体材料的电、磁、光和化学特性，在现代工业、国防和高技术发展中充当着重要的角色。随着科学技术的迅速发展，对材料性能的要求也越来越高，因此寻找一种可替代液相法的真空气相法来获得表面清洁纳米粒子的制备技术是开发具有优异性能新型纳米结构材料的迫切要求。特别是纳米粒子组装复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性，成为一个重要的前沿研究热点，它有望将“传统功能材料”通过“纳米复合化”达到进一步提高和拓展材料性能的目的。
厦门大学
2021-01-12
一种基于氯化钢水溶性薄膜的OLED器件（未授权）
本实用新型提供了一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明阳极IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层和阴极,所述的氯化綱水溶性薄膜的制备方法包括以下步骤：步 骤一、将粉末状的氯化锢溶解于去离子水中得到混合溶液；步骤二、将上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。该结构优点在于:不 仅制备方法简单,成本彳氐廉,环境友好,而且能够有效的提高阳极界面载流子的 注入效率，提高OLED器件的光电性能。本实用新型属于有机电致发光器件领 域，特别涉及一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大学
2021-04-13
电子聚合物纳米薄膜调控与气敏动力学研究
本项目属敏感电子学与传感器研究领域。主要围绕电子聚合物纳米气敏薄膜调控与气体传感器敏感动力学开展了系统研究，在电子聚合物分子结构设计与合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能调控机制、气体传感器敏感机理等方面取得了一系列创新性成果，为气敏材料的设计与调控以及传感器性能的改善提供了科学依据，开拓了电子聚合物薄膜气体传感器新领域。发表SCI论文87篇，SCI他引839次，其中在国际化学传感器权威期刊《Sensors and Actuators B》上发表论文16篇，受到了国内外同行的高度评价和认可。本项目
电子科技大学
2021-04-14
一种自支撑 PEDOT-PSS 薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种自支撑 PEDOT-PSS 薄膜，包括质量比为 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度为 1μm～50 μm，方块电阻为 0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为 210S/cm～1827S/cm。 本发明还公开了该 PEDOT-PSS 薄膜的制备方法以及在光电子器件的 电极中的应用。本发明制备所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撑 性能以及导电性能，在光
华中科技大学
2021-04-14
具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池
具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。采用上述结构的太阳电池，避免了化学腐蚀，实现了低电阻接触，可有效提高太阳电池的性能和改善器件的长效稳定性。
四川大学
2016-10-25
多元硫系薄膜太阳能电池关键技术研究
铜铟镓硒CIGS是由铜、铟、镓、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，其对可见光的吸收系数为所有薄膜电池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS电池的光电转化效率是各种薄膜太阳能电池之首(19.9％)，接近于市场主流产品晶体硅太阳能电池转换效率，而成本却是其1/3。与高效率高成本的晶体硅太阳能电池和低效率低成本的非晶硅薄膜太阳能电池相比，CIGS薄膜太阳能电池以其性能稳定、抗辐射能力强、光电转换效率高等优势被国际上称为相当具有潜力和下一代廉价的太阳能电池，已成为光伏领域
南京大学
2021-04-14