执行标准:GB/T 50082-2009，JTG 3420-2020 本品采用2020版最新数字电源支持的稳压稳流技术，集RCM两种方法加电通量法三种试验，各级电压及反馈电流皆具有很高精度，8寸嵌入式Linux工业平板电脑触摸屏操作，试验的同时在线计算扩散系数值，测量精度优于国家标准。

产品详细介绍保温材料试验机|外墙保温材料试验机|墙体节能保温材料试验机|外墙保温材料现场拉拔仪|外墙保温材料检测设备 产品名称：保温材料试验机 型号：WDW 数量：10000 品牌：思达 包装：木箱  价格：电议 公司名称：济南思达测试技术有限公司 一、外墙材料试验机基本配置 设备名称 型号 微机控制保温材料试验机 WDW 数显鼓风干燥箱 101-0A 行星式搅拌机 JJ-5 钢球 0.5Kg-1Kg 氧指数测定仪   试验机筛   拉拔仪   电子天平 200g-0.1g 电动振实台 ZTS-96 标准养护箱 40B 表观密度测定仪   诚模 40×40×160 2组4只（钢制） 外墙保温材料适用标准： JC/T992-2006《墙体保温用膨胀聚乙烯板胶粘剂》 JC/T993-2006《外墙外保温用膨胀聚乙烯板抹面胶浆》 JC/T547-2005《陶瓷地砖胶粘剂》 JG149-2003《膨胀聚苯板薄抹灰外墙外保温系统》 JC890-2001《蒸压加气混凝土用砌筑砂浆与抹面砂浆》 JC/T907-2002《混凝土界面处理剂》 JG158-2004 《胶粉聚苯颗粒外墙外保温系统》 DBJ01-38-2002《外墙外保温施工技术规程 聚合物水泥砂浆胶粘剂》 DBJ/T01-50-2002《外墙外保温施工技术规程 柔性耐水腻子》 二、产品详细介绍 【1】微机控制保温材料试验机  微机控制保温材料试验机主要用途： 微机控制保温材料试验机是专门针对复合砂浆保温系统、聚苯板薄抹灰外墙保温系统、硬质聚氨脂发泡复合板外墙保温系统及其它外墙保温系统及屋面保温材料进行各种理化性能试验测试研制的。 微机控制外墙保温材料主要技术参数： 主要技术参数 WDW-10 WDW-20 WDW-50 WDW-100 最大试验力 10KN 20KN 50KN 100KN 测试范围 最大试验力的2%-100% 试验机精度级别 1级 试验力度准确 优于示值的±1% 位移测量 分辨率为0.01mm 变形准确度 优于±1% 调速范围 1-200mm/min 试验空间 600mm 无极调速 采用直流伺服电机及控制系统 试验空间调整结构 伺服电机，同步带转动 外观 符合国家GB/T2611 试验保护功能 过载保护 安全保护功能 限位过载保护 主机尺寸 720×490×1850 主机形式 门式框架结构 重量 约650Kg 工作环境 室温~45°，湿度20%~80% 【2】现场拉拔仪 主要用途：       现场检测外墙饰面砖、外墙外保温材料、油漆、涂料的粘结强度  功能特点： （1）高精度：最小可测得0.001kN的力值；   （2）高效率：该检测仪的加压方式与传统的加压方式相比，加压速度可提高近10倍，彻底减轻因加压结构不妥而带来的检测疲劳；    （3）采用软件标定，无须拆开压力表，只需将压力加到指定值，轻按一键即可完成，极大地方便用户的标定和使用，是最新的更新换代产品；  （4）采用高效镍-氢充电电池，可反复长久使用。        仪器主机依行业标准《外墙饰面砖工程施工及验收规程》设计，可连续均匀加荷，手动泵与专用千斤顶连为一体，结构紧凑，经久耐用，采用液晶显示粘结力值，自动准确的记录粘结力值并给予峰值保持，该产品采用高效镍-氢充电电池，小巧轻便，总重约3千克，便于现场携带和使用，完全符合《建筑工程饰面砖粘结强度检验标准 JGJ110-97的要求，使用标准块的规格为95mm×45mm×8mm和40mm×40mm×8mm，保温材料标准试块的规格为100mm×100mm×8mm， 在满足合格要求时的最小拉力为0.64kN，最大拉力为2.56kN，针对饰面砖粘结强度低和粘结力小的特点，专将最大拉力设计6.00kN，以确保仪器的检测精度.       该检测仪是原有体积大、结构繁杂、操作不便型检测 仪的理想替代产品，该检测仪已在全国许多施工单位、工程质量检测站（中心）、试 验室、科研院所及监理单位等得到广泛应用，深受广大工程技术人员的欢迎。 三、系统基本配置 微机控制外墙保温材料试验机系统基本配置 1、试验机主机：1套 1.1交流伺服电机：1套 1.2调速器：1套 1.3负荷传感器：1只 1.4精密滚珠丝杠：2套 1.5减速系统：1套 2、思达全数字控制系统：1套 3、光电编码器：1只 4、联想品牌计算机：1台 5、HP品牌喷墨打印机：1台 6、基于Windows操作系统的计算机控制软件：1套 7、随机工具（提供安装、维修、操作所需的专用工具及清单）：1套 8、拉伸附具：1套 9、压缩附具：1套 10、弯曲附具：1套 11、技术资料： 包括：使用说明书 软件使用手册 合格证、装箱单 现场拉拔仪基本配置 1、主机壹台；（含高精度传感检测单元）       2、SW-4B智能数字峰值保持表壹只；   3、传感器连接导线壹根；        4、标准块两组各叁只（95mm×45mm/40mm×40mm）     5、说明书壹本；    6、行业标准规范壹套；   7、铝合金包装箱壹只；  8、充电器壹个 9、合格证和保修卡各壹张 四、售后服务 1.供方为需方免费安装、调试、并为其培训操作人员. 2.设备质量保证期壹年，壹年内出现质量问题供方免费维修.

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。

本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。

一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。