一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法,属于半导体材料 与器件制备领域,解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题,以实现禁带宽度和能带位置的连续可调,得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜,由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源,通过近空间升华法在衬底
华中科技大学
2021-04-14