|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学
2021-04-13
天津大学提出肠病治疗新思路，新型给药系统让肠道微环境更健康
日前，天津大学李楠课题组与捷克共和国孟德尔大学沃伊特·亚当教授开展国际合作，成功设计出一种新型口服给药系统，为纳米药物治疗炎症性肠病提供了全新思路。该研究得到了国家自然科学基金、天津市重大专项基金等资助支持，成果已发表在业内权威期刊《先进材料》。
天津大学
2023-03-09
一种公路及露天环境铺设的光储式电动汽车无线供电系统
本实用新型涉及电动汽车无线充电技术，具体涉及一种公路及露天环境铺设的光储式电动汽车无线 供电系统，包括公路或露天环境的地面，以及电动汽车；还包括至少一个充电系统发射单元和电动车辆 装置接收单元，充电系统发射单元包括依次连接的电源模块、高频逆变模块、压力感应装置、RFID 阅 读器、功率控制电路、功率振荡模块和电磁发射线圈；电动车辆装置接收单元包括依次连接的电磁接收 线圈、RFID 电子标签、整流模块、稳压降压模块和车载电池；高频逆变模块将低压直
武汉大学
2021-04-14
海洋环境污染损害赔偿
研究对我国的海洋污染损害赔偿制度提出的建议对规范企业行为，保证企业行为的合法性、合规性和合理性，增强企业的环保意识和社会责任有十分重要的意义。
中央财经大学
2021-02-01
复杂环境的视觉感知、重建与理解
利用多机器人和多模态视觉传感器有效探索与感知复杂
环境的三维结构，进而理解和分析三维场景。研究从多源异
构的机器人定位与建图等环境感知方面、多模态融合的前景
分割、显著性检测和目标检测等场景分析方面取得突破。
浙江工业大学
2021-05-06
用于多参数复合试验的环境舱
用于多参数复合试验的环境舱,包括密闭的箱体,箱体与一箱盖密封连接,箱体和箱盖均包括由金属制成、以确保箱体刚性的外层和由非金属制成、以保持复合腔内部温度的保温层,箱体的内腔形成与外界独立的环境复合腔;复合腔内部从上到下依次设有:固定于复合腔的上部的噪声发生机构,固定于复合腔的腔壁上的温度控制机构,位于复合腔的内部、并与外界的振动源联动的振动发生机构,和与气泵连接、将气体引入复合腔的内部以形成气压场的入气口以及与真空发生器密封连接的排气口。本发明具有能全面模拟器件的工作环境,试验效果好、精度高的优点。
浙江大学
2021-04-11