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一种快速低能耗制备铝酸三钙的方法
本发明涉及一种快速低能耗制备铝酸三钙的方法,以分析纯四水硝酸钙 Ca(NO3)2·4H2O、分析纯九 水硝酸铝 Al(NO3)3·9H2O 和分析纯一水柠檬酸 C6H8O7·H2O 为原料,加入适量去离子水制成溶液后在 50?65°C搅拌 40?60?min;接着用分析纯浓硝酸 HNO3 和分析纯浓氨水 NH3·H2O 调整溶液的 pH 值为 5?7, 继续搅拌
武汉大学 2021-04-14
有机酸(甲乙丙丁等)水溶液 高效节能分离回收技术
有机酸 (甲、乙、丙、丁、戊、己、庚、辛、壬、癸酸等,及相关二元酸) 是重要的有机化工原料,用途非常广泛。现有的有机酸水溶液分离回收工艺能耗高,回收不彻底,有0.5~3%的废酸进入废液,污染环境。 本技术发现了有机酸水溶液在液相中的缔合作用对分离效率的影响,系统地研究了其影响规律,突破性地解决了这些有机酸水溶液分离回收的高能耗技术难题,开发了一系列高效节能技术。可根据水溶液的浓度和物系及其他组分的组成优化设计最优化的工艺流程,可以是萃取——反萃取、萃取——精馏、萃取精馏、恒沸精馏等不同的工艺过程,通过优化与系统集成,达到高效节能分离回收,回收率高,大幅度减少了三废排放,最大幅度地回收了资源。如PTA系统乙酸水溶液分离体系,与现有的精馏法相比节能60%以上,减少废酸排放95%以上;与恒沸精馏法相比节能40%以上。达到国际先进水平。可应用于化工、材料、环境等领域。
华东理工大学 2021-04-13
有机酸(甲乙丙丁等)水溶液高效节能 分离回收技术
有机酸(甲、乙、丙、丁、戊、己、庚、辛、壬、癸酸等,及相关二元酸)是重要的有机化工原料,用途非常广泛。现有的有机酸水溶液分离回收工艺能耗高,回收不彻底,有0.5~3%的废酸进入废液,污染环境。 本项目开发了一系列高效节能技术。可根据水溶液的浓度和物系其他组分的组成优化设计最优化的工艺流程,采取萃取——反萃取、萃取——精馏、萃取精馏、恒沸精馏等不同的工艺过程,通过优化与系统集成,达到高效节能分离回收,回收率高,大幅度减少了三废排放,最大幅度地回收了资源。如PTA系统乙酸水溶液分离体系,与现有的精馏法相比节能?0%以上,减少废酸排放95%以上;与恒沸精馏法相比节能40%以上。达到国际先进水平。
华东理工大学 2021-04-13
天然脂肪酸表面活性剂的制备与性能
季铵盐是表面活性剂的重要组成部分,具有比传统的表面活性剂更明显的优势,如乳化性能高、增溶性强、生物降解性好,能够大量的运用于矿石浮选、日用化妆品、杀菌、金属缓蚀、纺织等诸多方面。课题开发亚麻油酰胺丙基-PG-二甲基氯化铵、椰油酸双酯季铵盐等表面活性剂的制备新工艺,提高其表面张力、增溶性、乳化性等方面的物理性质,现代许多化学工业生产中不可或缺的添加剂,尤其是对于新型季铵盐表面活性剂的研究意义重大。不同结构的天然脂肪酸表面活性剂具有表面活性剂的水溶性好,使用 pH 范围大,适合用于个人日常的护理清洁用品,在清洗剂中能够与非离子表面活性剂复配成杀菌、消毒清洗剂。 关键技术 表面活性剂的制备技术; 表面活性剂的结构调控与性能。 获得成果 1、论文发表方面:公开发表 SCI 学术论文 30 余篇; 2、专利申请方面:授权中国专利 6 件; 3、基金资助方面:获国家自然科学基金项目 3 项。
江南大学 2021-04-13
双环戊二烯氧乙基甲基丙烯酸酯
双环戊二烯氧乙基甲基丙烯酸酯是一种特殊功能性单体,具有耐水性、耐溶剂性、柔韧性、附着力好等优点,是光固化材料理想的活性稀释剂。可广泛地应用在UV涂料、胶黏剂、油墨,以及树脂的改性等领域。
山东瑞博龙化工科技股份有限公司 2021-09-09
纳米二氧化硅/硼酚醛树脂纳米复合材料的制备方法
本发明属于无机/有机纳米复合材料技术领域,具体涉及一种纳米 SiO2/硼酚醛树 脂纳米复合材料及其制备方法。本发明采用了溶液共混法和超声波辅助分散法相结合, 确保纳米颗粒在复合材料中得到纳米级分散;纳米 SiO2表面经过处理,使纳米 SiO2与基 体树脂硼酚醛树脂之间形成了良好的界面,可以充分发挥出纳米 SiO2、硼酚醛树脂的优 点。本发明的目的在于通过合理的工艺控制,制备出纳米 SiO2含量不同的硼酚醛树脂纳 米复合材料。利用纳米 SiO2的刚性、耐磨性、热化学稳定性和硼改性酚醛树脂的良好的 力学性能、耐热性和耐烧蚀性等优点,制备出的纳米 SiO2/硼酚醛树脂纳米复合材料可 广泛用于高温制动摩擦材料、耐烧蚀材料、特种结构材料、防热材料等众多领域。 
同济大学 2021-04-11
低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO2粉末微球
研发阶段/n本发明涉及一种低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO2粉末微球的一步合成法,其利用乳浊液法控制团聚粉末的形状(球形),利用均匀沉淀法控制一次纳米颗粒的大小、团聚和粒径分布,利用共沉淀法控制团聚粉末的成分与结构的均匀性,从而一步合成复合纳米ZrO2(CaO,MgO)软团聚粉末微球,将制粉和造粒过程一步完成。本发明涉及的方法可以有效解决低温无压烧结制备纳米陶瓷这一难题,大大加快纳米ZrO2陶瓷的实用化进程。
湖北工业大学 2021-01-12
一种适用于纳米材料操控的多自由度纳米操作台
本发明公开了一种适用于纳米材料操控的多自由度纳米操作台,包括底座、Z 向位移台、XY 向位移台和纳米操作臂,其中 Z 向位移台沿着竖直方向设置在底座上,包括彼此连接的固定部件和安装有 Z 向直线驱动电机的移动部件;XY 向位移台沿着水平方向设置在 Z 向位移台的移动部件上,并包括彼此并联滑动连接的第一至第三并联部件,其中第一并联部件上安装有 Y 向直线驱动电机,第二并联部件上安装有 X 向直线驱动电机,第三并联部件上安装有旋转运动驱动电机和纳米操作臂。本发明通过对驱动电机与位移台的高精度控制以及主要
华中科技大学 2021-04-14
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤:清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜,得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向:半导体发光与显示领域技术创新:本发明具有如下的有益效果:器件结构简单,无污染,制备成本低;不需要荧光粉,发光效率高;发光性能稳定,光谱波长范围宽。
江苏师范大学 2021-04-11
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