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锡酸锑纳米线复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
纳米氧化锡锑水性浆料的制备方法
本发明公开了一种纳米氧化锡锑水性浆料的制备方法，包括如下步骤：1）将纳米氧化锡锑粉体和去离子水经磁力搅拌，配成纳米氧化锡锑粉体的质量含量为5%～10%的ATO粉体悬浮液；在ATO粉体悬浮液中加入硅烷偶联剂，并滴加醋酸至pH为3.5～5.5，然后磁力搅拌1～2小时；2）在步骤1）所得的悬浮液中加入分散剂磁力搅拌1～2小时，然后调节粘度为70～90Pa.S，再磁力搅拌10～30分钟；接着在高速剪切分散机下分散0.5～1小时，最后再超声分散0.5～1小时，得到纳米氧化锡锑水性浆料。采用本发明方法制备而得的纳米氧化锡锑（ATO）水性浆料具有分散性好、稳定性强等特点。
浙江大学
2021-04-11
铌酸锑纳米棒复合生物滤料
（专利号：ZL 201510339003.2） 简介：本发明公开了一种铌酸锑纳米棒复合生物滤料，属于污水处理技术领域。该铌酸锑纳米棒复合生物滤料的质量百分比组成如下：铌酸锑纳米棒35-50％、碳酸铵9-18％、锗酸镧纳米片8-16％、硅酸钠2-7％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.5-2％、水20-35％。本发明制备出的铌酸锑纳米棒复合生物滤料表面粗糙，具有耐水性能优良、热稳定性好、孔隙率高、比表面积大、吸附能力强和可重复使用等特点，有利于滤料表面微生物膜的形成与生长，在污水处理领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
镍酸铋纳米线多功能涂料
（专利号：ZL 201510055852.5） 简介：本发明公开了一种镍酸铋纳米线多功能涂料，属于涂料技术领域。该涂料的质量百分比组成如下：镍酸铋纳米线21‑38％、纳米硅酸钙6‑14％、水性氟碳乳液11‑21％、苯乙烯丙烯酸酯共聚合物乳液4‑9％、丙二醇甲醚醋酸酯3‑8％、羟基硅油乳液4‑8％、水17‑33％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠1‑3％、聚酰胺蜡0.5‑2％、有机膨润土0.3‑1％、二甲基亚砜0.3‑1％、聚丙烯酰胺0.05‑0.2
安徽工业大学
2021-01-12
一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
华中科技大学
2021-04-11
一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65-80%、聚乙二醇10-15%、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5%、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%，锡酸锶纳米棒的直径为80 nm、长度为1-2 μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
一种铝酸钕纳米线多功能复合涂料
（专利号：ZL 201510056460.0） 简介：本发明公开了一种铝酸钕纳米线多功能复合涂料，属于化工技术领域。该多功能复合涂料的质量百分比组成如下：铝酸钕纳米线22‑40％、纳米硅酸镁6‑16％、丙烯酸酯共聚乳液15‑30％、丙二醇丁醚3‑8％、羟基硅油乳液6‑10％、水18‑32％、烷基聚氧乙烯醚1‑3％、羧甲基纤维素0.2‑1％、己烯基双硬脂酰胺0.1‑1％、聚醚0.05‑0.2％、乙二醇丁醚0.5‑3％、聚醚改性硅氧烷0.1‑
安徽工业大学
2021-01-12
锡纳米晶为模板合成具有带隙可调的锡锗合金纳米材料
通过精细调控Ge2+离子前驱体溶液与已制备的锡纳米颗粒反应，合成带隙可调的半导体锡锗合金纳米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的锡纳米晶模板可以大大降低反应的成核、结晶和生长的反应能垒。与以前报道的反应温度（约300 ℃）相比，课题组的方法可以在较低的温度下（60-180 ℃）得到锡锗合金纳米晶。课题组深入阐明了从锡到锡锗合金纳米晶的相变机理，清晰揭示了从不均匀核壳结构到均匀合金结构的演变过程。
南方科技大学
2021-04-13
银纳米线导电材料和技术
本团队经过近两年的科研努力，成功研发了高品质银纳米线材料。该方法具有简单、快速、高产率、低成本等突出优点，所制备银纳米线具有超细的优点（30nm），基于该银纳米线制备的柔性膜具有高导电性，高透明性、低雾度等特点，在银纳米线技术领域具备国际竞争力。此外，相比于其它已报道路线的合成方法，该方法具有合成步骤简单、反应条件温和、提纯方法简易、无污染、产率高等突出优势，为银纳米线进入市场提供了必要的技术支撑。拥有的自主知识产权情况：刘举庆，黄维，刘洋，一种快速高效的超细银纳米线制备方法.
南京工业大学
2021-04-13
新型多门控超导纳米线逻辑器件
为了追求极限性能，越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如，在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中，通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件，从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统，信号读取与处理通常采用两种方式：第一种是采用超导数字电路SFQ（单磁通量子技术）来实现高性能计算和处理；第二种是将信号传送至几十K的温区，再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而，不论采用何种技术路径，数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内，从而保持极低温的工作环境，维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大，低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约，急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门；(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题，南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队，赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建经典二进制数字编码器；在1.6K的温度下，成功实现数字信息编码，总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时，他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出，为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路，经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革，其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求，也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术，开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件，利用局部超导相变，实现高速低功耗的开关逻辑。
南京大学
2021-04-11