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华东师范大学科学家在三维拓扑体系中观测到一维外尔费米子
近日，华东师大精密光谱科学与技术国家重点实验室袁翔课题组在三维拓扑绝缘体HfTe5中观测到一维外尔费米子。
华东师范大学
2022-10-11
基于聚焦离子束－扫描电子显微镜双束的材料微纳结构精确三维重构技术
基于聚焦离子束－扫描电子显微镜双束(FIB-SEM)的切割－扫描操作, 能够使材料的微纳结构在三维空间的精确重构得以实现。经过多年经验的积累，已开发出一套针对拥有复杂微纳结构的金属陶瓷复合材料进行三维重构的技术解决方案。该技术在固体氧化物燃料电池领域，为固体多孔电极材料的微纳尺度精确定量分析提供了有力的技术支持。作为本领域的知名专家,美国西北工业大学的 Scott A. Barnett 教授曾在国际 SOFC 领域规模最大的年会 International Symposium on SOFC 中重
哈尔滨工业大学
2021-04-14
中国高等教育学会关于召开第三届数字时代创新创业教育研讨会的通知
党的二十大擘画了中国式现代化的伟大蓝图，正式宣告我国已进入创新型国家的行列。作为中国式教育现代化的有机组成，创新创业教育现代化是联结“科技、教育和人才”的核心枢纽。加快实现创新创业教育现代化不仅是实现中国式教育现代化的自身之需，更是通往中国式现代化的必由之路。
中国高等教育学会
2023-09-22
一种3-烷基-3-芳基-4,4,4-三氟-1-丁炔化合物及其制备方法
本发明公开了一种3‑烷基‑3‑芳基‑4，4，4‑三氟‑1‑丁炔化合物及其制备方法。3‑烷基‑3‑芳基‑4，4，4‑三氟‑1‑丁炔化合物的合成采用α‑三氟甲基苯乙烯类化合物为起始原料，经可见光催化的烷基烯丙基化反应可得4‑烷基‑4‑芳基‑5，5，5‑三氟‑1‑戊烯化合物，再经氧化得到3‑烷基‑3‑芳基‑4，4,4‑三氟丁醛化合物，最后经溴代、消除反应可得3‑烷基‑3‑芳基‑4，4，4‑三氟‑1‑丁炔化合物。本发明提供的3‑烷基‑3‑芳基‑4，4，4‑三氟‑1‑丁炔化合物可用作含相应结构单元的合成砌块，快速在药物分子中引入4，4，4‑三氟‑1‑丁炔结构单元。
南京工业大学
2021-01-12
Aigtek西安安泰电子 ATG-2000系列功率信号源 可输出正弦波、方波、三角波、脉冲波
西安安泰电子科技有限公司
2022-06-01
华中农业大学文法学院实验室计算机更新采购项目（二次）竞争性磋商公告
华中农业大学文法学院实验室计算机更新采购项目（二次）竞争性磋商
华中农业大学
2022-06-23
2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划” 第二组双走访活动圆满成功
为提升高校人才培养质量，推动教育与产业统筹融合，进一步推选2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作双百计划”（以下简称“双百计划”）典型案例，中国高等教育学会于2022年3月19日开展了“双百计划”第二组双走访活动。本场双走访采用线上走访形式。
中国高等教育博览会
2022-03-24
【成电重研院】第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆举办
4月9日，以“芯”成果·新生态|集成电路产业发展现状及趋势”为主题的第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆召开。论坛由中国科协和重庆市人民政府指导，中国高等教育学会、中国科协科学技术创新部、重庆市教育委员会、重庆市科技局、中国科学技术出版社共同主办，电子科技大学承办，电子科技大学重庆微电子产业技术研究院、成都市电子学会协办。
云上高博会
2023-04-11
西北农林科技大学化药学院常明欣教授团队在合成手性二氢喹喔啉酮方面取得新进展
该研究利用二胺作为不对称还原胺化的胺源，与酮酯在手性铑催化剂作用下高效合成手性3,4-二氢喹喔啉酮。
西北农林科技大学
2022-10-13
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-05