本发明公开一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。该同质结型感存算集成器件包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。

本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。

本发明提出一种结合抑爆及阻爆的多级联动泄爆测试装置及方法，属于氢气泄爆、阻爆和抑爆技术领域，包括爆炸容器、配气系统、纹影系统、火焰拍摄系统、同步控制器、程序控制与数据采集系统、传感器系统、高压喷雾系统、和自由基分布演化组件；爆炸容器上设有透明的泄爆管，泄爆管上安装有爆破片，爆炸容器和泄爆管组成整体A；泄爆管上安装有透明的阻火器；爆炸容器中安装有点火器；爆炸容器和泄爆管上分别安装有第一抑爆装置和第二抑爆装置；火焰拍摄系统包括第二高速摄像机和高速红外热成像仪。本装置及方法既能降低装置内爆炸超压，又能实现爆炸火焰的有效阻隔，给真实的情况提供数据参照，还能探究爆炸容器内OH<supgt;+</supgt;等自由基的动态演化。

锂离子（或铅酸）动力电池在大电流充电过程中存在着发热、充电速率低等问题。成果提供的充电方法可提高充电速率50%以上，减小了电池发热，延长了电池循环寿命。在整体上分为多个不同等级的恒流充电段，每个充电段由多个幅值逐渐减小的等效正负脉冲组成，在负脉冲阶段电池进行短暂放电还原以减小发热，且可以将放电电能存储到馈能电容中，在正脉冲到来时重新加以利用，且正脉冲幅值很高，既提高了充电速率又提高了电能的利用率。随着新能源发电储能及新能源汽车的发展，锂离子（或铅酸）动力电池的用量每年达千亿只以上，且每年以30%的速度增长，市场迫切需求一种大电流快速充电而不损害电池寿命的新的充电系统及方法，而本发明可以提升充电速率50%以上，可以有效延长电池寿命，每年创造产值可高达数亿元以上，这对于节能环保、发展低碳经济有着重要的意义，应用前景十分广阔。

本发明公开了一种锂电池分数阶变阶等效电路模型及其辨识方法,包括运行时间电路及电池IV特性电路,电池IV特性电路中的电容采用变阶的分数阶电容.本发明将二阶RC电路模型推广到非整数阶,并基于最小二乘法辨识不同SOC处的模型参数和分数阶阶数,从而获得一个根据SOC变阶的分数阶等效电路模型.分数阶的引入实现了模型阶数的连续变化,使得模型更加稳定,动态性能更优,精度更高;分数阶的变阶实现了模型更多的自由度,更大的柔性和新意.由于未增加RC网络的个数,本发明的分数阶模型有效解决了模型准确性和实用性之间的矛盾,适用于电池的各种工况,具有较高的实用价值,为SOC的精确估计提供了一个精确且易实现的电池模型。

本实用新型公开了一种变坡式壤中流三维立体模拟监测径流试验槽，包括底座，所述的底座上依次设置前活动支撑杆、径流槽固定支撑杆和调节坡度螺旋支撑杆，所述的前活动支撑杆、径流槽固定支撑杆和调节坡度螺旋支撑杆上设置一组径流槽。本实用新型既可以监测不同深度壤中流的流速，还能够监测不同深度壤中流的流量。径流槽侧身的流速监测孔和径流槽前端的流量监测出水口能够监测从示踪剂管投放的示踪剂随壤中流的到达位置，进而能够计算出壤中流的流速与径流量，从而能够实现壤中流的三维立体监测。

产品详细介绍产品描述： JSZ6S连续变倍体视显微镜◆JSZ6S连续变倍体视显微镜具备无比清晰的图像质量，　超宽的视觉效果，是您的最佳选择。◆高性能、高品质，同时又有着很高的性价比。◆产品长期的质量保证－采用“五防”设计，防尘、防油、防水污染、防霉、防静电，可根据不同用户的使用环境及条件特殊定制。◆可广泛用于高校和研究所在自然科学方面的培训和教育；医疗机构的日常检查；生物工程和科学研究；工业上的装配、测试、以及品质控制，尤其是IT产业的检测。总放大倍数与线视场  更多详情请点击：http://www.nuoxu-v.cn/2jie_LJ/ts/JSZ6S.htm

YXPHM系列模块是面向高校实验室、科研院所以及成品电力电子制造厂商的系列功率拓扑模块。具备稳定的可靠性和良好的扩展性，种类丰富，囊括了现今主流的电力电子拓扑结构。外壳采用透明的亚克力板材，美观实用，用户可以方便观察内部的硬件结构，简洁的输入输出设计，减去用户对模块中间环节的困扰，让用户更专注的投入到核心研发中。 YXPHM系列采用基于模型设计的理念，脱胎于研旭成熟产品光伏并网逆变器与风机变流器等成熟产品，又结合了研旭多年的模块化组件与开放式平台研发经验，对该拓扑结构与驱动电路、传感器电路、信号处理电路进一步集成，同时提供实际控制器接口、快速原型控制器结构与实际控制器模块，为用户提供性价比更好的模块化产品。

项目简介 本项目涉及新型喷动床粮食干燥设备领域，主要用于粮食干燥。采用一种去除启动 阻力即去阻和灵活调节导喷距即调距的喷动床结构，独立设计喷动床环隙区粮食的补风 结构，融合旋转导向管喷动床直径放大结构，提供一种具有新的干燥特性和操作能力的 批式粮食喷动床干燥装置。整个装置相对于现有的喷动床干燥设备，表现出了整体综合 创新后具有了新的干燥性能、操作性能和放大能力的优点。本发明装置适用于大麦、小 麦、水稻、大豆和玉米的批式干燥。成果已取得发明专利授权，发明

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。