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变
斑激光熔覆装置
本发明公开了一种变斑激光熔覆装置,包括可调变光斑镜组和 可调变粉斑激光喷头;其可调变光斑镜组包括自适应反射镜和聚焦镜; 其中自适应反射镜可以连续改变表面曲率从而改变输出光斑大小,可 调变粉斑激光喷头则用于配合自适应反射镜输出的光斑大小以不同半 径的输出管道进行粉末输送,从而实现可调变斑熔覆;本发明提供的 这种变斑激光熔覆装置结构简单,操作方便,光斑变化范围大,调节 精度高,响应快,能够输出不同大小的粉斑,光粉耦合效率
华中科技大学
2021-04-14
变
脉宽激励的脉冲涡流检测方法
本发明公开了一种变脉宽激励的脉冲涡流检测方法。该方法包括如下步骤:(1)将脉冲涡流传感器置于被测试件上;(2)设置当前激励脉宽 PW<sub>cur</sub>=t<sub>0</sub>;(3)获取检测信号,测量 时 间 区 间 为 [0,t] ;( 4 ) 计 算 检 测 信 号 在 时 间 区 间[t<sub>1</sub>,t<sub>2</sub>]上的积分 IN<sub&g
华中科技大学
2021-04-14
变
移上皮组织模型XM-838
XM-838变移上皮组织模型 XM-838变移上皮组织模型显示变移上皮组织结构,共由2部件构成,基底部的一层细胞呈低柱状,中间数层细胞呈侧梨形,表面的一层细胞体积最大,呈立方形,一个细胞可盖住下层数个细胞,故称盖细胞,分别示膀胱空虚时和充盈扩张时结构状态。 尺寸:放大,32×22×9cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-838
变
移上皮组织模型
XM-838变移上皮组织模型 XM-838变移上皮组织模型显示变移上皮组织结构,共由2部件构成,基底部的一层细胞呈低柱状,中间数层细胞呈侧梨形,表面的一层细胞体积最大,呈立方形,一个细胞可盖住下层数个细胞,故称盖细胞,分别示膀胱空虚时和充盈扩张时结构状态。 尺寸:放大,32×22×9cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
多阵列忆
阻
器存算一体系统
随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起,数据量呈现爆炸式增长,传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时,摩尔定律逐渐放缓,单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限,通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构,将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统,实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的,存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输,在面向大数据分析等应用场景中,这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一:数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率,且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构,其直接利用阻变器件进行数据存储与处理,通过将器件组织成为交叉阵列形式,实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销,消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题,可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算,未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新,解决了系统精度损失等被广泛关注的难题: 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料,提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论,提出了引入热增强层的新原理器件结构,成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法,提出“差分电阻”设计思想,采取源线电流镜限流设计,抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法,仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重,即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”,开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化(EDA)工具,打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊,以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项,其中30项已获得授权,知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统,集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路,以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器(GPU)高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片,在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍,能效有近千倍的优势。
清华大学
2021-02-01
多阵列忆
阻
器存算一体系统
项目成果/简介:随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起,数据量呈现爆炸式增长,传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时,摩尔定律逐渐放缓,单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限,通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构,将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统,实现计算能力的飞跃。
清华大学
2021-01-12
体积排
阻
色谱联用型有机氮检测器
现有的有机氮测定方法主要基于差减法,存在多方面测定的累加误差,结果难免不够精确和可靠。本发明技术是一种体积排阻色谱联用型氮检测器及应用,其对有机氮的检测原理在于通过体积排阻色谱柱实现有机氮和无机氮的分离,然后通过石英螺旋管结合紫外氧化的方式将有机氮转变为硝态氮,通过紫外检测器检查硝态氮在220nm的紫外吸收,实现定量分析。
南京大学
2021-04-14
井间并行电阻率
阻
率CT测试方法
本发明公开了一种井间并行电阻率 CT 测试方法,是对钻孔间地质条件及构造特征进行探查的一种物探技术。通过在两两钻井之间布置测试系统,形成 64 个电极的井间测线,采用并行电法数据采集技术进行单极或偶极供电与测试,获得井间电性采集数据,形成井间不同电极间层析数据体。通过井间电阻率层析成像技术实现对测试区域电阻率及激电参数成像,进一步评价其岩层及构造特征状况,获得地质解释成果及认识。该套测试系统可完成 1200m 深井的数据采集。
安徽理工大学
2021-04-13
功率MOS
器件
设计和制备技术
功率DMOS是一类重要的新型功率器件,具控制电路简单、开关频率高、可靠性好等优点,因此广泛应用于开关电源、汽车电子、DC/DC转换等领域,市场需求巨大,目前在功率分立器件领域占据了最大的市场份额。本团队在功率DMOS器件的研究方面有丰富的技术积累,开展了大量前沿性研究和产业化研究,目前本团队在功率DMOS领域累计授权发明专利超过50项,能够量产的产品型号近百种。
电子科技大学
2021-04-10
毫米波新基片结构
器件
2016国家自然科学奖二等奖,基片集成类导波结构是近十几年来微波毫米波学界发展起来的一种新型高性能平面导波结构。基片集成类导波结构具有极低的电磁泄露和互扰,其品质因素和功率容量远高于传统平面传输线。国内外数百所大学和研究机构都对其开展了大量研究,它也成为微波毫米波领域最受关注的研究分支之一。 项目组作为国际上该领域的主要贡献者之一,以基片集成类导波结构的工作机理与创新应用为主线,对这类结构及器件的传输特性、损耗机理等基础科学问题进行了深入研究,提出了半模基片集成波导等多种新型平面导波结构,发展了相应的设计方法,并发明了一系列新型高性能微波毫米波器件,部分器件已得到实际应用。
东南大学
2021-04-11
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