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高强度高韧性氧化锆基陶瓷及其制备方法
本技术解决了现有常压烧结技术中制备氧化锆基陶瓷韧性较低以及湿法成型时高浓度、低粘度浆料制备困难的问题。将氢氧化铝包覆在纳米氧化锆(含4.37～6.04％氧化钇)粉体表面，热处理组合成氧化锆-氧化铝复合微粉(微粉中四方相氧化锆含量占氧化锆总量的70-90％)。以该复合微粉、丙烯酰胺、交联剂和分散剂为原料，通过注凝成型制备生坯，在常压烧结条件下制备本发明
南京工业大学
2021-01-12
造纸碱回收苛化白泥渣生产陶瓷滤料技术
造纸碱回收苛化白泥渣的主要成分是碳酸钙，呈粉状、细度大，煅烧时粉尘污染严重。将白泥渣加入合适的添加剂，成球固化后自然养护再进行煅烧，使碳酸钙充分分解，二氧化碳气体不断逸出形成气孔的同时也减轻了滤料的质量，滤料密度减小、比表面积增大。原料属于钙硅铝体系，在煅烧过程中先生成钙铝黄长石，温度升高钙铝黄长石作为中间产物生成钙长石，这些矿物相的生成保证了滤料的强度。 性能指标： 堆积密度在0.7-0.9 g/cm3；表观密度1.2-1.8 g/cm
南京理工大学
2021-04-14
高强度高韧性氧化锆基陶瓷及其制备方法
本研究开发了一种高强度高韧性陶瓷及其制备方法。解决了现有常压烧结技术中制备氧化锆基陶瓷韧性较低以及湿法成型时高浓度、低粘度浆料制备困难的问题。将氢氧化铝包覆在纳米氧化锆(含4.37～6.04％氧化钇)粉体表面，热处理组合成氧化锆-氧化铝复合微粉(微粉中四方相氧化锆含量占氧化锆总量的70-90％)。以该复合微粉、丙烯酰胺、交联剂和分散剂为原料，通过注凝成型制备生坯，在常压烧结条件下制备本发明的陶瓷，强度为700～1000MPa，韧性达15～17MPa·m1/2。本发明以氧化铝对纳米氧化锆粉体的包覆和有
南京工业大学
2021-04-14
一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。用化学通 式(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2-uH3BO3-wZBG 表示所述陶瓷材料的组 成，其中，(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2 为基体陶瓷粉体，ZnO、MnO2 和 TiO2 的摩尔比为(1-x-y):x:y，u 为 H3BO3 占所述陶瓷材料的质量百 分比，ZBG 表示锌硼玻璃，w 为锌硼玻璃占所述陶瓷材料的质量百分 比，0<、x≤0.75，0&
华中科技大学
2021-04-14
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将
华中科技大学
2021-04-14
中央台、边台专用碟形陶瓷台面（一体成型）
陶克板类型：中央台、边台专用碟形台面（一体成型）
产品名称： 中央台、边台专用碟形台面
产品型号： TOOK D06
适用范围：中央台、边台、仪器台等
釉面色泽：多色可选
主要成分及优势：
1.8m长碟形陶瓷台面，极大提高了台面用材率，从源头节约资源成本。
一体成型阻水边（非加工粘贴而成），有效避免了试剂不慎外溢到实验员身上或地面造成伤害的问题。
由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。
如何判断优质陶瓷台面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。
烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。）
耐污染指标：是否符合国家检测标准。
辐射限量指数：是否低于国家限量标准。
陶克基业（北京）科技有限公司
2022-04-18
基于5G通信控制的智能喷雾机器人
1.开发背景
随着去年新型冠状病毒的爆发，全国各地各个场所的消毒任务显得尤为必要，现在在医院等场所，依旧是采用背负式喷雾机进行喷雾消毒，人力消耗大、效率慢且很辛苦，因此需要解决喷雾的效率问题。
2.开发思路
立式双筒喷雾机器人，包括底座，固定支架，两个喷雾设备，中间装有双目摄像头，底座上分离式安装有立体式水箱，水箱顶部周边的支架上固定安装有水泵，电气箱。应用了5G通信技术进行硬件设计、网络传输，应用QT实现遥控界面的开发，通过机器人上方的高清摄像头采集到的视频，然后转换、压缩反馈到遥控界面，由反馈得到的视频信息，通过遥控远程控制机器人的驱动、喷雾等功能。
3.主要创新点
（1）立式机器人创新结构设计
（2）基于双目测距的智能喷雾设计
（3）基于5G通信模块的远程操控
4.市场应用
（1）江苏淮安宾馆有限公司
（2）江苏臻隆生态农业科技有限公司
淮阴工学院
2021-05-11
面向5G前传的高速半导体激光器
5G新基建是国家的重要发展战略，宽温高可靠的25Gb/s DFB(分布反馈)激光器芯片是5G光传输核心光芯片，也是当前5G建设的卡脖子问题之一。自主可控的5G光模块DFB激光器芯片对解决光通信“空芯化”问题，推进“中国芯”国家重大战略实施，保障我国通信基础设施安全具有重要的经济和社会效益。因DFB激光器的微分增益随温度上升迅速下降，常规的DFB激光器面临严重的高温高带宽瓶颈。面对5G应用要求的-40~85℃的宽温应用场景，常规DFB激光器芯片往往是超频运行，严重影响可靠性。因此，研制全国产宽温25Gb/s DFB激光器芯片，同时兼顾低成本高可靠需求对推进“中国芯”国家重大战略实施具有重要意义。
本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测宽温25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于0.5%，具有高可靠性。
图1（a）常规DFB激光器芯片截面图（b）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片截面图（c）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片概图（d）（e）（f）分别为常规芯片、沟脊距为2μm、沟脊距为6μm SEM图
图2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应曲线对比（d）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应带宽对比，带宽可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼图（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背传输及10km传输误码率曲线
图3（a）（b）25℃和85℃下常规芯片与沟中沟脊芯片2000小时老化实验结果，功率变化小于0.5%
华中科技大学
2022-10-11
中国科大在6G滤波器领域取得重要进展
中国科学技术大学微电子学院左成杰教授研究团队在铌酸锂（LiNbO3）压电薄膜上设计并实现了Q值超过100000的高频（6.5 GHz）微机电系统（MEMS）谐振器，与文献中现有的工作相比，把Q值提升了2个数量级。
中国科学技术大学
2022-06-02
50G 波特率 DFB 半导体激光器
项目背景：DFB 半导体激光器是光通信领域中最为重要 的器件之一，目前已经有工业级温度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大规模量产。但是，从 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 带宽在全世界范围内几乎没有明显提高，传统的基于 载流子和光子响应的 DFB 激光器在传统的制造工艺下已经趋 近其速率的物理极限，需要用新的物理本质来实现更高速率 的器件，从而进一步提升 DFB 芯片的调制速率和整个光通信 应用的传输速率。本项目研发的 50G 波特率 DFB 半导体激光 器将达到国际领先水平，填补国内空白，打破国外垄断本项 目的实施，应对美国对中国高端材料和芯片的禁售风险。该 产品可在光通信系统中应用广泛，可以承担接入网、数据中 心网络、无线网络、传输网络等多个方面的主力传输工作。
所需技术需求简要描述：本项目期望突破当前 DFB 调制 速率的瓶颈，在目前大规模量产的 25G 波特率 DFB 的基础上， 将速度翻一番，到达 50G 波特率。（1） 两个背靠背 DFB 激 光器产生的光子-光子谐振效应（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷载体设计。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷载体的测试
对技术提供方的要求:1．光电子器件设计领域国际知名 专家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本设计。2．完善的 DFB 器件基础知识和模拟能力。3．国内 985 高校教授，技术方案成熟可靠稳定有创新思维，不涉及知识产权侵犯。
青岛海信宽带多媒体技术有限公司
2021-09-13