|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
数模混合集成电路、射频集成电路、SoC 系统集成等 技术
项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。
南开大学
2021-04-11
超高速光通信集成电路与系统、射频集成电路与系统以及数模混合集成电路
1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陈莹梅教授团队于2015年至2020年期间，共承接华为技术有限公司、海思光电子有限公司等多家企业的横向合作项目9项，其中10G线性均衡器芯片已在海思商用，高速以太电口模拟器已在华为量产，24路总传输速率1.344Tb/s的数控可调衰减器芯片正在华为量产准备中。
东南大学
2021-04-13
集成电路测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点，用户可以根据需要，自己编写测试程序，完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路测试仪
成果简介： 集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点，用户可以根据需要，自己编写测试程序，完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2017-10-23
碳基CMOS集成电路技术
发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。
北京大学
2021-02-22
压印法集成电路光刻技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
集成电路与微显示技术
集成电路设计 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。 我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建
南开大学
2021-04-14
集成电路制造工艺虚拟仿真
集成电路制造工艺虚拟仿真是模拟实际工厂，对集成电路产业的晶圆制造、芯片制造和封装制造工艺，与真实生产操作环境和工艺环境下的虚拟现实仿真。
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
2021-12-16
用于集成电路的静电放电触发电路
本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路，通过在电路中设置由 NOMS 晶体管和 PMOS 晶体管组成的反相器、 BigFET 晶体管、低阈值电压 NMOS 晶体管使电路实现释放静电放电电流（ ESD ）的功能，且在电路中采用 NMOS 晶体管代替传统的电容器，在能够有效的释放静电放电（ ESD ）电流的同时，避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值 MOS 管，使 BigFET 栅上的电荷快速泄放干净，没有漏电产生。
辽宁大学
2021-04-11