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合金石墨-高压水热反应釜
主要技术指标
（1）．工作温度：≤500℃
（2）．工作压力：≤20MPa（表压）
（3）、规格；25、50、100、200、500、800ml。另可根据用户需求定做。
（4）.操作方法
1、高压水热合成反应釜用全不锈钢材料，外壳材质为304材质。
2、高压水热合成反应釜使用温度在500度以下，500度以下；工作压力≤20MPa
3、高压水热合成反应釜采用硬密封的原理，不会泄漏。
4、高压水热合成反应釜使用时将法兰上的螺栓松开，溶液杯取出溶液装入杯中，然后放在釜体内，将上盖密封槽与杯体上密封球面装在一起，注意：把紧螺栓时要对立面把紧，用力要均匀。不要一次性将任何一个螺栓把紧，当对立面螺栓均匀用力把紧时，再用力将所有螺栓对面把紧，方可进行操作升温。
5、高压水热合成反应釜当温度达到要求时，准备取出溶液杯将螺栓对立面均匀松开，不允许一次性将任何一个螺栓全松开，那样会损伤上盖密封槽和杯体上端密封面。
6、高压水热合成反应釜注意保护杯体上端密封球面，不能有磕、碰伤，或其它污物。
7、高压水热合成反应釜使用时注意清理上盖密封槽内的杂物，不能有污物和杂质，如不清理干净使用时会泄漏。
8、高压水热合成反应釜上盖外端中心带有密封丝堵，它是用来检验溶液杯密封进气试压接口。日常或使用过程中，不要将它打开，防止泄漏。
9、高压水热合成反应釜在使用过程中，如有泄漏现象返厂修复。
有下列情形的，不在保修范围。
（1）釜体磕、碰变形或严重损伤。
（2）溶液杯体上端密封球面有磕、碰伤痕
（3）釜体上盖密封槽有磕、碰划伤等。
巩义市城区众合仪器供应站
2025-04-27
纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化制备法
一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。
四川大学
2021-04-11
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
项目成果/简介: 本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。 应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。 全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机知识产权类型:发明专利技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
华南理工大学
2021-04-10
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。
应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
华南理工大学
2021-05-11
一种各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法
各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法：（1）完全氢歧化或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉的制备；(２)压坯的制备，将步骤（１）制备的完全氢歧化Nd-Fe-B磁粉或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉装入模具中，在惰性气体保护下于室温对磁粉施压，当磁粉所受的压强从0?MPa增加至100MPa?～600MPa后停止施压；?(３)??热压变形-脱氢重组，将压坯在真空条件下升温至680℃～850℃，然后在该温度和氢分压PH2为0Pa?＜PH2?≤?1kPa的条件下，对所述Nd-Fe-B压坯施加恒定压力进行热压变形-脱氢重组，所施压力值以Nd-Fe-B氢歧化物压坯在热变形-脱氢重组过程中承受的压强在30MPa?~1.5MPa之间变化为限，保温保压时间为5～120分钟。本发明所述各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，可提高各向异性钕铁硼磁体的性能，并降低能耗。
四川大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
铁矿粉颗粒表面铁晶须形成与生长机制研究
采用试验检测与理论分析相结合、宏观测试与微观结构分析相结合气固还原反应基本原理与分子动力学模拟相结合的方法，研究了气固还原过程中的铁氧化物颗粒表面铁晶须的形成、生长形态；研究还原气体组成、温度、脉石成分或添加剂、表面改质预处理等对颗粒表面新生铁晶须生长状态、生长速度的影响和作用机理，重点探明铁矿粉颗粒表面铁晶须的形成、长大的机理，以及铁矿粉颗粒间铁颗粒间的粘结、桥接方式和相互作用规律；为揭示流态化还原中铁矿粉粘结失流问题及其控制奠定理论基础和参考依
重庆大学
2021-04-14
高光溢出效果半导体纳米晶器件微结构的构筑
本成果以原有的直写型3D打印技术为基础，通过对于现有3D打印技术的进一步开发，实现简便，高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑，进一步提升器件的光溢出效率。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
成果源于国家自然科学基金“异价掺杂量子点的合成、聚合物基复合块体3D打印制造与性能研究”，项目编号51872030。本成果以原有的直写型3D打印技术为基础，通过对于现有3D打印技术的进一步开发，实现简便，高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑，进一步提升器件的光溢出效率。传统发光器件由于器件材料的折射率高于空气，光从器件内部向空气传播时，部分光会在器件的内表面发生全反射，从而无法实现高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上报道的块体荧光器件内部发出的光大量的在器件边缘聚集（75%），正面与背面光溢出量的总和仅仅为25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件内部微结构构筑为基础，通过微结构在器件内部的全反射界面构筑，改变光在材料内部的传输路径，实现器件正面的光溢出效果增强。
本专利的高光溢出效果可以广泛的应用于激光器、LED照明领域，提升能源利用效率。目前本专利可以将块体材料单侧约为~25%的溢出效率提升至~80%，约为3.2倍的提升。保守估计将此技术用于实际器件中，可以实现2倍以上的提升，这就意味着对于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明约占全球能源消耗的15%-19%，全球温室气体排放的5%-6%。据统计2021年，全球照明市场总市值达到8089亿元。照明技术是任何一个国家与地区都不可或缺的，高效的照明技术不仅可以为解决全球的能源危机提供有效解决途径，同时为减少碳排放作出巨大贡献，产生巨大的经济效益。
北京理工大学
2022-08-17