中国是凹凸棒石粘土矿的资源大国，但是由于成矿条件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在着一定的矿物学局限性。比如气候条件、地质环境与矿床成分的不同，都会影响凹凸棒石粘土的形成、晶体发育、元素组成等，所以，含量较高、单晶体发育良好的矿床很少，极大部分的天然凹凸棒石粘土矿物中凹凸棒石粘土的含量都低于50%，通常，在凹凸棒石粘土矿物开采之后，都要对其进行提纯处理，将其中的伴生矿物与之分离，同时，在提纯过程中减小矿物粒径，提高分散性，使包含于凹凸棒石粘土聚集体中以及晶体束中间的杂质去除，获得均匀、完整的凹凸棒石粘土粒子，以便进行工业化的应用或是进一步的纯化与改性处理。 成果亮点 针对凹凸棒石矿物资源特点，如杂质多并夹在其纤维束中，矿粒之间存在相互交叉、包覆，提纯难度较大等问题，进行系统分析，确定其组份、形貌以及粒径分布等物理性能，针对其杂质成分，研究出一种易于对其工业化提纯的综合改性方法，获得低成本的纳米级凹凸棒石材料，为凹凸棒石后续的应用创造良好的条件。

安徽青软晶芒微电子科技有限公司，位于安徽省合肥市国家高新技术开发区，是一家专业面向集成电路人才培养的实体企业，青软晶芒携手拥有5000颗芯片设计经验的集成电路产教融合和设计服务平台——青软晶尊微电子，共同打造面向国内提供集成电路领域产教融合整体解决方案的领先企业。 青软晶芒致力于打造集成电路人才培养新模式，通过集成电路产业学院共建/专业共建，产教融合平台共建，集成电路大赛，师资培共建，实验实训平台训，工信部培训认证，新工科优训营，课程改革等多种合作模式，推动集成电路教育与产业的无缝衔接，为客户创造价值。 青软晶芒拥有自主知识产权集成电路设计专利证书，软件著作权等十余项，愿通过校企合作和院校一起为集成电路人才培养做出贡献。

青岛青软晶尊微电子科技有限公司，是国内面向集成电路设计领域提供产教融合整体解决方案的领先企业。具有五千颗芯片设计经验的集成电路设计服务与教育培训公司。公司以青岛总部为中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面辐射长三角经济带，形成东部沿海发展网络，打造国内一流的集成电路设计服务与教育培训基地。同时借助台湾业务平台，开拓国际业务，积极部署国际化发展战略。 青软晶尊集成电路设计服务始于1996年，为国内最早从事集成电路设计服务的企业，公司拥有20余年的集成电路设计服务经验，向客户提供高速DDR存储类芯片、固态射频IC、MCU、电源管理、LCD液晶驱动、AD/DA转换芯片等不同功能、不同工艺厂商芯片的设计服务。为客户累计完成5000余颗芯片的设计。公司依据高品质的设计服务能力，在美国、日本、台湾及国内积累了长期、稳定的客户群体，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成电路企业，并通过国际DNV信息安全风险管理体系认证。

专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。

本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置，包括接料底板，设置在接料底板的一相对两侧，用于提供粘结胶带的粘结胶带组件；设置在接料底板的另一相对两侧，用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件；设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件；以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接，整个装置结构简单，操作方便，易于实现。

一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。

其他成果/n本发明公开了一种安装在汽车进气系统上的薄膜吸振器，用于消除由进气系统引起的至少一种车内噪声，所述汽车进气系统包括依次连接的进气管、空气滤清器和出气管，该吸振器包括开设在所述进气管振动异常处的开孔以及密封覆盖在所述开孔外侧的薄膜，所述开孔的孔径小于进气管的直径。本发明在不增加进气系统降噪空间的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善进气系统低、中、高各频率段噪声。

  巨霍尔效应是纳米铁磁金属颗粒薄膜中反常霍尔效应的巨大增强现象,是纳米材料的新效应,本课题利用巨霍尔效应原理,制备出磁场灵敏度高达125AT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。    本课题的研究,率先将纳米体系的新效应巨霍尔效应原理应用于传感器件领域,制备出具有实用价值的新型纳米材料及微型霍尔器件,具有原始创新性。与传统的半导体霍尔器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途,市场前景广阔。   本课题利用巨霍尔效应原理,首次制备出磁场灵敏度高达125VAT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。    主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。相关成果已获国家发明专利授权九项。    本课题的研究,将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域,以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料,是一个全新的技术,取得了多项具有原始创新性的技术成果,进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域]应用    应用状况:    与传统的半导体霍尔传感器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔传感器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途，市场前景广阔。

本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向；当氧化锌基底 为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备， 得到相应的硒