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非平衡等离子体产生装置及颗粒状粉末表面改性处理系统
本发明公开了一种非平衡等离子体产生装置及颗粒状粉末表面 改性处理系统，包括腔体、屏蔽网以及设置在腔体内的高压电极单元 和低压电极单元；高压电极单元设置在高压电极绝缘盖板的下表面， 高压电极单元包括多个均匀阵列排布的高压线电极，在高压电极绝缘 盖板上设置有多个均匀阵列排布的第一通孔；各个高压线电极的一端 与高压电极引线的一端固定；高压线电极的另一端通过高压电极固定 螺栓固定，高压电极引线的另一端通过第一通孔引出；并将各个高压 电极引线连接后作为非平衡等离子体产生装置的脉冲高压输入端。本 发明采用了高压
华中科技大学
2021-04-14
一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法
本发明提供一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法，包括基于双声道输入信号进 行预处理、声道信号下混、下混信号量化编码；按子带提取空间参数，所述空间参数为声道间强度差异 参数 ICLD；根据全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根据输入的扬声器的空间位置信息，建立在 两扬声器所夹区域之间所形成虚拟声像的方位角与空间参数的映射表，从全方位角度量化表映射得到空 间参数量化表；进行空间参数全方位的非均匀量化压缩编码，对输入的扬声器空
武汉大学
2021-04-14
一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法
本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸 GST 相变 材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大 和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、 宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实 现 GST 相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元 施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用 下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材
华中科技大学
2021-04-14
基于非均相类 Fenton 联合脱除烟气中 SO2、NO 和 Hg 的系统及 方法
本发明提供了一种非均相类 Fenton 技术联合脱除烟气中 SO2、NO 和 Hg 的系统及方法，属烟气污染物控制领域，主要用于解决电厂烟气中 SO2、NO 和 Hg 的问题。包括反应塔身、喷淋装置、催化剂床层、双氧水填料塔、反应液分离塔和循环泵；燃煤烟气经电除尘器后引入反应塔由下而上流过催化剂表面，H2O2 溶液由循环泵通过喷淋装置流经催化剂层，在催化剂表面发生分解反应产生<sup>.</sup>OH，
华中科技大学
2021-04-14
一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统
本发明公开了一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统， 包括：直流电源、谐振充电电路、Tesla 变压器谐振升压电路、脉冲陡 化电路、限流电阻、线型电极，谐振充电电路包括充电晶闸管、充电 电感、滤波电容、原方电容，Tesla 变压器谐振升压电路包括放电晶闸 管、Tesla 变压器、副方电容，脉冲陡化电路包括三电极火花开关和触 发极电阻，直流电源的正极连接到充电晶闸管的阳极，直流电源的负极接地，充电晶闸管的阴极连接到充电电感的一端，充电电感的另一 端连接到放电晶闸管的阳极，滤波电容直接与直流电源并联
华中科技大学
2021-04-14
一种非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法
本发明公开了一种非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方 法，将一维纳米材料分散到易挥发性溶剂中，通过刮墨工具的运动， 利用刮墨工具与液体的表面张力引导分散液进行涂布；同时加热衬底 加速分散液的挥发，分散液中的一维纳米材料会在运动、挥发过程中 受到剪切力的作用，使得一维纳米材料向涂布方向上转动，待分散溶 剂完全挥发，纳米材料则有取向性地附着在衬底上。本发明方法可以 适用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易挥发性溶剂中的一维纳
华中科技大学
2021-04-14
基于非接触式扫描二维码的电动汽车充电系统和方法
本发明公开了一种基于非接触式扫描二维码的电动汽车充电系统和方法，包括充电桩、设于各充电 桩的第一信息采集装置、第二信息采集装置、信息处理模块、通信模块和显示模块；第一信息采集装置、 第二信息采集装置、通信模块、显示模块均与信息处理模块信号连接；信号处理模块通过通信模块与云 服务器信号连接。本发明实现了非接触式的充电桩控制，简化了电动汽车的充电操作，方便了运营商对 充电桩的管理，并可实现无人值守情况下充电费率的自动调节，从而促进城市智能充电网络的
武汉大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化的测量方法
本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，包括：(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度 T1，根据所述稳态温度 T1 计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度 M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值 A，根据所述磁化强度变化信号的幅值 A 计算得到
华中科技大学
2021-04-14
InP基多量子阱光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器技术
基于平面光波光路(PLC)技术的各类光功能器件，是实现现代高速光网络、高速光信号处理、大容量光互连节点和终端设备中光信号处理模块的基础。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半导体工艺，以脊波导为基础，具有体积小、功耗/损耗低、可靠性高、性价比高等优点，在国际上即将形成新的产业热点。电子科学与工程学院光子学与光通信研究室顺应这一趋势，潜心攻关，埋头研究，历时四年完成了InP多量子阱PLC单元器件理论与实验研究。在国内首次建立了PLC光路设计和光学特性测试平台，探索出国产化工艺加工途径，取得多项自主知识产权，成功地研制出InP基多量子阱PLC无源光子器件。包括光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器等，于2007年2月通过了教育部组织并主持的科技成果鉴定，达到国际先进水平。
东南大学
2021-04-10