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一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料的制备方法
本发明涉及一种氯溴碘共混钙钛矿型薄膜及光伏电池的制备方法。包括以下步骤：（1）用甲胺溶液 与氢碘酸反应，产物清洗、干燥后得到碘甲胺白色固体粉末，作为制备钙钛矿的阳离子源；（2）步骤（1）中得到的碘甲胺，与 Cl、Br、I 的铅盐，混合于二甲基亚砜中，在室温环境下搅拌 12 小时，然后静置得到钙钛矿吸收层材料的前驱液；（3）将步骤（2）中得到的前驱液，通过匀胶机旋涂在衬底表面，150℃退火后得到氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料。本发明方法可以实现三元共混钙钛矿型材料的简单，可调制备。所得 C
武汉大学
2021-04-14
固体酸催化碳水化合物制备5-羟甲基呋喃甲醛（HMF）
碳水化合物是生物质资源的主要组成部分，如何有效地将其转化为能源材料和大宗化学品是实现生物质资源利用的重要环节。5-羟甲基糠醛(HMF)是连接石油化工和基于碳水化合物化学的一种非常重要的平台化合物，由六碳糖转化生成5-羟甲基糠醛(HMF)是实现以上环节的关健。 采用酸改性的固体酸催化剂对碳水化合物转化为HMF表现出很好的催化活性，开发了由果糖或果聚糖催化制备HMF的化学工艺，研究了固体酸的组成和性质、反应条件对HMF收率的影响。在130 ℃、DMSO溶剂、条件下，以CSZA-3固体酸为催化剂，由葡萄糖转化为HMF可以获得最佳收率47.6 %；以CSZ固体为催化剂，由果糖转化为HMF可以获得60 %以上的收率。
四川大学
2015-12-22
一种用于脱汞的废弃物衍生吸附剂制备方法及产品
本发明公开了一种用于脱汞的废弃物衍生吸附剂制备方法及产品，属于城市生活废弃物资源利用技术领域。该方法具体为：将含卤素废弃物与生物质废弃物混合发生热解反应，含卤素废弃物中的卤素释放并固定于生物质废弃物上，生成用于脱汞的废弃物衍生吸附剂。应用本发明方法，一方面减少含卤素废弃物热解过程中的卤素释放，另一方面转化成汞吸附剂上有用的卤素，实现废弃物资源化和生成脱汞吸附剂的双重目的。
华中科技大学
2021-04-14
一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板及其制备方法
本发明公开了一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板，用于 均匀分配氧化气和收集阴极电流，其由多个相互平行连接且尺寸相同 的齿形波纹块构成，齿形波纹块由两个错开距离(7)后平行排列连接的 齿形波纹条(3，4)构成，齿形波纹条(3，4)由多个相互交替连接的平顶 凸台(2)和平板(1)构成，平顶凸台(2)呈齿形轮廓状，平板(1)连接所述平 顶凸台(2)的根部，以形成齿形波纹状，平顶凸台(2)横截面形状为等腰 梯形去掉下底边后
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方 法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。 本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板 上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接 触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳 有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性 能优异。
华中科技大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
一种基于静电纺丝工艺制备高比表面积碳纤维布的方法
本发明公开了一种基于静电纺丝工艺制备高比表面积碳纤维布 的方法，包括：(a)将聚丙烯腈溶入到二甲基甲酰胺中并混合均匀，然 后基于静电纺丝工艺生成纳米量级的高分子聚合物细丝；(b)将所生成 的高分子聚合物细丝执行缠绕，并形成微米量级的高分子聚合物细线； 然后采用该高分子聚合物细线作为纬线和经线，交织形成布状结构； (c)在保护气氛下，将布状结构在 800℃～900℃的温度下执行热解，并 使得高分子聚合物碳化生成碳纤维布；(d)使得碳纤维布的表面活化， 由此制得所需的碳纤维布产品。通过本发明，能够制得具
华中科技大学
2021-04-14