RGT-50-RT儿童秤身高坐高计附有身长计，测量体重的同时又可以测量儿童的身高及其坐高。产品符合国际法制计量组织建议第三号（OIML International Recommendation NO.3）和中华人民共和国行业标准QB2065《人体秤》。 一、技术参数 型号：RGT-50-RT 最大秤量：50kg 分度值（d）：50g 身高测量范围：60－160cm 坐高测量范围：38－100cm 身高计分度值：0.5cm 承重板面积：37.5×27.5cm 外形尺寸：58×51×78cm 净重：22kg 二、儿童秤身高坐高计组装 1、打开包装，去除包装物； 2、将立柱组件通过螺钉和垫圈与底座联接，拧紧； 3、把计量杠杆小心地穿入视准器内； 4、将立柱组件中的传力杆钩在计量杠杆上的重点环上； 5、将计量杠杆的支点刀移至支点刀承中； 6、将挂钩套在力点刀上； 7、座椅组装：将两块靠板两侧的圆柱压入座椅框相应的凹槽内； 8、座椅安装：通过4-M4x16、压板将座椅安装在底座上； 三、儿童秤身高坐高计的操作 秤必须定期检查，尤其当移动后，根据以下要求进行操作：将平放在水平、平坦、坚实的地面上，站上，走下秤台数次，使秤的各个活动零部件处于自然状态。 零位调整：将秤的游砣置于零位，挂上砣挂，秤的标尺指示器必须自然地上升、下降，不能碰到上下边框。如果碰到边框，则要通过旋转调整砣杆调整砣的位置，使得指示器满足上述要求。 秤重操作： 1、根据你的大约重量，将适当数量及重量的增砣挂在砣挂上； 2、站在秤上，调整游砣位置，直到指示器在框内上下均匀地摆动（如果指示器在框内上下均匀地摆动，就没有必要等到指示器停止摆动再去读重量）； 3、游砣所指示的及增砣指示的重量之和，就是你的体重。 秤重方式：秤重方式分为站立、坐式、卧式三种。 四、儿童秤身高坐高计身高测量的操作 1、将测量板置于水平位置，将座板向后掀起，站在台面上； 2、将身高计的内管拉起，中管不能拉起，然后将内管往下压，直到测量板接触你的头顶；这时小螺帽上边圈右边刻度指示的高度就是你的高度，如果你低于 106cm；如果你高于106cm，那么继续向上拉动内管，带动中管上升，使测量板超过你的头顶，然后将中管往下压，使测量板接触你的头顶，那么大螺母上 边圈的右边的读数就是你的身高。 五、坐高测量的操作 1、将测量板置于水平位置，将座板向前放平，坐在凳面上； 2、将身高计的内管拉起，中管不能拉起，然后将内管往下压，直到测量板接触你的头顶，这时小螺帽上边圈左边刻度指示的高度就是你的坐高，如果你的坐高低于 84cm；如果你高于84cm，那么继续向上拉动内管，带动中管上升，使测量板超过你的头顶，然后将中管往下压，使测量板接触你的头顶，那么大螺母上边圈 的左边的读数就是你的坐高。 相关产品： 儿童电子秤-电子儿童秤 电子儿童秤-儿童电子秤 儿童秤身高坐高计 本文中所有关于儿童秤身高坐高计http://www.xinman8.com/331.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

氨纶熔融纺丝具有工艺流程简单，设备投资少、生产效率高、生产过程不使用溶剂、环境污染少等优点而成为最为经济和对环境最为友善的氨纶生产新技术。由于熔纺氨纶与干纺氨纶结构上的差异，使熔纺氨纶的耐热性与回弹性较差。为了克服上述缺点，国内外普遍采用添加预聚体的方法，然而预聚体的NCO基团十分活泼，在存放过程中易与空气中的水分发生副反应，使预聚体失效。 本项目是以带有活泼氢的酚、酸、醇、酯、胺等化合物作为封端剂，与预聚体中的NCO基团进行反应，使两端NCO基团得到暂时的保护，反应形成一种在常温下稳定的亚氨酯，从而改善了纤维的耐热性及回弹性，同时由于亚氨酯在常温下非常稳定，存放期可大大地延长，因此这种新颖的封闭型预聚体比常规预聚体法更有效。已获得国家发明专利。

简介：本发明公开了一种含镍铜的高强紧固件用钢及其热处理方法，包括如下质量百分比的组分：C：0.38～0.45％；Si：0.17～0.30％；Mn：0.60～0.80％；P≤0.010％；S≤0.010％；Cr：0.90～1.20％；Mo：0.15～0.22％；Ni：0.05～0.15％；Cu：0.10～0.20％；余量为Fe和不可避免的杂质。本发明经过油淬和高温回火后得到的组织均为回火索氏体组织，性能如下：抗拉强度Rm＝1100～1135MPa，屈服强度Rel＝980～1015MPa，伸长率A＝14.5～17.2％，25℃，V型缺口冲击功AKv＝70～90J，-20℃，V型缺口冲击功AKv＝55～85J。本发明具有稳定的冲击性能和较高的强度，可用来制作10.9级耐延迟断裂高强度紧固件。

随着光伏产业的高速的发展，硅锭切割产生的切割废料也将出现井喷式的增长。仅2012年一年，我国就用了23万吨的多晶硅，产生了近25万吨的粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)，回收厂家院内废料堆积如山，粉尘飞扬，环境恶劣。而粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)中的SiC和晶体Si粉都是通过高能耗、高成本制备出来的，所以如能将这些废料得以回收利用，不仅减少了环境污染，也会产生出巨大的经济效益。特别是如能将二次废料中价值最高的晶体硅粉得以回收并再用于制造太阳能多晶硅，这对我国减少多晶硅的进口是有重要意义的，所以说，从晶体硅切割废料中回收多晶硅是今后一个重要的发展方向。 （1）本项目可从多晶硅切割废料中提取出太阳能级多晶硅，其技术含量高、生产成本低、能耗小。生产的多晶硅可以替代国外进口产品，减少我国多晶硅的进口量，这对降低光伏能源成本，实现光伏能源的普及有重要意义。 (2) 本项目同时生产的副产品碳化硅制品的最大特点耐高温和耐磨性等性能远好于同类产品，且价格远优于国内同类产品，因此该副产品有着广阔的市场前景，市场竞争力强。该副产品作为耐火材料可广泛应用于冶金、陶瓷、能源、化工等行业。如钢铁厂高炉的炉窑内衬和钢包内衬、电解铝厂铝电解槽的侧部、火法炼锌的罐体的内衬等；如陶瓷行业所用窑炉内所用的窑板和棚板等。 (3) 产品附加值高：由于本项目所用原料主要是来源于光伏行业产生的切割废料，原料的来源丰富且价格便宜，产品的科技含量高，生产成本低，故产品的附加值高。本项目拥有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多项专利。

伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。