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一种简易式光伏-光热-热电综合利用系统
（专利号：ZL 201510161810.X） 简介：本发明公开了一种简易式光伏-光热-热电综合利用系统，属于太阳能利用领域。本发明包括支撑架、聚光装置、集热发电组件和热水收集装置，所述的聚光装置和集热发电组件安装在支撑架上，聚光装置中装有平面反光镜，所汇聚光线照射在集热发电组件外表面，集热发电组件中设有集热水箱，该集热水箱通过输水管与热水收集装置连通，在水箱两侧分别设置有发电用光伏组件和热电组件。本发明简化了集热发电组件的内部构造和系统
安徽工业大学
2021-01-12
茶园的基于光伏板发电的大面积遮光装置
本实用新型公开了一种茶园的基于光伏板发电的大面积遮光装置，包括多个竖直支架，在各竖直支架的顶端均设有太阳能光伏板，各太阳能光伏板的下端均设有集水槽，驱动钢索环绕于两边侧的换向轮上，竖直支架上设有驱动轴，驱动轴上设卷线套筒，相邻的竖直支架之间均设有遮阳网，遮阳网右端固定连接在相应的竖直支架上部，左端连接在滑动杆件上，各滑动杆件通过各自的拉杆夹固定于钢索上，在遮阳网的下面设有托幕线，在遮阳网的上面设压幕线，定位导向夹中部的夹子夹设于滑动杆件上、上部的孔穿设所述压幕线、下部的孔穿设所述托幕线。本实用新型适合大面积使用，收放灵活、快捷，且能够有效利用阳光进行发电，收集雨水用于茶园灌溉。
浙江大学
2021-04-13
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
XM-512消化管道构造模型(胃肠光镜模型)
XM-512消化管道构造模型（胃肠光镜模型）
XM-512消化管道构造模型(胃肠光镜模型)由胃底部结构模型、小肠（十二指肠、空肠和回肠）结构模型、消化管结构模型3部件组成，示胃与小肠的粘膜、粘膜下层、肌层、外膜四层结构以及消化管的血管、淋巴管、神经和消化管肠绒毛的光镜结构及肠绒毛组织特征。
尺寸：放大
材质：玻璃钢材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
帝光节能灯上海管中管节能灯厂家
产品详细介绍 台湾帝光节能灯管T5+T8合成一体化 超长寿命节能日光灯 管中管节能灯的三大特点：省电, 长寿命, 亮度更亮 一、超节能 节能60%以上，亮度超过120%；20W直管灯亮度超过普通45W日光灯； 二、长寿命 1、保固可达16个月，保质期内“以坏换新”； 2、寿命为普通灯管的6倍以上； 三、通用性强 使用帝光管中管节能灯无需更换灯具，直接安装即可使用（无需灯具原有“启动器”）； 四、特殊结构 1、“T5＋T8”双结构,可直接替换传统T8灯管； 2、“插拨式”新结构，更环保，更耐用； 五、显色性(Ra)佳 三基色荧光粉纯度100%，显色指数85Ra以上，色温指数超过8000K，光效高，使眼睛所看到 的都如同阳光下的色彩,真实自然，保护视力； 六、绿色环保 1、无噪音、无闪烁；一开即亮,无需等待； 2、抗干扰、热辐射小！ 上海管中管节能灯厂家 （诚招全国各地经销商）
上海富粟电子有限公司
2021-08-23
NK3000 Mini-PRO OTDR 迷你PRO光时域反射仪
青岛诺克通信技术有限公司
2021-09-10
一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉及用途
本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉，该发明首先将配好的原料进行感应熔炼，制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；将制得的速凝片进行氢破碎，脱氢后得到粗破碎磁粉；然后在惰性气体保护气氛下，进行气流磨，得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉；然后将磁粉放入管式炉中，通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气，即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果，具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。
浙江大学
2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学
2021-01-12
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11
一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电
华中科技大学
2021-04-14