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高性能集成电路连线用材料的制备技术
集成电路键合线应用于集成电路芯片与框架的连线，数年来国内已有多家研究院所从事过这方面的研究，但无重大突破。主要表现为拉丝到0.10毫米以下时断线严重，线材的抗拉强度低，延伸率低，不仅严重影响生产效率，同时无法满足全自动键合机的生产要求，目前国内市场主要依靠进口。其原因关键是由于坯锭的凝固组织、合金的纯净度所致。大连理工大学在国家自然科学基金的资助下，利用电磁场的特殊作用，开发出高性能材料制备新技术，实现电路连线坯锭凝固组织的细微化，熔体的夹杂物、氧和氢等杂质的去除，大大降低夹杂物和气体
大连理工大学
2021-04-14
一种脉冲功率开关电路封装结构
本发明公开了一种脉冲功率开关电路封装结构。包括第一铜箔、 半导体脉冲功率开关芯片、电容、第二铜箔、铜柱、磁开关和第三铜 箔；电容的一端焊接第三铜箔，另一端焊接铜柱的一端，铜柱与电容 的中心轴垂直，铜柱的另一端穿过磁开关的中心焊接至第二铜箔的一 端，第二铜箔与电容的中心轴平行，其另一端靠近电容的一面焊接半 导体脉冲功率开关芯片的阳极，半导体脉冲功率开关芯片的阴极焊接 第一铜箔。本发明将多个外围器件与半导体脉冲功率开关封
华中科技大学
2021-04-14
一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路
本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除
华中科技大学
2021-04-14
一种三维网格多翅膀混沌电路
本发明公开了一种三维网格多翅膀混沌电路，该电路主要由 wL和 vL-1 函数电路、h2 和-h2 函数电路、-h3 函数电路、反相积分求和电路、反相器电路、乘法器构成。反相积分求和电路、反相器电路和乘法器可以控制电路生成翅膀吸引子，wL 和 vL-1 函数电路可以控制电路在 x 轴上产生不同数量的翅膀吸引子，h2 和-h2 函数电路可以控制电路在 y 轴上产生不同数量的翅膀吸引子，-h3 函数电路可以控制电路在 z
华中科技大学
2021-04-14
一种 LED 驱动中的新型软启动电路
本发明涉及一种软启动电路，特别涉及一种 LED 驱动中的新型软启动电路。在本发明实施中：开 关控制模块控制电阻分压模块，通过改变总电阻的大小使输出电压逐渐上升到需要的数值；延时控制模 块控制开关控制模块的关断和开启时间；电流偏置模块为整个软启动电路提供偏置电流；在软启动电路 工作时，使能控制模块使能电流偏置模块和延时控制模块，反之，关闭电流偏置模块和延时控制模块。 该新型软启动电路具有结构简单，可靠性强，功耗低等优点。
武汉大学
2021-04-14
光电开关传感器专用集成电路
发榜企业：广州市金沐智能科技有限公司
悬赏金额：40万元
需求领域：IC与芯片技术、集成电路设计与制造及封装
技术关键词：专用集成电路、光电开关、集成电路
广州市金沐智能科技有限公司
2021-11-01
NI PXI集成电路实验室验证测试平台
NI PXI集成电路实验室验证测试平台可以灵活的完成各类集成电路器件和芯片的实验室验证工作，NI PXI平台在集成电路实验室验证测试应用中处于领导地位，平台部署在包括Intel、ADI、TI在内的诸多全球顶尖集成电路公司的测试实验室中完整各种实验室测试验证应用。
北京曾益慧创科技有限公司
2022-07-08
一种温致透光率可逆变化材料
房屋的冬暖夏凉是人类自古以来追求的梦想，本发明提供一种可以使建筑物窗户透 光率温致可逆变化的材料。该材料在低温时为无色透明液体，在高温时可转变为白色不 透明液体，且温度在转变温度上下变化时，该液体在无色透明和白色不透明状态之间可 逆变化。 本发明材料可用于建筑窗户、温室暖棚、车船飞机等方面。冬季在建筑上与选择性 吸收材料配合使用，可在不影响其冬季制热的同时，在夏季可使过热现象大大缓解，从 而使该组合材料成为寒冷地区用智能调温材料，适合创造建筑热舒适环境，具有节约矿 物能源、减少环境污染的作用，具有较大的经济和社会效益。
同济大学
2021-04-11
高折射率有机-无机纳米复合光学薄膜
随着光学器件在日常生活领域越发广泛地应用，对其新功能的需求也加大，其中高折射率材料的研究也越来越多,特别是高折射率聚合物（HRIP）。近来，由于其在高级光电制造中的潜在应用，HRIPs已经吸引了相当多的关注，例如先进显示设备的高性能基底，用于有机发光二极管显示器，光学黏合剂或密封胶材料，高级光学应用中的减反射涂层，193-nm浸润蚀刻光阻剂，和微透镜组件中的电荷耦合式装置以及互补金属氧化物半导体图像传感器。然而，一般普通聚合物的折光指数的范围在1.30～1.70之间，但是在实际应用中要求更高的折光指数（大于1.70，甚至 1.80）。由高折射率无机纳米粒子和有机高分子基体组成的纳米复合材料可以轻易地获得高的折光指数。本项目将高折射率的无机纳米粒子炭黑、二氧化硅、二氧化钛等添加到各种聚合物基体中，获得高折射率光学薄膜，且通过对无机粒子和聚合物基体间的界面设计，使得无机粒子少量填充即可获得高折射率光学薄膜。具有核心技术（自主知识产权），发明专利1项，获得上海市自然科学基金资助。
华东理工大学
2021-04-11
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11