本发明涉及功率放大器技术，具体为一种结合功率合成与动态 负载的射频功率放大器功率控制系统。在单片射频收发器中，功率控 制常采用数字控制的功率合成技术，当功率放大器工作在非最大输出 功率水平时，其效率会由于等效负载不是最佳负载而降低。本发明系 统由射频功率合成单元、动态负载单元和功率控制逻辑单元；功率控 制逻辑单元接收功率控制信号从而控制加权的功率放大器的组合，通 过查找表调节动态负载调节电路状态，从而有效提高各种功率

大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。 项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。 该大功率电源的研制解决了微波、毫米波领域整机系统对供电的需求问题，实施后极大的提升整机性能，同时降低整机体积。

宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。

大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。

针对现有无功功率可调补偿装置结构复杂、投资大，维护使用不方便等不足，本实用新型提供一种无功功率可调补偿装置，该种无功功率可调补偿装置，结构简单、操作方便、投资低、使用寿命长、补偿效果显著。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无功功率可调补偿装置，由无功元件、晶阐管开关、用于降压的变压器等构成，其结果特点是：用于降压的变压器为调压变压器，变压器原边绕组的始端接高压母线、末端接地或者接另一相的高压母线，次边绕组始端附近的调节触点经分接开关接低压母线，该低压母线与次边绕组的末端之间接有无功元件与晶阐管开关的串联体。 本实用新型的无功元件为电容器组或电抗器或滤波器，使得本实用新型既可吸收电网中的感性无功功率，也能吸收容性无容功率，还可在提高电网的功率因数的同时，滤除谐波提高电网质量。

LED具有长寿命、节能环保、微型化等优点，是目前最具竞争力的新一代绿色照明光源。突破高发光效率的功率型高端LED芯片技术，将加快实现LED在通用照明、可见光通信、高端显示等领域的应用。在国家863计划、广东省战略性新兴产业LED专项等重大项目的支持下，项目团队成功开发出效率超过130lm/W的高压LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒装薄膜LED芯片，相关技术指标处于国内领先水平。相关成果发表在Nanoscale Research Letters等国际权威期刊上，申请了22 项国家专利，其中已授

太阳能功率优化器直接与光伏组件相连，对各光伏组件实施最大功率跟踪，保证其在任意光照条件下和组件特性下的最大功率输出。由于组件只与功率优化器相连，光伏组件之间不存在任何的相互连接，能够从根本上消除不同光伏组件之间的影响，避免由于光照条件变化、组件局部遮阴、组件老化以及组件之间特性不一致造成的发电量损失，实现系统发电量的最大化。多个功率优化器形成的组串之间并联连接，对每组串内部所串联的功率优化器数量没有严格限制，极大的增加了系统配置的灵活性。数据采集器在存储光伏组件的发电数据和状态信息的同时，还可实时对

本成果为大功率高性能智能化的直流电源，可广泛用于工业生产各个领域，主要用作通信、电站的直流充电电源，也可用于电解、化成、电镀、焊接、电加热、电火花加工电源。采用高频开关技术，具有体积小，重量轻的优点；采用电流模型PWM控制，精度高、动态性能好；采用单片机为核心的智能控制电路，操作简单方便；具有通信接口，可以遥控遥测。最大功率10KW，输出电压系列40～32

       芯片功率器件测试平台，以工程教育专业认证为引领参与高校专业建设，以信息化引领构建学习者为中心的教育生态，培养集成电路硬件测试人才。为学生提供丰富的教学资源以及贴近现实的产业环境，支撑集成电路相关课程的教学与实训，且能进行项目开发和师资培训。

本团队基于电磁冶金领域二十余年的积累，掌握了铜合金领域最具挑战性的铜铬锆合金的非真空熔炼-长尺寸大卷重电磁连铸技术，开发出易偏析铜合金合金超细化与均质化连铸技术、高性能铜合金多模式定制磁场净化技术等一系列具有自主知识产权的核心技术。 一、项目分类 关键核心技术突破、显著效益成果转化 二、成果简介 本团队基于电磁冶金领域二十余年的积累，掌握了铜合金领域最具挑战性的铜铬锆合金的非真空熔炼-长尺寸大卷重电磁连铸技术，开发出易偏析铜合金合金超细化与均质化连铸技术、高性能铜合金多模式定制磁场净化技术等一系列具有自主知识产权的核心技术。相关技术应用于高强高导高弹铜合金领域如铜铬锆合金、铜镍锡合金、铜钛合金、铜碲合金及超高纯无氧铜的规模化制备等都取得较好的效果。 1）铜铬锆非真空熔炼-电磁连铸技术 由于铬、锆元素和氧的亲和力较大，所以合金元素的烧损是铜铬锆合金的熔炼必须解决的问题。本项目团队在铜合金熔炼，特别是铜铬锆合金的非真空熔炼方面，开展了近20年的研究，开发了一系列具有自主知识产权的非真空熔炼连铸技术、成分稳定控制技术、合金熔体洁净化技术等，获授权发明专利和实用新型专利近20项。本团队已在完成中试级表面光滑、内部致密无裂纹、成分均匀的全等轴晶铜铬锆棒线材，铸态宏观晶粒度经上海材料研究所测定为M-9.0级。此外，本团队从前期研究中，从塑形变形工艺和热处理工艺角度，提出采用多道次连续挤压及热处理工艺优化铜铬锆合金想性能的方法，并成功将铜铬锆棒材性能的抗拉强度提高到654MPa，断后延伸率为13.5%，且电导率还能保持在79.3%IACS；这远远高于2017年电车线用铜铬锆合金线材国家标准的性能要求：抗拉强度＞570MPa，塑性＞3%，电导率＞75%IACS。相关技术已与世界五百强新兴际华集团下属新兴发展集团有限公司达成1800万元专利转让。 2）高均质超细晶电磁连铸技术 传统连铸制备过程中多元铜合金如铜铬锆合金等常存在组织粗大、成分偏析等问题，这将会严重影响后续的材料加工过程，导致在后续的轧制，挤压等工艺过程中很容易产生轧制裂纹等缺陷。本团队开发的电磁场连铸过程易偏析合金超细化与均质化调控技术，能在连铸过程中，充分搅拌熔体，均匀化凝固前沿温度，实现易偏析合金的超细化与均质化。该技术已被应用于铜镍锡合金的连铸中，实现了该合金连铸制备的超细化和均质化，所制备全等轴晶铜镍锡合金铸态组织宏观晶粒度达到M-10.0级。目前该技术已实现中试级百米长度的连续电磁铸造，且已与宁波博威、上海中船重工711研究所、铜陵金威、温州元鼎等开展合作。进一步将该技术推广于铜碲、铜铁、铜钛的连铸，均取得了极为优异的细晶、表面光洁、成分均匀的连铸效果。 3）超高纯无氧铜电磁连铸技术 金属材料纯净度是提高其力学和电学等综合性能的关键因素，是制备高品质金属材料的关键环节。高端金属材料中夹杂物和气泡对材料性能影响巨大，许多高端金属材料的开发都取决于这类缺陷的控制水平。本团队参与开发的金属连铸多模式定制磁场净化技术，已成功应用于高纯高导无氧铜材料的制备，可将铜中氧含量中降低3ppm以下，达到目前世界无氧铜的最高标准——美国ASTM≤3ppm。与此同时，该高纯无氧铜的电导率高达100.1%IACS，目前已全面取代进口并用于我国兰州重离子加速器、散裂中子源大科学装置、美国Michigan大学FRIB装置等重大科学装置建设。该项技术已获得2015年度上海市技术发明一等奖，2015年度教育部自然科学二等奖，2015年度教育部技术进步二等奖等奖项。目前该技术已与福建紫金铜业、上海上大众鑫科技发展有限公司、宁波兴业、宁波金田等开展深入合作。