|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
智能型直线一级倒立摆
睿景时代（大连）科技有限公司
2021-12-15
合金石墨-高压水热反应釜
主要技术指标
（1）．工作温度：≤500℃
（2）．工作压力：≤20MPa（表压）
（3）、规格；25、50、100、200、500、800ml。另可根据用户需求定做。
（4）.操作方法
1、高压水热合成反应釜用全不锈钢材料，外壳材质为304材质。
2、高压水热合成反应釜使用温度在500度以下，500度以下；工作压力≤20MPa
3、高压水热合成反应釜采用硬密封的原理，不会泄漏。
4、高压水热合成反应釜使用时将法兰上的螺栓松开，溶液杯取出溶液装入杯中，然后放在釜体内，将上盖密封槽与杯体上密封球面装在一起，注意：把紧螺栓时要对立面把紧，用力要均匀。不要一次性将任何一个螺栓把紧，当对立面螺栓均匀用力把紧时，再用力将所有螺栓对面把紧，方可进行操作升温。
5、高压水热合成反应釜当温度达到要求时，准备取出溶液杯将螺栓对立面均匀松开，不允许一次性将任何一个螺栓全松开，那样会损伤上盖密封槽和杯体上端密封面。
6、高压水热合成反应釜注意保护杯体上端密封球面，不能有磕、碰伤，或其它污物。
7、高压水热合成反应釜使用时注意清理上盖密封槽内的杂物，不能有污物和杂质，如不清理干净使用时会泄漏。
8、高压水热合成反应釜上盖外端中心带有密封丝堵，它是用来检验溶液杯密封进气试压接口。日常或使用过程中，不要将它打开，防止泄漏。
9、高压水热合成反应釜在使用过程中，如有泄漏现象返厂修复。
有下列情形的，不在保修范围。
（1）釜体磕、碰变形或严重损伤。
（2）溶液杯体上端密封球面有磕、碰伤痕
（3）釜体上盖密封槽有磕、碰划伤等。
巩义市城区众合仪器供应站
2025-04-27
井间并行电阻率阻率CT测试方法
本发明公开了一种井间并行电阻率 CT 测试方法，是对钻孔间地质条件及构造特征进行探查的一种物探技术。通过在两两钻井之间布置测试系统，形成 64 个电极的井间测线，采用并行电法数据采集技术进行单极或偶极供电与测试，获得井间电性采集数据，形成井间不同电极间层析数据体。通过井间电阻率层析成像技术实现对测试区域电阻率及激电参数成像，进一步评价其岩层及构造特征状况，获得地质解释成果及认识。该套测试系统可完成 1200m 深井的数据采集。
安徽理工大学
2021-04-13
医用高压水枪
产品详细介绍 合肥南昌武汉成都重庆JK系列医用高压水枪 JK-88型高压水qiang是根据管类器械的清洗特点设计制作，配有独特的8个喷嘴。 适用范围：1软式内镜、硬式内镜、管腔类器械的清洗、2各类导管、针头、注射器、3各种移液管、玻璃器皿、引流管等使用方法： 6米弹簧连接管快速接头一端连接高压水qiang的尾部，只需把快速接头下拉一点再把高压水qiang尾部插进去，向上一拉就可以了。 弹簧管的另一端4分外丝连接到4分的自来水管。 时根据器械的需要配上合适的喷嘴就可以使用了。 技术参数： 水源条件：水源水质符合《生活饮用水卫生标准(GB5749-2006)》， 压力0.1-0.4Mpa 配置：JK-88喷qiang ：1把 多功能喷嘴 ：8个不同的清洗喷头 进口快速接头 ：1个 6米弹簧连接管： 1个 4分外丝 1个
合肥金尼克机械制造有限公司
2021-08-23
门电路演示器
产品详细介绍门电路演示器
芜湖县易太教育设备有限公司
2021-08-23
光敏报警电路套件
光敏电阻、NE555集成电路、底壳等。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
门电路实验箱
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
电路原理实验箱
电路原理实验箱采用模块式结构，各模块间相互独立，通过各元件区不同元件组合，可组成多种测试电路，实验模板正面印有电路图，反面装有器件，各实验电路中需测试的点均装有测试孔，使用方便，接触可靠，而且寿命长、效率高，适用于进行各种电路的实验研究，可满足电工原理、电路分析等课程实验教学的需要。
广州风标教育技术股份有限公司
2023-02-23
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。
电子科技大学
2021-04-10