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合金石墨-高压水热反应釜
主要技术指标
（1）．工作温度：≤500℃
（2）．工作压力：≤20MPa（表压）
（3）、规格；25、50、100、200、500、800ml。另可根据用户需求定做。
（4）.操作方法
1、高压水热合成反应釜用全不锈钢材料，外壳材质为304材质。
2、高压水热合成反应釜使用温度在500度以下，500度以下；工作压力≤20MPa
3、高压水热合成反应釜采用硬密封的原理，不会泄漏。
4、高压水热合成反应釜使用时将法兰上的螺栓松开，溶液杯取出溶液装入杯中，然后放在釜体内，将上盖密封槽与杯体上密封球面装在一起，注意：把紧螺栓时要对立面把紧，用力要均匀。不要一次性将任何一个螺栓把紧，当对立面螺栓均匀用力把紧时，再用力将所有螺栓对面把紧，方可进行操作升温。
5、高压水热合成反应釜当温度达到要求时，准备取出溶液杯将螺栓对立面均匀松开，不允许一次性将任何一个螺栓全松开，那样会损伤上盖密封槽和杯体上端密封面。
6、高压水热合成反应釜注意保护杯体上端密封球面，不能有磕、碰伤，或其它污物。
7、高压水热合成反应釜使用时注意清理上盖密封槽内的杂物，不能有污物和杂质，如不清理干净使用时会泄漏。
8、高压水热合成反应釜上盖外端中心带有密封丝堵，它是用来检验溶液杯密封进气试压接口。日常或使用过程中，不要将它打开，防止泄漏。
9、高压水热合成反应釜在使用过程中，如有泄漏现象返厂修复。
有下列情形的，不在保修范围。
（1）釜体磕、碰变形或严重损伤。
（2）溶液杯体上端密封球面有磕、碰伤痕
（3）釜体上盖密封槽有磕、碰划伤等。
巩义市城区众合仪器供应站
2025-04-27
磁脉冲焊接技术及装备
成 果 简 介 磁脉冲焊接技术的焊接过程很短，瞬间（30 ～ 100µs）即可完成，且无污染；可使金属材料和非金属材料进行连接或焊接；一般可在常温（即冷态）下进行，且焊接过程无明显的升温，无明显热影 响区，焊接接头强度接近于母材；比爆炸焊安全，且简单易行；能量易精确控制，重复性好，故容易 实现机械化和自动化。此磁脉冲焊接工装简单，无须传压介质，不损伤零件表面，加工能量可参数化 控制， 能实现零件的精密连接装配的优势。在航空、航天及军事工业中，已部分或全部用来代替铆接 或焊接， 成果和效果是显著的。该方法不但能焊接 Al、Cu 及其合金, 而且还可以焊接如低碳钢、不锈钢、Ti 及其合金等的同种和异种金属，还可焊接金属与非金属。
北京工业大学
2021-04-13
变脉冲快速充电器
Ø 成果简介：电池组在采用连续电流充电过程中存在着极化现象，影响电池使用寿命和充电性能，在充电过程中采用脉冲电流充电并按一定规则间歇地放电能有效抑制电池极化。利用了变脉冲宽度充电并间歇地瞬间放电以及将电池在充电过程中的温度、电压、电流、动态内阻综合控制的智能快速充电器设计思想，制成了变脉冲快速电池充电器，实际应用表明使用该充电器提高了充电效率、缩短了充电时间、延长了电池的使用寿命。具有如下特点：采用变脉冲充电并按一定规则间歇地放电能够有效抑制电池的极化，保障电池的使用寿命；功率
北京理工大学
2021-01-12
一种脉冲涡流探头
一种脉冲涡流探头，属于涡流探测器件，用于解决现有脉冲涡流探头在长时间检测过程中激励线圈产生热量，影响实际检测精度的问题。本实用新型包括外壳、接线端头、热敏电阻模块、霍尔传感器、线圈骨架、激励线圈和接触端盖，接线端头、热敏电阻模块和霍尔传感器自上至下装于外壳内，接线端头上端从外壳顶面穿出；激励线圈通过线圈骨架套于热敏电阻模块外，接触端盖将霍尔传感器轴向压紧在热敏电阻模块底端面并封闭外壳底端。上位机实时采集本实用新型的热敏电阻模块的温度模拟信号及霍尔传感器的电压模拟信号，借助温度智能补偿算法，对脉冲涡流
华中科技大学
2021-04-14
变脉冲快速充电器
电池组在采用连续电流充电过程中存在着极化现象，影响电池使用寿命和充电性能，在充电过程中采用脉冲电流充电并按一定规则间歇地放电能有效抑制电池极化。利用了变脉冲宽度充电并间歇地瞬间放电以及将电池在充电过程中的温度、电压、电流、动态内阻综合控制的智能快速充电器设计思想，制成了变脉冲快速电池充电器，实际应用表明使用该充电器提高了充电效率、缩短了充电时间、延长了电池的使用寿命。具有如下特点:采用变脉冲充电并按一定规则间歇地放电能够有效抑制电池的极化，保障电池的使用寿命；功率密度高达800W/kg；大幅度提高充电效率、缩短充电时间；通过实时检测电池的温度、电压、电流、动态内阻，实现充电过程的动态控制，保障电池组的充电安全。
北京理工大学
2021-04-13
高效低脉冲上浆泵
项目简介 通过特殊的叶轮设计及涡壳设计，基于计算流体力学（CFD）技术，最大程度地减小 出口压力脉动，提高水泵效率，设计开发出高效低脉冲上浆泵系列产品。 根据纸浆参数，设计有双吸低脉冲泵和单吸低脉冲泵产品。 性能指标 流量：150～4500m3 /h 扬程：10～90m 纸浆浓度：≤3% 工作温度：≤120°C 出口脉冲：下降到扬程的±1％～±4％。 效率：达到国际先进水平 适用范围、市场前景 适用于对介质有低压力脉动输送需求的场合，抽送具有一定粘度、杂质的
江苏大学
2021-04-14
一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生装置
本发明提供了一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生 装置，其中平顶脉冲磁场产生装置包括变压器，由变压器的原边线圈、第一电容器、第一开关和磁体依次串联构成的第一回路，以及由变压 器的副边线圈、第二电容器和第二开关依次串联构成的第二回路；第 一回路还包括并联在第一电容器两端的第一续流回路；第二回路还包 括并联在第二电容器两端的第二续流回路。第一续流回路包括依次连 接在第一电容器两端的第一电阻和第一单向导通元件。第二续流回路 包括依次连接在第二电容器两端的第二电阻和第二单向导通元件。本 发明通过电压器
华中科技大学
2021-04-14
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。
电子科技大学
2021-04-10
GaN 基高压 LED
可以量产/n高压LED是多个LED单元的芯片级串联，互连比多个小功率管芯打线互连更为可靠；且LED单元之间间距很小，光线集中，便于光学设计，可用于高光密度照明，路灯、广场照明和舞台聚光照明等。几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压能耗小，驱动设计简单，可用于各种市电照明场合，例如室内照明、园区和工作场所照明等；高压LED能减小驱动电路、光学设计和散热部分的体积，因此 可采用多种灯具形式和适用多种安装场合。
中国科学院大学
2021-01-12