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酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用酸性烤蓝工艺在软磁合金粉末表面包覆由尺寸均匀的纳米Fe3O4形成的包覆层，经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型的软磁复合材料。本发明的优点是：采用酸性烤蓝工艺制备Fe3O4方法简单，并且容易控制Fe3O4层的厚度, 由于该反应是原位反应，因此制备的绝缘层致密，与磁粉的结合度高。与传统的软磁复合材料相比，由于绝缘层为亚铁磁性的Fe3O4，有效减少了磁稀释现象，从而可以得到具有高饱和磁通密度、高磁导率的软磁复合材料。
浙江大学
2021-04-11
碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用碱性烤蓝工艺使磁粉表面氧化生成一层均匀的Fe3O4的绝缘层，然后经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型软磁复合材料。本发明的优点是：采用碱性烤蓝工艺制备的Fe3O4是在软磁粉末的表面原位生长，因此绝缘包覆层与磁粉之间结合度高，并且包覆均匀致密；由于Fe3O4具有较高的电阻率，因此具有较好的绝缘效果；另一方面，用亚铁磁性的Fe3O4作为绝缘包覆剂，克服了传统非磁性物质作为包覆剂的磁稀释现象，可以获得更高的磁导率及磁通密度；碱性烤蓝工艺操作简单，成本较低，有利于实现工业化生产。
浙江大学
2021-04-11
新型节能高效大举力密度叉车及其动力匹配关键技术研究与应用
物流业是我国国民经济的支柱产业和重要的现代服务业，2017年全国社会物流总额为252.8万亿元，社会物流总费用与GDP的比率达14.6%。物流装卸时间耗时巨大，如海运装卸约占总运输时间50%，降低物流装卸时间对千提高物流效率具有重大意义。叉车作为物流业装卸、堆跺搬运环节中必不可少的装备，在物流装卸搬运中占据核心地位，是提高物流效率、降低物流成本的重要保障，在国民经济发展中具有重要意义。
项目实施前，国内高端叉车技术被国外垄断，长期依赖进口，国产叉车搬运效率燃油能耗高，举力密度低，设计制造周期长，不能满足市场的迫切需求，严重制约我国物流业的快速发展。
浙江大学团队在国家科技支撑计划、浙江省重大科技专项的支持下，依托流体动力与机电系统国家重点实验室、国家认定企业技术中心、国家认可实验室的国家一流创新载体，围绕新型节能高效叉车的设计、动力匹配、强度与振动、梊成控制方面展开技术攻关，完成了A、R、XF、X系列叉车的研制，典型产品节能10％以上，效率提高20%。项目成果成功实现了重大技术创新，具有自主知识产权，总体技术达到国际先进水平，产品成功应用于港口、机场、大型电商物流仓库等重要场合，实现了智能化装卸、堆跺和短距搬运，极大提高物流效率，为我国经济建设做出重大贡献。
浙江大学
2023-05-10
基于核外电子概率密度分布的复杂曲面零件匹配检测方法
本发明属于精密加工与测量技术领域，并公开了一种基于核外 电子概率密度分布的复杂曲面零件匹配检测方法，包括:对待测零件 进行非接触式扫描获得扫描点云，并将其与设计点云组成匹配比较对 象;将两片点云转换到同一三维坐标系内，并将各个点看作原子的原子核，将此原子核的邻域点看作核外电子，遍历所有点计算得出其对 应的电子概率密度分布值;基于计算得出的电子概率密度分布值确定 两个模型的误差，并在当前误差不满足终止条件时对测量点云进行粗 匹配和精匹配，直至满足终止条件为止。通过本发明，能够有效解决 现有非接触式匹配
华中科技大学
2021-04-14
一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法
本新技术成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授权。
西南交通大学
2016-06-27
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学
2021-04-10
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。
北京大学
2021-02-01