围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

针对传统光栅衍射效应固定不变，不可调节，运用面狭窄的问题，提出了一种磁流体光栅，利用外磁场的强度来控制磁流体的折射率和吸收系数，进而使得磁流体光栅的折射率调制和吸收系数调制随外磁场的改变而改变，实现磁流体光栅衍射效率可调的特性。   所述磁流体光栅包括一个周期性凹槽、一种磁流体、一个光学透明的刚性覆盖层及一个磁场产生装置，磁流体填入周期性凹槽的各个凹槽中，光学透明的刚性覆盖层将磁流体密封在周期性凹槽中，磁场产生装置置于周期性凹槽外，磁场产生装置通电后在磁流体所在的位置产生均匀、可调的磁场，用于改变磁流体的折射率和吸收系数。   所述的周期性凹槽是在光学透明的刚性衬底上用带折射率的光学材料隔成一个个凹槽，制作凹槽的方法采用蚀刻法。所述磁流体，由表面包覆活性剂的磁性微粒和用于分散磁性颗粒的液相载液组成。所述周期性凹槽的深度在1μm—10μm之间、宽度在1μm一200μm之间。所述光学透明的刚性衬底和光学透明的刚性覆盖层为石英(Si02）、光学玻璃。所述的周期性凹槽的周期Λ、深度d、入射光波长λ和磁流体光栅的平均折射率n0满足关系式2πλd／(noΛ)2<<1薄光栅条件，形状选用矩形、锯齿形、余弦形。所述的磁流体的磁性微粒选用四氧化三铁(Fe304)、三氧化二铁(Fe203)、锰锌铁氧体，表面活性剂选用油酸、亚油酸、橄榄油，液相载液选用水、煤油。所述的磁场产生装置包括一个或一对螺线圈和一个可调直流恒流源，该可调直流恒流源用于给电磁铁或螺线圈供电，其输出电流的大小控制电磁铁磁场或螺线圈感应磁场的强度。所述的磁场产生装置产生的磁场平行于衬底或覆盖层的表面、并且垂直于凹槽的长边侧壁。  将磁流体这一液相磁性物质用来制作光栅，利用磁流体的折射率和吸收系数随外磁场强度变化的特点，通过外磁场即可控制光栅的衍射光效率，从而实现了衍射奴率可调的光栅。实现了可在线、实时调节指定阶次衍射光的衍射效率，为光通讯和光子器件领域的性能提高提供了新的方法。

产品详细介绍安装简单方便粘贴式磁性带传感器磁头安装允许的间隙小（10mm）非接触式线性测量系统，无磨损抗液体、抗油污、抗振动，可以在-20～70℃温度范围内正常使用 广泛应用于各种行业的位置、角度检测中 

320mm×220mm×200mm，酒精灯加热，轮子会转动。

本项目利用一种新型结构独特的兼具准直和选频功能的混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件来实现一种小型集成化、窄线宽的半导体激光器。结合混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件外腔技术，使激光线宽小于50 kHz水平，实现微型化的厘米长度的窄线宽相干激光光源的批量制备。

已有样品/n本项目建立了从葡萄糖生产戊二胺完整的工艺包。创新了自有知识产权的赖氨酸生产菌种，糖酸转化率达到75%，是报道最高水平；通过蛋白质工程手段获得了耐受高温、高pH且具有高活性的赖氨酸脱羧酶突变体，其酶学性能处于已报道的最高水平；通过调整酶的生产工艺和赖氨酸催化工艺，利用该酶进行戊二胺转化，1吨发酵罐上6h内可以获得218g/L的戊二胺，摩尔转化率大于98%；打通了戊二胺提取路线。经过初步核算，戊二胺的生产成本可以控制在1.4万每吨左右，远远低于己二胺（2.5万每吨）。该成果已申请4项中国发明

本发明公开了一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备 方法。本发明采用氧化锡、氧化锌作为导电层，三氧化钨、二氧化钛、 氧化铜、氧化钴作为敏感层，同时采用钯、铂贵金属、硫化镉、锡化 镉敏化剂对敏感层进行修饰制备得到气敏传感器。本方法采用叠层的 形式将修饰后的气敏材料置于顶层，使其能与环境中的气氛进行充分 的反应，提高气敏传感器的响应度；将具有较好导电性能的材料置于 底层，使其将敏感层中电子浓度的变化迅速传递到外电路中

已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。

本项目针对用户对隐私和数据安全存储和共享的需求，重点研究用户独有密钥的密钥生成和密钥分级管理机制和数据安全存储和共享方法，开发推出一款安全云存储及共享系统（SecCloud）。该系统拥有用户自己产生和独有密钥、密钥分级管理、数据密态存储和共享、无需安装插件、支持多平台等5大功能，即可作为公有云为人们提供安全存储及共享服务，也可作为私有云为各大企业、军工、政府部门提供整套解决方案。并且本项目将在SecCloud基础上开发SecCloud国密版、公共云存储服务的加密接口API、SecCloud属性加密