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一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
智能隔爆式磁氧分析仪研究与开发
以先进的嵌入式技术为中心，开发一套智能隔爆式磁氧分析系统， 实现分析仪器的在线检测，自动标定，故障诊断，在线显示分析结果，并以数字和模拟趋势两种方式输出，为工业现场DCS系统提供工艺流程中样品的分析结果。仪器实现了恒温检测消除温度漂移，自动压力补偿，减小压力影响。
技术优势：
可实现O2的全量程在线测量；性能稳定、选择性好。仪器的性能指标为：
（1）测量范围：0%-100%O2
（2）零点漂移：<0.1%/天；<0.2%/月
（3）对N2O、CO、CO2、H2O等的选择性误差：<0.3%
（4）NO2的选择性误差：<5%
（5）对NO的选择性误差较高：<43%
南京工业大学
2021-01-12
岩心渗透率 5MHz核磁岩心分析仪
产品详细介绍产品简介： MicroMR系列5MHz核磁岩心分析仪是经典的岩心分析设备，主要用于常规岩心的孔渗饱测试，该产品专为不同特性岩样的检测需求而精心研制，为石油岩心测试领域提供最专业最匹配的分析解决方案。 5MHz核磁共振岩心分析仪，可满足石油勘探领域的孔隙度、渗透率、饱和度、可动流体饱和度、束缚流体饱和度等相关分析测试，测量结果客观真实、精准度高、重复性好，仪器性能稳定，性价比高。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度：0.12±0.02T，仪器主频率：5MHz；3、探头线圈直径：25.4mm；应用解决方案：标准岩心孔隙结构及流体饱和度；；应用案例一：玻璃珠孔隙模型测试（不同饱和度下T2弛豫图谱分析）应用案例二：核磁共振T2图谱与岩样孔喉分布注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司
2021-08-23
表面磁光克尔效应综合实验仪 COC-SMOKE
简介
在外加磁场的作用下，物质的光学性质会发生改变，这就是磁光效应。磁光效应主要包含磁光克尔效应、法拉第磁致旋光效应、科顿 -
穆顿磁致双折射效应。本实验系统利用一套可以进行自由组合的实验装置，通过搭建不同的测量光路来实现对这三种完全不同的磁光效应
的测量。具体实验内容为：测量镍薄膜的磁光克尔旋转角、测量蒸馏水的法拉第旋光系数、测量磁流体的磁致双折射（科顿 - 穆顿效应）
的 o 光与 e 光的折射率差，其中前两部分作为基础性实验内容开展面上实验，第三部分作为研究性实验内容可供在现有实验基础上开展研
究性实验。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
磁光克尔与法拉第效应综合测试系统
由上海复旦天欣科教仪器有限公司研制生产的磁光克尔与法拉第效应综合测试系统将两种研究磁光效应的实验结合于同一套测试系统中。在表面磁光克尔效应的研究中，应用该系统可以自动改变电磁铁电流大小及方向，并实时采集记录偏振光信号与磁场强度信号的改变，从而获得薄膜样品矫顽力、磁各异性等方面的信息；在法拉第效应的实验中加入了控温装置，可在不同温度下利用正交消光法检测样品的的费尔德常数。
应用该实验仪主要完成以下实验：
1．磁光克尔效应实验：测量薄膜或者块状抛光铁磁性样品的克尔旋转角，分析其磁学性质；
2．常温法拉第效应实验：测量不同材料的常温费尔德常数；
3．变温法拉第效应实验：测量不同温度情况下材料的菲尔德常数，分析温度对材料磁滞旋光的影响；
4．法拉第效应谱线测量：测量不同光谱照射情况下材料的菲尔德常数（选用不同波长的激光器）。
上海复旦天欣科教仪器有限公司
2022-05-24
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14