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一种基于 MPI 高性能计算分层回卷恢复协议的动态分组系统
本发明公开了一种基于 MPI 高性能计算分层回卷恢复协议的动 态分组系统,包括消息监测模块、消息分析模块、进程迁移模块,属 于高性能计算和系统容错领域。消息监测模块用于监测 MPI 高性能计 算应用程序中各个进程间的消息传递记录,并将该记录以三元组(源进 程、目的进程、消息大小)的格式保存,最后将该消息传递记录提交给 消息分析模块;消息分析模块用于对消息监测模块收集到的消息传递 记录进行分析,分析出当前应用程序的消息
华中科技大学 2021-04-14
制作高性能、低成本电池器件的目标而采用简式构型器件新思路
实现制作高性能、低成本电池器件的目标而采用简式构型器件新思路的系列研究,论文第一作者为程春课题组博士生黄毓岚。 课题组总结了传统钙钛矿太阳能电池(PSCs)在降低缺陷密度和优化能级方面的常用方法,以简化其结构。此外,课题组对不同的无电子传输层或者无空穴传输层PSCs的发展进行了分类和讨论,包括它们的工作原理、实现技术、尚存的挑战和未来的展望。
南方科技大学 2021-04-14
高性能冷冻电镜技术助力线粒体氧化磷酸化系统研究
通过高性能冷冻电镜技术,突破性地发现并解析了哺乳动物ATP合酶四聚体的构成形式和高分辨率结构 报道了目前发
南方科技大学 2021-04-14
废铅酸蓄电池湿法短流程回收制备高性能铅炭电池技术
【技术背景】 据联合国环境规划署报道,全球每年产生约5000万吨的电子废弃物,超过70%的电子废弃物产生于中国,电子废弃物的有效处理及处置已成为全球关注的热点。作为典型的电子废弃物,截止2018年,铅酸蓄电池仍占全部二次电池的55%,拥有最大市场份额。 目前,国内外广泛采用火法冶炼的废铅膏回收再生工艺,温度高达1000°C以上,产生大量挥发性铅尘和SOx,传统火法再生铅引发的“血铅”等环境污染风险受到广泛关注。考虑到电子废弃物具有资源性和污染性的双重特性,如何实现电子废弃物的清洁回收是本领域的难点。 【痛点问题】 1、废铅酸蓄电池铅膏组分复杂,如何实现微量杂质元素(尤其是Fe和Ba元素)与目标Pb元素在回收过程中高效分离是湿法回收的技术挑战; 2、传统铅酸蓄电池存在着活性物质利用率低、能量密度低、循环寿命短等亟待解决的瓶颈问题。 【解决方案】 本技术研发了废铅酸蓄电池铅膏有机酸短流程回收方法及柠檬酸铅两段法焙烧制备新型铅粉方法,进而制备出高性能的铅炭电池,实现含铅组分的高效清洁回收。铅炭电池由于具有电容效应,有望解决传统铅酸蓄电池比能量密度低的不足。
华中科技大学 2021-09-17
光收发芯片
光收发芯片是光收发模块中的集成电路,并不包括激光芯片,是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片,包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端,来实现高速传输信号的光电、电光转换,这些功能被集成在光纤收发模块中。
东南大学 2021-04-11
芯片研发技术
围绕自主通用处理器,研发操作系统及其之上的核心 API 软件,支撑国家信息化建设,并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。
中国科学技术大学 2021-04-14
SFP+芯片
产品详细介绍   概述:   1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110)   EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112)   EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116)   EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能,解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。   特点:   3.3供电时,功耗仅为500mW   工作速率高达10.32Gbps   10.32Gbps下,具有5mVp-p接收灵敏度   Rx和Tx极性选择   可调节触发LOS报警电平   LOS极性选择   能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流   偏置电流高达19mA   Rx输出可选择去加重   支持SPI EEPROM和IIC EEPROM   可调节调制输出的眼图交叉点   工作温度: -40度 到 90度
武汉芯光云信息技术有限责任公司 2021-08-23
智能网联车载激光雷达用小型化高性能半导体激光器
本项目利用一种新型结构独特的兼具准直和选频功能的混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件来实现一种小型集成化、窄线宽的半导体激光器。结合混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件外腔技术,使激光线宽小于50 kHz水平,实现微型化的厘米长度的窄线宽相干激光光源的批量制备。
北京大学 2021-02-01
生物基高性能尼龙原料 1,5-戊二胺的生物催化合成技术
已有样品/n本项目建立了从葡萄糖生产戊二胺完整的工艺包。创新了自有知识产权的赖氨酸生产菌种,糖酸转化率达到75%,是报道最高水平;通过蛋白质工程手段获得了耐受高温、高pH且具有高活性的赖氨酸脱羧酶突变体,其酶学性能处于已报道的最高水平;通过调整酶的生产工艺和赖氨酸催化工艺,利用该酶进行戊二胺转化,1吨发酵罐上6h内可以获得218g/L的戊二胺,摩尔转化率大于98%;打通了戊二胺提取路线。经过初步核算,戊二胺的生产成本可以控制在1.4万每吨左右,远远低于己二胺(2.5万每吨)。该成果已申请4项中国发明
中国科学院大学 2021-01-12
一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备 方法。本发明采用氧化锡、氧化锌作为导电层,三氧化钨、二氧化钛、 氧化铜、氧化钴作为敏感层,同时采用钯、铂贵金属、硫化镉、锡化 镉敏化剂对敏感层进行修饰制备得到气敏传感器。本方法采用叠层的 形式将修饰后的气敏材料置于顶层,使其能与环境中的气氛进行充分 的反应,提高气敏传感器的响应度;将具有较好导电性能的材料置于 底层,使其将敏感层中电子浓度的变化迅速传递到外电路中
华中科技大学 2021-04-14
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