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太阳能高效聚光热电联合供能系统
太阳能光伏发电及太阳能热水器是目前太阳能利用最为成熟和广泛的两个技术领域，但是由于其产能形式单一，最终严重制约了其进一步的技术发展和市场推广前景。 其中太阳能光伏发电存在光电转化效率低（由于温度效应，晶硅型光伏发电系统综合光电转化效率只能达到12%-13%），光伏组件成本高，导致其成本回收期长。同时光伏电池生产也存在高能耗高污染的问题。 如何提高单位面积光伏电池的发电量，减少电池用量是降低系统成本提高发电收益的重要手段。通过聚光可以有效提高光伏电池片表面的太阳能能流密度，并大大增加光伏电池的光电输出功率，成倍减少电池片用量（用量为传统技术的1/4），间接降低了光伏电池生产的总能耗和总污染，但是提高电池表面太阳能能流密度的同时，电池的温度也急剧升高，严重影响电池的电输出性能和使用寿命，只有通过水冷的方式来降低电池温度，这就形成了该技术手段的另一种产能形式，太阳能热水。即太阳能热电联供。
西安交通大学
2021-04-11
太阳能高效聚光热电联产装置
本项目技术成熟，已成功完成 500kW 示范装置安装和运行并通过科技部验收，光电效率可达 12%以上，光伏光热总效率可达 65%以上，投资回收期为 3.9 年。
西安交通大学
2021-04-11
关于钙钛矿太阳能电池中光增强的离子迁移现象的研究
利用实验室自行搭建的温度，光强，电场三场共同调制的集成测试系统，对CH3NH3PbI3薄膜进行了变温(17-295K)和不同光强(0-20mW/cm2)下的恒电流测试，发展了一整套将钙钛矿材料中的电子电导与离子电导分离开来的方法。通过系统和定量分析，得到了CH3NH3PbI3在不同光强下离子迁移的活化能数据。发现随着光强的增强(从0增大到20mW/cm2)，活化能降低了五倍左右(0.82 to 0.15eV)。这强有力的证明了离子迁移在光照下得到了显著增强，而离子迁移的增强会导致更多的缺陷态产生，从而导致电池效率的下降。
北京大学
2021-04-11
一种染料敏化太阳能电池光阴极及其制备方法和应用
本发明公开了一种染料敏化太阳能电池光阴极及其制备方法和 应用。该方法包括如下步骤：(1)在具有热收缩特性的聚合物基底上沉 积一层透明导电薄膜；(2)在透明导电薄膜表面沉积一层金属薄膜；(3) 对步骤(2)得到的结构进行退火处理，使基底受热收缩，在透明导电薄 膜和金属薄膜上形成褶皱和间隙，完成光阴极的制备。本发明能显著 提高光阴极的催化面积，提高光阴极对透过光的反射率和散射率，进 而提高光阴极的还原效率及光阳极对入射光的利用率，最终提高染料·119·敏化太阳能电池的光电转换
华中科技大学
2021-04-14
太阳能逆变器
太阳能逆变器技术是太阳能发电技术领域的研发成果，可以应用在三 相及单相太阳能并网逆变器中。电路采用了高效率的电路拓扑、先进的 电感设计技术、优良的驱动方案、完善的电路设计及软件功能，整体功 能经过了测试验证。该技术符合国家新能源发展政策，具有较大的经济 效益。性能指标： 1.8KW以下单相
西北工业大学
2021-04-14
太阳能灶
灶面尺寸φ400mm×350mm，金属制品，表面镀亮膜，焦点位置可调。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
太阳能小车
230mm×210mm×180mm，在太阳光或100W白炽灯光照射下小车能行驶。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
太阳能电池光伏组件外观、电致发光测试、自动分析一体机
晶硅光伏组件生产完成之后，必须经过外观检测，以确定是否有虚焊、碎片、异物等外观缺陷。一般而言，外观检测都是人工完成，具有工作烦累、容易出错等问题。晶硅光伏组件还要经历电致发光（ EL）测试，以确定是否有裂纹、黑芯片、硅片杂质缺陷、电极缺陷、片源不一致等问题。一般而言，这部分的检测都在设备中进行，目前的设备只能得到整个组件的 EL 测试图像，需要人工针对该图像进行缺陷分析，强烈依赖于检测人员的技术能力和责任心。本产品是晶硅光伏领域专家与机器视觉公司合作开发，将晶硅光伏组件的
江苏大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14