干熄焦技术是近年来黑色冶金焦化行业迅速发展的节能与环保新型技术，具有较好的社会效益和经济效益，各国有关企业都竞相采用。干熄焦余热锅炉作为干熄焦装置系统中重要的余热回收装置，起到了熄焦工艺中节能减排等关键作用。可回收利用红焦显热的83％左右，使炼焦过程的热效率提高10个百分点以上。可降低红焦与水接触（湿法熄焦）产生大量的酚、氧化物和硫化物等有害物质，阻止环境污染等重要作用。同时，干熄焦技术可省去因湿法熄焦每吨红焦而需耗水0.5吨，节约了大量的水资源。干法熄焦改善了焦炭的物理、化学和机械性能，由于焦炭质量的提高，炼铁生产中矿焦比降低了2％～2.5%，生产效率提高1%～2%。干熄焦技术具有节能、环保、提高焦炭质量的三重效益。 推广应用干熄焦技术是实现焦化、冶金工业节能降耗和环境保护的重要措施。随着干熄焦焦炉的大型化发展，对余热锅炉提出了新的要求，高参数、大容量将是干熄焦余热锅炉发展的必然趋势。我们开发的干熄焦余热锅炉如图 该干熄焦锅炉，在其性能指标上完全达到日本新日铁公司同类产品水平。 ①适当地提高了锅炉的烟气流速，有利于提高锅炉的换热效果，采用对第二级过热器上的前四排管子采用超声速喷涂Ni－Cr合金技术，其防磨性能比日本干熄焦锅炉更为可靠。 ②为锅炉设计了专用的炉墙的密封结构，其设计比日本干熄焦锅炉更为合理。 ③为了避免锅炉热膨胀性，锅炉本体采用悬吊形式，其结构比日本干熄焦锅炉更为科学。 ④采用全水平式蒸发器结构，其结构紧凑，安装维护简便。

产品详细介绍 产品名称                          托马斯透明快速固化耐高温胶（THO4093-I） 概       述       本品系杂环体系改性胶粘剂，加热固化型，其流动性、颜色、耐温性等可适当调整，固化后表面平整、光亮、无气泡。快速固化，粘接强度高，流动性好，操作简单。 适用范围       本品广泛适用于金属与金属、陶瓷、合金、玻璃、复合材料（非金属材料）的自粘与互粘以及表面涂覆，更适合于高低压二极管、三极管、电阻、电容、电机、变压器线圈、大型集成电路（IC）、大规模集成电路（LIC）等的粘结浸润以及批覆、涂敷等工艺。 性   能   特   点       ·外观：单组透明粘稠液体。       ·固化速度快，120℃时，1分钟固化。       ·粘接强度高，韧性好、抗冲击、耐久性好、超强耐紫外光性能优良。       很好的耐热性、耐寒性、耐湿热性、耐大气性、耐辐照型以及散热性，低收缩率、超强耐电        弧性。       ·耐温性能好，适应温度范围广，粘接后在较高的温度下仍有较好的粘接效果。       ·胶水黏度适中、无气泡、流平性能良好，固化后表面光洁度良好。       ·粘接表面无需严格处理，使用方便。       ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、碱、杂环烃、辐射等。       ·安全及毒性特征：有极轻微异味，无吸入危险，实际无毒。产品达到ROHS标准指令。       ·贮存稳定性较好，贮存期为12月。 主要技术性能指标如下：耐温范围:-52－+400℃       拉伸强度：48 MPa  拉弯强度 103.6 MPa  压缩强度  223 MPa 冲击韧性 15KJ/m*m       剪切强度  28.8 MPa  （25℃）  15.4 MPa 200℃   体积电阻25℃1×1015Ω.cm       表面电阻 2.5×1015Ω.cm  体积电阻25℃1.7×1015Ω.cm 介电常数4.4       耐电压28-35.5kV/mm         硬度 shore D 90 使用 方法      1、将被粘物除锈、去污、擦净。      2、将胶水薄且均匀地喷于被粘结表面，然后贴合并稍加外力协助被粘接材质不移动，静置，       以120℃加热一分钟即可完全固化。  注意  事项      1、操作环境注意通风。      2、胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗.      3、未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。                                                                                             该版权属于成都托马斯科技2005-2011所有

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产品详细介绍 雅士林品牌高温试验箱技术资料请参阅：高温试验箱用于对电子电工、汽车摩托、航空航天、橡胶、塑胶、金属、船舶兵器、高等院校、科研单位等相关产品的零部件及材料在高温恒温变化的情况下,检验其各项性能指标。严格按GB/T2423.2-2008高温老化试验方法制造。 高温试验箱规格型号:型号         工作室尺寸D×W×H   外型尺寸D×W×HYSL-GW-100   450×450×500mm     1100×650×1000mmYSL-GW-225   500×600×750mm     1150×800×1300mmYSL-GW-500   800×700×900mm     1350×1000×1450mmYSL-GW-010   1000×1000×1000mm  1650×1200×1550mm 一、高温箱技术参数：温度范围: RT＋10℃～250℃、300℃、400℃ 抗制精度: ±1％（满量程） 恒温波动度: ±1℃ 温度分辨率: 0.1℃温度均匀度: ±2℃％ 二、高温试验箱箱体结构:箱体内胆均采用不锈钢板氩弧焊制作而成；箱体外胆采优质钢板喷塑处理，造型美观新颖；热风循环系统由能在高温下连续运转的风机和特殊风道组成，工作室内温度均匀；独立限温报警系统，超过限制温度即自动中断，保证实验安全运行不发生意外。 三、高温箱控制器:温度控制采用全进口触摸按键式仪表，操作设定简单；资料及试验条件输入后，控制器具有锁定功能，避免人为触摸而改变温度值；具有P.I.D自动演算的功能，可将温度变化条件立即修正，使温度控制更为精确稳定； 四、高温箱使用条件:1、安装场地地面平整，通风良好设备周围无强烈振动设备周围无强电磁场影响设备周围无易燃、易爆、腐蚀性物质和粉尘设备周围留有适当的使用及维护空间，2、供电条件电源要求：AC380V±10%  50±0.5Hz  三相五线制预装功率：总功率+2.0KW要求用户在安装现场为设备配置相应容量的空气或动力开关，并且此开关必须是独立供本设备使用（建议电源开关容量：32A）3、环境条件环境温度：5℃～＋30℃（24小时内平均温度≤30℃）环境湿度：≤85%RH4、其它注意事项试验过程中打开试验箱的门，会造成箱内的温、湿度波动；在试验过程中如果多次打开门或长时间敞开门或试验样品散发湿汽，可能会造成制冷系统换热器结冰而无法正常工作 高温试验箱售后服务1、安装调试：我司负责免费送货至客户指在地点, 并派专业技术人员免费安装调试，培训2～5名操作员到会操作为止。2、阳光售后服务承诺：公司产品均保修一年，终身维护。若产品出现问题，在接到报修电话15分钟响应，48小时内由我司专业维修人员上门处理。

本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法，包括以下步骤：1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块，将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压；2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升，可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上，以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃；其中，j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压，使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程，能减小过冷温度和增益温度，保证半导体脉冲激光器的温度要求。