高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种紫花苜蓿刈割后株高再生能力鉴定方法、分子标记及应用
本发明提供了一种紫花苜蓿刈割后株高再生能力鉴定方法、分子标记及应用,属于分子标记技术领域,本发明通过测定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高来体现紫花苜蓿刈割后一定时间内植株再生的能力。所述分子标记的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示,插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于扩增分子标记的引物对,其核苷酸序列如SEQ ID NO.1~2所示。本发明所述分子标记对应的引物对能够鉴定或辅助鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同时本发明还提供了利用所述分子标记快速鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法,该方法简便快捷,鉴定结果准确,具有良好的推广应用前景。
兰州大学 2021-01-12
一种高结晶性的二维MWW沸石分子筛及其制备方法
本发明提供了一种高结晶性的二维MWW沸石分子筛的制备方法,包括以下步骤:步骤S1,将二维材料的粉末加入反应容器,滴加有机结构导向剂并混合均匀,得混合液,对混合液依次进行超声处理和离心处理后取上层清液,得液相剥离后的薄层二维材料分散液;步骤S2,将薄层二维材料分散液、去离子水、碱金属源和铝源配制成溶液,在溶液中缓慢加入硅源,搅拌溶解,陈化处理,得溶胶凝胶;步骤S3,溶胶凝胶进行水热晶化后,得反应产物,进行洗涤、离心和干燥处理后,得高结晶性的二维MWW沸石分子筛。本发明中采用六方氮化硼或硫化钼作为外延生长二维沸石的模板,无需额外添加除六亚甲基亚胺或哌啶之外的有机模板剂,合成得到结晶性好且横纵比大的二维MWW型沸石。
复旦大学 2021-01-12
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途: Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点,在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说,靶材是至关重要的,它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一,较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移,从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材,其性能不能满足低 TCR(≤25ppm/℃)要求。 技术原理与工艺流程简介: 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下:温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域: 集成电路、电子元器件 合作方式及条件:具体面议
天津大学 2021-04-11
一种能产生高振强的多波变正弦曲线变频控制振动磨
本实用新型涉及一种变频控制的振动磨,特别是一种能产生高振强的多波变正弦曲线变频控制振动磨, 属于振动利用工程技术领域。由电源、变频器、振动磨、传感器、记录分析仪组成,变频器接线一端与电 源相连接,变频器接线另一端与振动磨的驱动电机相连接;变频器上可以进行多点频率的变化输入,以使 电机的输入频率按照设定的规律变化,从而驱动振动磨系统工作;传感器依靠磁力置于振动磨磨筒上,传 感器搭配积分电荷放大器使用,可将检测的加速度信号及二次积分即振幅信号,传输给记录分析仪,进而可以确定振动磨的振强、振幅变化曲线,便于调整变频器的变化规律,进行控制程序编制,对振动磨机实 施变频控制。
南京工程学院 2021-04-11
具高d33无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法
本发明涉及一种具有高d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料,采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料;再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨;烘干后超声震荡,将混合粉料经冷压成型后加温处理,再在其表面溅射金电极,硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d33;最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡,再测试其样品的压电性能d33。结果表明,经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的d33比未经浸泡过的有大幅度提高,提高比例甚至可达300%。
四川大学 2021-04-11
电池用高密度高活性球型氢氧化镍[Ni(OH)2]的生产技术
一、项目简介二次镍氢电池,需要大量高密度高活性氢氧化镍作为电池正极材料。本项目提供生产球镍的技术,粒度在8μm左右在当前的Ni-MH电池的发展过程中,氢氧化镍电极限制了电池容量的进一步提高,这是因为从电池封装的安全性考虑,作为负极的金属氢化物电极要比氢氧化镍电极大很多。因此提高Ni(OH)2电极的能量密度,来和高容量储氢合金负极材料相匹配,对Ni-MH电池整体性能的改善来说就显得至关重要。在高比容量的Ni-MH电池的开发研究中,球形β-Ni(OH)2具有更高的堆积密度,更小的孔体积,更高的电流密度,以及良好的循环性能等优点,目前已成为广泛采用的正极活性物质。二、规模与投资效益分析与预测:年产300吨球形氢氧化镍生产线可实现年产值2600万元,利润300万元。投入产出比、利润率:投入产出比为30%,投资利润率为60%。三、生产设备反应釜(带搅拌)1台,计量泵3台,离心过滤机一套,热水锅炉等。项目转化所需投资:建立年产300吨球形氢氧化镍生产线需投资400万元。四、合作方式面议。
河北工业大学 2021-04-13
一种高稳定性蛋白质-壳聚糖复凝聚交联微胶囊及其制备方法
本发明提供了一种高稳定性蛋白质‑壳聚糖复凝聚交联微胶囊及其制备方法,首先将芯材与不含还原糖的或含有还原糖的蛋白质溶液混合,高速分散形成O/W型乳状液,再加入壳聚糖溶液,调节pH,让蛋白质与壳聚糖通过静电相互作用发生复凝聚反应,形成复凝聚相沉降在芯材乳滴周围而得到微胶囊,离心收集微胶囊,加热,使蛋白质‑壳聚糖、蛋白质‑壳聚糖‑还原糖两两之间发生美拉德反应引发交联而提高微胶囊的稳定性。本发明简单易行、安全、高效,适于大规模生产;本发明可广泛用于具有良好热稳定性芯材的包埋,对于开发高稳定性的蛋白质‑壳聚糖复凝聚微胶囊体系和推进复凝聚微囊化技术在食品工业中的实际应用具有重要意义。
青岛农业大学 2021-04-13
一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球及其制备方法
本发明公开的一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球,其球壳是多晶的金属掺杂氧化物,晶粒尺寸在20nm以下,掺杂原子百分比为0.01~20%,空心球球壳厚度在20纳米以下,直径为80~600纳米。本发明利用模板吸附方法,通过配置吸附溶液和后续的退火处理制备得到金属掺杂的氧化物纳米空心球。本发明制备的金属掺杂氧化物纳米空心球的晶粒尺寸在20nm以下,结晶质量高,比表面积一般大于200m2.g-1。本发明的方法简单、成本较低,克服了许多金属难以实现掺杂的困难,并且掺杂浓度可以按要求随意控制,对掺杂金属种类的选择和氧化物的选择都具有极大的范围,有利于产业化的应用。
浙江大学 2021-04-13
一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线的方法
本发明属于光催化技术领域,具体为一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线复合材料的方法和相关工艺参数。该制备方法为溶胶凝胶/水热合成法。首先,以钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)为前驱体,二乙醇胺为络合剂,无水乙醇为溶剂,配制TiO2溶胶;然后,采用浸渍法,在经酸处理的天然沸石上负载TiO2溶胶,干燥、煅烧;最后,将负载TiO2的沸石放置NaOH水溶液中,在一定温度下进行水热反应;所得产物用去离子水洗涤并置于稀HCl溶液中浸渍一定时间;再将所得产物洗涤、烘干、煅烧,即可得到天然沸石负载一维纳米
天津城建大学 2021-01-12
通过分子工程调控实现高选择性二氧化碳电还原转化
基于MDE具有明确活性中心结构的特点,团队进一步结合原位/在线X射线吸收光谱和理论计算深入揭示了取代基调控催化剂性能的机理(图3)。研究团队发现,NiPc MDEs的CO2还原起峰电位与Ni中心的部分还原紧密相关,而不简单取决于理论计算中的反应能垒。氰基(CN)取代可以使分子更容易被还原,因此具有更正的起峰电位。此外,OMe取代可以提高催化过程中Ni-N键强度并促进CO中间体脱附,从而提高催化剂稳定性。
南方科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 73 74 75
  • ...
  • 78 79 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1