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高稳定量子点荧光粉的研发
上海交通大学
2021-04-13
高量子效率的碳点的制备及应用
本成果成功制备了一种高量子效率的碳点。该碳点在钝化后具有尺寸均一、分散性良好、发光强度高等特点。值得说明的是该碳点量子效率高达83%，超越了该研究领域全球的最高值，位居首位。将碳点成功应用在了LED器件上，LED呈现明亮的白色光，且色度坐标（0.3308,0.3312）非常接近于纯白光（0.33,0.33），是一个高色纯度的LED白色荧光粉。
南京工业大学
2021-01-12
低维冷原子气体实现量子热机理论
研究人员创造性地运用了可积模型以及低维量子场论的研究手段，通过严格的计算，分析了由一维接触相互作用玻色气体实现的量子热机循环，得到了热机效率、功率等主要参数的解析表达式。作者针对冷原子物理实验的特点，提出了通过调控原子之间相互作用强度实现量子热机循环的构想，理论上证实了相互作用调控可实现和原先人们熟知的磁热、压热效应类似的一种全新的量子热效应。基于
南方科技大学
2021-04-14
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机
真空腔室：前开门真空腔体，方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养；
真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限优于5.0✕10-5Pa（经烘烤除气后）；另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限优于3.0✕10-6Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
蒸发源：4～6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选，多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；
蒸发电源：真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能；
基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板；基片台公转，转速0～20r/min连续可调；
基片台功能：衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
可镀材料：可沉积金属（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金属、化合物（MoO3、LiF等）及有机材料，可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
单芯片高光束质量光子晶体激光器
可以量产/n波长范围905-1064nm、水平、垂直发散角<10度；直流输出功率>5W;窄脉冲输出功率>20W;光子晶体激光器模块窄脉冲输出功率>130W；并与传统半导体激光器工艺相兼容。此外还开展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶体激光器研究。“先进半导体光子晶体激光器技术研究”获得2013年度北京市科学技术奖二等奖，光子晶体高功率高亮度激光器被评为“2014中国光学重要成果”。市场预期：半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核
中国科学院大学
2021-01-12
高光效黄光LED材料与芯片制造技术
中心通过“装备与工艺的协同创新”，创新发展了具有自主产权的大科学装置—MOCVD高端装备，并在硅衬底上生长第三代半导体InGaN黄光LED材料，取得了历史性突破，将黄光LED的光效由国际上报道的不足10%，提升到了27.9%，结束了国际市场上长期缺乏高光效黄光LED的局面。国际同行、诺贝尔奖获得者中村修二教授高度称赞这项成果：“硅基黄光LED的技术水平国际领先，这是属于中国人首次发明的照明技术，它有非常大的价值。”陈良惠院士领衔的12位业内专家，对
南昌大学
2021-04-14
维意真空多靶高真空磁控溅射镀膜机支持定制
MS-450高真空多靶磁控溅射镀膜机
真空腔室：直径450✕H400mm，1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，前开门结构；
真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；
极限真空：优于5✕10-5Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
升降基片台：2～6英寸基片台，靶基距60～120mm连续在线自动可调，旋转0～20r/min可调，可加热至500℃（可选水冷功能），可选配偏压清洗功能；
磁控靶：直径3英寸2～4只（可升级成直径4英寸靶2～3只），兼容直流和射频，可以溅射磁性材料的靶材；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
质量流量计：2～3路工艺气体，可根据工艺要求增加；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质提供了重要的指导意义。
中国科学技术大学
2022-06-02
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11
可任意寻址操纵的超导量子计算机芯片设计及可行性论证
本项目提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。
一、项目分类
重大科学前沿创新
二、成果简介
提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。技术上已经实现了全国产设备工艺线上，芯片电路单元核心器件-约瑟夫森结和共面波导超导谐振器的自行设计制造，在极低温环境下完成了单元器件性能的标定和检验。
西南交通大学
2022-09-13