本发明公开了一种适用于高水分宽粒径低阶煤的流化床分级干燥装置，包括流化床分级预热室、粗粒流化床干燥室、中粒流化床干燥室和细粉流化床干燥室，粗粒流化床干燥室设置在流化床分级预热室下部，中粒流化床干燥室和细粉流化床干燥室分别设置在流化床分级预热室一侧的前后部，煤粒通过分级预热室进行分级和预热，经分级后的煤粒从不同的溢流管溢出，分别送入粗粒干燥室和中粒干燥室中，随排气带出的细粉由旋风分离器分离后送入细粉干燥室中干燥，

项目简介：  环氧树脂固化物具有较好的热稳定性、绝缘性、 粘结性、良好的力学性能、优良的成型工艺性能及较低的成本等优点，广泛应用于电子元器件的粘接、封装、印制线路板的    制造及航天等领域，    是目前最为

菊粉内切酶是能够使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-键连接的聚果糖）在糖链内部随机降解，产生低聚果糖的生物酶；菊粉外切酶是在聚果糖链的一端逐个酶解，产生果糖的生物酶；菊粉内切酶和外切酶的复合酶制剂能够高效率地水解聚果糖产生果糖。果糖是一种高品质的甜味剂，甜度是蔗糖的1.8倍，是所有天然糖中甜度最高的糖，具有口感好、血糖升糖指数低以及不宜导致龋齿等优点，可以替代蔗糖，市场巨大。目前甜味剂大量使用蔗糖和高果糖浆。蔗糖价格较高且价格波动较大。高果糖浆生产工艺使用淀粉水解得到

菊粉内切酶是能够使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-键连接的聚果糖）在糖链内部随机降解，生产低聚果糖的生物酶。低聚果糖具有增殖肠道双歧杆菌、排除体内有害物质、增强免疫力、降低胆固醇、预防结肠癌、抗衰老等多种生理功能，作为保健品具有巨大的市场。目前亚洲国家和地区，如中、日、韩、台湾等，都是以蔗糖为原料利用果糖基转移酶合成的（合成法）。产品纯度低、工艺复杂、成本高，需要色谱分离才能得到纯度高的产品。菊芋或菊苣产量高、种植成本低、富含菊糖（-键连接的聚果糖）。

中国科学技术大学徐铜文教授团队在高镁锂比盐湖卤水提锂领域取得重要进展,启发于传统的多级塔板精馏机制与层析色谱分离机制，针对化工特种分离领域复杂物料分离难题，团队原创性地提出一种“离子精馏”概念，并首次应用于高镁锂比盐湖提锂。

所属行业领域 环境净化新材料、新技术 成果简介 该成果解决了氮掺杂纳米TiO2（N-TiO2）粉体的低成本规模化制备及其在水相中的均匀分散和悬浮稳定等关键技术，建成了年产能达百吨级的高可见光活性的纳米N-TiO2光催化喷剂中试生产线；制定了国内首个纳米N-TiO2光催化喷剂产品标准；建立了高效气相和液相

项目简介 一种提高 700MPa 强度级高合金化 7000 系铝合金抗腐蚀性能的方法，其特征是它由 预回复（ 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h ）、 固 溶 （450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保温后室温水淬）、预变形（2%的塑性变形）和时效 （121℃×24h）组成。 产品性能、指标 本发明能在不降低合金强度的情况下，显著提高合金的抗晶间腐蚀和抗剥落腐蚀性158 能。 合作方式

本发明提供了一种紫花苜蓿刈割后株高再生能力鉴定方法、分子标记及应用，属于分子标记技术领域，本发明通过测定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高来体现紫花苜蓿刈割后一定时间内植株再生的能力。所述分子标记的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示，插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于扩增分子标记的引物对，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1～2所示。本发明所述分子标记对应的引物对能够鉴定或辅助鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同时本发明还提供了利用所述分子标记快速鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法，该方法简便快捷，鉴定结果准确，具有良好的推广应用前景。

成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议

石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星，开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料，石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外，还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作为一种典型的半金属材料，它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来，它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来，人们一直致力于解决这一关键问题，最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是，在打开石墨烯带隙的同时，保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试，至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径，寻找新的具有超高载流子迁移率（线性色散）的二维材料，如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等，它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是，迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到：钙钛矿材料具有多样的组成和结构，如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等，为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外，钙钛矿结构中阳（阴）离子价态的劈裂和置换，阳（阴）离子的混合等，为组分工程提供了更多的可能性，从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构（带隙和电子色散）及物理、化学性质，为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注：左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图，中图为它的三维线性色散能带图（带隙0.5 eV），右图为它的光吸收系数，并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近，他们在硫化物钙钛矿的研究中，意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料，它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散，直接的本征准粒子带隙0.5 eV，超小载流子有效质量0.04m0，室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系数高达105 cm-1（超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3）, 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路，并进一步促进半导体产业的发展。