本实用新型公开了一种管道弯头脉冲涡流检测装置，主要包括脉冲涡流传感器、第一导向杆、第二导向杆、转轴及扭簧、信号激励电路、信号处理电路、A/D 转换装置和计算机系统，脉冲涡流传感器包括激励单元和接收单元。计算机通过电缆连接信号激励电路，控制激励单元产生信号，在管道弯头中激励出电磁场，当激励停止时，接收单元接收激励磁场在管道弯头中扩散产生的二次磁场，并将其转换为电信号，经过信号处理电路和 A/D 转换装置后输入计算机，通过计算机处理获得管道弯头的缺陷信息。由于在使用过程中，激励与接收单元始终与管道接触面

本发明公开了一种管道弯头脉冲涡流检测装置，主要包括脉冲涡流传感器、第一导向杆、第二导向杆、转轴及扭簧、信号激励电路、信号处理电路、A/D 转换装置和计算机系统，脉冲涡流传感器包括激励单元和接收单元。计算机通过电缆连接信号激励电路，控制激励单元产生信号，在管道弯头中激励出电磁场，当激励停止时，接收单元接收激励磁场在管道弯头中扩散产生的二次磁场，并将其转换为电信号，经过信号处理电路和 A/D 转换装置后输入计算机，通过计算机处理获得管道弯头的缺陷信息。由于在使用过程中，激励与接收单元始终与管道接触面相切

该成果组合专利技术-扬水曝气脉冲充氧技术与生物接触氧化水处理技术，形成适合于自然水体水质改善的脉冲曝气生物接触氧化水质改善技术；适用于低污染城市河道污染汇入口强化水质改善；与传统技术相比，节省能耗（60~80） %。

一种治疗骨质疏松的特定低频脉冲电磁仪，包括时间继电器、变频器和线圈；时间继电器的触点串联在变频器的电源输入线路上，按照设定的时间接通变频器的工作电源；变频器的输出端与线圈连接，用于调整输送给线圈的电流的频率和强度，使线圈产生治疗骨质疏松的特定交变低频脉冲电磁场。使用时，装有线圈的筒体可放置在人体需治疗的任何部位。动物试验表明，在低频脉冲电磁场的频率为8Hz、磁场强度为3.8mT 的环境中每天照射40分钟，治疗骨质疏松的效果最好。

本发明公开了一种变脉宽激励的脉冲涡流检测方法。该方法包括如下步骤：（1）将脉冲涡流传感器置于被测试件上；（2）设置当前激励脉宽 PW_cur=t₀；（3）获取检测信号，测量 时 间 区 间 为 [0,t] ；（ 4 ） 计 算 检 测 信 号 在 时 间 区 间[t₁,t₂]上的积分 IN<sub&g

紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体，技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段，是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视，“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”，技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员，负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器，而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱，这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此，本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应，目前有两种方法：一是改变硅基探测器的结构，如背照式CCD；另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜，把紫外光先转化为可见光，然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究，按使用材料的属性，可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm，Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面，而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里，减少90%的降解量，因此，无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面，国外研究也刚起步，最早的报道见于2003年[1]，目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面，都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法，成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。

用于模型和零件的快速制造。应用领域：家用电器、汽车制造、航天航空、船舶、工业设计模具加工等。以低成本的紫外光灯为光源，以光固化的原理，通过叠层制造的方法快速制造零件，扫描速度：20～500mm/s。工作精度±0.2mm。该成型机是首创使用低成本紫外光源灯替代激光发生器，光源价格仅相当于激光器的1/100，性能价格比高，是目前国内外价格最低的快速成型机，具有

240-280nm范围电磁波谱段也称为日盲紫外波段。日盲紫外探测与成像为电子领域的尖端技术，被公认为国际军事制高点。同时，该技术在电网安全监测、医学成像、环境与生化检测等民生领域也有重要应用。由于日盲紫外技术的重要战略意义，西方国家对我国实行严密核心技术封锁，为维护国家安全，发展我国的日盲紫外探测与成像技术，就必须通过自主创新，开辟新的技术路径。 针对国家在日盲紫外探测及应用技术方面的

徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划（飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统，项目编号61427812）。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中，实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源，脉冲重复频率为1kHz，单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右，亮度为1 ´ 1011光子/s。从光

臭氧协同紫外（UV/O3）的高级氧化消解技术是一种高效的新型水处理工艺，运用光、电、水产生高活性的羟基自由基对水样进行氧化消解，使水样中难以降解的有机污染物中的大分子氧化成容易降解的低毒性或无毒性的小分子物质。该氧化消解技术需要的反应条件十分温和，而且氧化消解效率远高于传统的重铬酸钾氧化消解方法，反应过程无二次污染产生，是一种极具发展潜力和竞争力的绿色氧化消解技术。 本装置根据 COD 是“以化学方法测量水样中有机物被强氧化剂氧化时所消耗之氧的相当量”的定义，在 UV/O3进行水样消解的过程中，利用多传感器检测消解过程的参数，建立还原物降解特征信息检测模型，实现 COD 的在线监测。其主要特点在于： （1）该装置反应条件温和，在常温常压下操作，消解效率高于重铬酸钾法，且绿色环保无污染。 （2）真正实现 COD 的免化学试剂在线检测，完全避免了毒性铬盐、汞盐的二次污染，克服了消耗银盐产生的高费用等缺点。 （3）可以针对复杂水质实现自适应检测，包括地表水、工业污水或生活污水等，无需更换氧化剂或调整任何装置参数。检测结果不受水样的物化性质影响。