高效跨血脑屏障及神经轴突逆行的腺相关病毒(AAV)载体，为大脑给药技术带来了突破契机，但满足临床基因治疗的需求仍有显著差距。中科院武汉物数所已建立了上述两类新型AAV病毒的改进系统以及高效的规模化制备系统，大幅提升脑部大范围给药效率，对治疗神经精神疾病具有重要意义。目前已建立了十大类针对神经系统的表达基因的工具病毒系统；建立了293及昆虫杆状病毒系统的规模化制备系统。

北京华夏清医治疗科技有限公司专注于创新型T细胞免疫治 疗产品的开发及商业化，公司产品线丰富且开发进展迅速，已 与多家传染病领域头部医院合作启动了多项备案的First-in_x005fhuman 临床研究。目前正在302医院开展细胞回输的项目为CAR- T细胞功能性治愈艾滋病的临床研究，探索新的“功能性”治愈 的策略，为细胞治疗应用场景提供了新思路。

本发明公开了一种用于偏瘫患者的多自由度拇指康复训练装置，包括支撑底座以及固定在支撑底座上的驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ，驱动传感机构Ｉ和驱动传感机构ＩＩ由光电编码器、直流力矩电机、磁流变液阻尼器和力矩传感器组成；其中，驱动传感机构Ｉ的输出端通过联轴器Ｉ连接弧形导轨的一端，弧形导轨的另一端依次通过连接杆Ｉ、连接杆ＩＩ、连接杆ＩＩＩ固定在支撑板Ｉ上，连接杆ＩＩＩ通过轴承Ｉ固定在支撑板Ｉ上，支撑板Ｉ固定在支撑底座上；驱动传感机构ＩＩ的输出端通过联轴器ＩＩ连接手机训练机构的驱动轴，手指训练机构包括训练杆、前指套、后指套、驱动连接件和驱动轴，驱动轴通过驱动连接件与训练杆传动连接；训练杆的前端部嵌入弧形导轨中沿着弧形导轨滑动。

本技术成果涉及一类具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物。

本发明为一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架，属于药物剂型改变及制备方法技术领域。本发明中，结合微球缓释系统和支架的特点，采用复乳法分别制备BMP-2、VEGF和bFGF等生长因子的PLLA/PEG缓释微球，再利用超临界二氧化碳发泡技术将微球载入PLGA多孔支架中，构建具有可控次第释放特性的组织工程支架。本方法药物活性保持度高，有机溶剂残留量低，操作简单。所制备微球粒度分布窄，具有良好的缓释效果。复合支架孔径分布在150~300μm，连通性好，孔隙率为76.84%，抗压强度为5.11MPa，21天累计释放量为60.6%。本发明制备的支架在组织工程修复体中具有应用前景。

本发明公开一种用于电力电子系统的多通道隔离高速智能收发装置及方法。其装置包括发送单元、接收单元以及隔离传输媒质。发送单元包括数据采样及信号调理模块、A/D转换模块、发送主控单元以及发送单元信号转换模块;接收单元包括接收单元信号转换模块、接收单元信号调理模块、接收主控单元以及存储输出模块;本发明装置可对多通道模拟量采样及开关量采样进行数字编码,并通过隔离传输媒质传输。每个接收单元可连接多个发送单元同时解码。本发明装置具有突出的高可靠电气隔离性、实时性和智能化特点。

本发明公开了俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示装置，包括复合式偏折型散射屏、高速投影机、图像发生器、探测模块和旋转传动机构。高速投影机将三维物体不同俯仰角度水平360度全景视场的组合图像投影到高速旋转的复合式偏折型散射屏上。复合式偏折型散射屏可对不同角度入射光的垂直偏折及发散角度和水平发散角度进行控制，使环绕观看的不同高度的观察者的双眼观察到对应于其视点位置的图像，实现显示的三维物体悬浮于复合式偏折型散射屏的上面，且其位置不随视点的高低变化而改变。俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示可供多人俯仰多角度、水平360度全视场裸眼同时观看，实现空间遮挡消隐并可探入触摸交互。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明公开了一种基于多传感器集成测量的自由曲面类零件加工系统；曲面测量组件集成了非接触式和接触式两种传感器，曲面加工组件装有铣削用铣刀，曲面测量组件与曲面加工组件通过直线导轨连接；点云处理组件用于对非接触式传感器获得的点云数据进行几何处理，将当前工作台可直接执行的加工 G 代码提供给曲面加工组件进行加工；曲面测量组件对工件进行非接触式测量，再对精加工得到的产品进行接触式测量；质量检测组件用于对接触式传感器获得的测量数据进行误差比较，获得产品质量结果。本系统集成了非接触式和接触式两种传感器，在同一机床上实现“测量-加工-检测”一体化，整个过程无需人工干预，提高了加工效率和自动化程度。

本发明为一种具有多生长因子次第释放特性的组织工程支架，属于药物剂型改变及制备方法技术领域。本发明中，结合微球缓释系统和支架的特点，采用复乳法分别制备BMP-2、VEGF和bFGF等生长因子的PLLA/PEG缓释微球，再利用超临界二氧化碳发泡技术将微球载入PLGA多孔支架中，构建具有可控次第释放特性的组织工程支架。本方法药物活性保持度高，有机溶剂残留量低，操作简单。所制备微球粒度分布窄，具有良好的缓释效果。复合支架孔径分布在150~300μm，连通性好，孔隙率为76.84%，抗压强度为5.11MPa，21天累计释放量为60.6%。本发明制备的支架在组织工程修复体中具有应用前景。