|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
多铁BiFeO3薄膜反铁磁序应变调控机制
BiFeO3薄膜反铁磁序的研究是理解磁电耦合效应和实现电场控制磁性的前提，然而观测反铁磁结构实验手段有限，薄膜中多个铁弹畴的存在进一步使其分析更为困难。因此，BiFeO3薄膜反铁磁结构及其应变调控的物理机制一直还存在争议。 研究发现应变可大幅度调控反铁磁磁矩朝向，且在大的拉应变作用下反铁磁磁矩朝向与铁电极化的垂直关系被打破，结合第一性原理揭示应变对反铁磁序的调控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和单离子各向异性间相互竞争导致；该工作打破了之前一般认为的Bi
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
小试阶段/n针对多孔介质燃烧器用泡沫陶瓷目前存在的常温强度以及热震稳定性能差等问题，本发明制备了一种Al2O3-SiC复合泡沫陶瓷。该陶瓷克服现有技术缺陷，具有强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良等优点。
武汉科技大学
2021-01-12
3-胺酰酰腙衍生物及其制备方法和应用
本发明涉及一种具有结构的3?胺酰酰腙衍生物，其中R1、R2基团选自苯基衍生物或吡啶基衍生物。本发明公开了这些化合物的结构以及对农业害虫的防治效果，同时公开了这些化合物作为杀虫剂的应用。
青岛农业大学
2021-04-13
一周科创资讯｜8月28日-9月3日
一周高等教育科技创新政策、热点新闻导读
高教科创
2023-09-04
（2S,3S,4R,9E）-2-[(2、-R)- 2-羟基-二十九碳酰胺]-十八碳-1，3，4-三醇
本发明公开了一种源于东洋参的新化合物(2S,3S,4R,9E) 2 [(2′R) 2′ 羟基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其结构式为该化合物对胆固醇酰基转移酶具有选择性抑制的作用，能够有效用于预防和治疗血脂、动脉粥样硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究开发和应用前景；该化合物的制备方法步骤少及操作简便，得到的化合物天然无毒性。
青岛大学
2021-04-13
4024A/B/C/D/E/F/G频谱分析仪 10MHz~67GHz
上海启莫科技有限公司
2022-03-17
一种燃煤烟气SO3梯级深度脱除系统
本实用新型涉及一种燃煤烟气SO3梯级深度脱除系统，所述系统包括SCR脱硝装置、碱性吸收剂喷射装置、空预器、调温增效装置、静电除尘器、脱硫塔和湿式静电除尘器，所述调温增效装置包括降温段和升温段，所述SCR脱硝装置、空预器、调温增效装置降温段、静电除尘器、脱硫塔、湿式静电除尘器、调温增效装置升温段沿烟气脱除方向顺次设置；所述碱性吸收剂喷射装置设置的位置为SCR脱硝装置之前，SCR脱硝装置之后、空预器之前，或空预器之后、调温增效装置降温段之前。本实用新型通过各污染物控制装备对烟气中的SO3进行梯级深度脱除，实现SO3的排放浓度小于5mg/Nm3。
浙江大学
2021-04-13
一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法
本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法，利用电子束沉积镀膜技术和纳米膜卷曲技术，先制备单质Fe的纳米膜卷曲管结构，然后在空气气氛下退火得到Fe2O3纳米膜卷曲管；其制备工艺简单，操作方便，原理科学，无污染，环境友好，能够有效控制卷曲管的管壁厚度，制备的纳米膜卷曲管长度能达到几百微米。本发明在新能源、气敏、催化、等领域具有重要用途。
青岛大学
2021-04-13
一种β-Sialon/Al2O3复合粉体及其制备方法
小试阶段/nβ-Sialon材料常用的工业合成方法是以高纯的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通过高温固相法合成，但由于该方法中原料价格昂贵导致过高的生产成本，进而限制β-Sialon材料的广泛使用。目前合成β-Sialon材料的温度较高和产品中杂质较多。本专利旨在克服以上技术缺陷，目的是提供一种合成温度低、工艺简单和产品纯度高的β-Sialon/Al2O3复合粉体的制备方法。本专利技术采用工业上易得的氧化铝粉、硅粉和铝粉为原料，通过一定的混合处理后，在1100-1300℃温度下即可得到
武汉科技大学
2021-01-12
InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法
本发明是关于半导体材料领域，旨在提供InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤：将H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液；80℃下搅拌2h后获得沉淀，过滤，并用蒸馏水和无水乙醇洗涤，干燥处理后获得三聚氰胺硫酸盐；获得g-C3N4颗粒；将g-C3N4颗粒分散到无水乙醇中得到分散体系，将偏钒酸铵水溶液逐滴加入该混合溶液中形成黄色澄清溶液；搅拌获得沉淀，过滤、洗涤，加入表面活性剂并进行水热反应；所得沉淀过滤，获得InVO4/g-C3N4复合材料。本发明的有益效果是：解决了InVO4纳米晶的形核、生长问题，促使InVO4纳米晶在疏松g-C3N4颗粒表面原位生长。
浙江大学
2021-04-13