高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一体化标识网络与传统IPv4互联网互联互通的实现方法
一种由传统互联网与一体化标识网络的互联互通实现方法,使用接入交换路由器ASR作为传统网络和一体化标识网路的接口设备来实现该方法。当传统网络中的用户与一体化标识网络内的用户进行通信时,数据包发送到接入交换路由器,并且数据包内的接入标识和IP地址替换为交换路由标识,在一体化标识网络的核心网内传输;对端接入交换路由器将交换路由标识替换为接入标识和IP地址,将报文转发到目的节点。该方法使得传统互联网IPv4用户不用升级即可以与一体化标识网络中的用户进行通信。
北京交通大学 2021-04-10
Ag+, F-,Hg2+,N2H4,H2S 等荧光探针的研发
荧光探针具有灵敏度高、取样小、成本低、重现性好、易于操作等特点,研发了针对溶液中 Ag+, F-,Hg2+等离子及 N2H4,H2S 等小分子检测的荧光探针,检测限低,检测快速,选择性好,部分探针可实现试纸化检测。
兰州大学 2021-01-12
一种钾掺杂介孔g-C3N4光催化材料的制备方法及其应用
简介:本发明公开了一种钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料在降解有机染料废水中的应用,属于光催化材料技术领域。该光催化材料的制备包括如下步骤:将三聚氰胺和KI充分研磨后平铺于坩埚底部,将SBA‑15均匀的分散在三聚氰胺和KI混合物的上面,然后将坩埚加盖后置于马弗炉内进行煅烧,产物经处理后即得所述钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料。该光催化材料比表面积大使得反应活性位点增加,钾掺杂后可有效抑制光生电子和空穴的复合,表现出更优异的光催化性能。本发明钾掺杂介孔g‑C3N4光催化材料可降解有机染料废水,在60min能降解80%以上的目标降解物,显示了优异的光催化活性。
安徽工业大学 2021-04-13
4月15日—17日,黎安试验区与您相聚中国高等教育博览会
4月15日-17日,第61届中国高等教育博览会在福州海峡国际会展中心举行。海南陵水黎安国际教育创新试验区受邀参展,本次高教会试验区运用国际教育场景展开放而多元的主题区域,集中展示了黎安试验区在国际教育、教育产业招商及重点创新模式方面取得的发展成果与创新理念,带来更丰富多元的线下体验与交流机会,进一步搭建起试验区与不同高校、企业有效沟通的桥梁,诚邀您莅临试验区展位参观交流,我们在9号馆期待您的到来!
海南黎安国际教育创新试验区 2024-04-16
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-02-01
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
项目成果/简介:在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-04-11
面向物联网硅基SIW带金属柱悬臂梁可重构带通滤波器
本发明公开了一种面向物联网的硅基SIW带金属柱悬臂梁可重构带通滤波器,包括SIW带通滤波器、转接结构(3)和带金属柱的MEMS悬臂梁结构。带金属柱的MEMS悬臂梁结构包括MEMS悬臂梁(6),MEMS悬臂梁依靠锚区(7)的支持悬浮在硅衬底(1)之上,MEMS悬臂梁的下表面上设置有金属柱(11),硅衬底对应金属柱的位置开设有孔(14),且该孔(14)穿过硅衬底(1)上的氮化硅层(10)和上表面金属层(5)进入硅衬底(1)中。本发明只需要通过控制MEMS悬臂梁的状态就能够改变滤波器通带的中心频率,达到切换滤波器通带中心频率的目的,MEMS悬臂梁可以实现快速的DOWN态和UP态的转换,可以有效地实现微波电路中对滤波器滤波范围的控制。
东南大学 2021-04-11
一种铜基粉末冶金刹车片材料及其制备方法和应用
本发明公开一种铜基粉末冶金刹车片材料及其制备方法和应用,该铜基粉末冶金刹车片材料由如下重量百分比的原料制得:铜粉54wt%~67wt%,石墨13wt%,铁粉4wt%~17wt%,铁铬合金8wt%~14wt%,碳化硅1wt%~4wt%,二氧化硅1wt%~4wt%;其制备方法包括如下步骤:1)按配比称取原料,放入混料机中混配均匀;2)将混配好的原料装入模具中,在真空气氛或在氮气保护下采用热压烧结或放电等离子烧结得到综合性能优异的刹车片材料。制得的刹车片材料致密度和硬度高,摩擦系数稳定,耐磨损,综合性能优异,可以满足高铁列车制动摩擦片需求。该铜基粉末冶金刹车片材料可用于制备刹车片,制备方法为:采用Q235作基材,将制备铜基粉末冶金刹车片材料的原料与基材经热压烧结工艺进行复合烧结,得到刹车片。
东南大学 2021-04-11
一种含苯磺酰基喹啉类化合物的合成方法
本发明提出一种含苯磺酰基喹啉类化合物的合成方法,属于有机合成领域,该方法直接使用廉价易得的苯硫酚类化合物作为合成原料,无需金属试剂和有机溶剂的参与,环境友好,适合工业化生产。该技术方案包括向反应容器中分别加入喹啉类化合物和苯硫酚类化合物,在双氧水和水作用下,于室温下用3W蓝色LED灯光照反应0.5‑1小时;反应结束后,进行柱色谱分离,得到含苯磺酰基喹啉类化合物。本发明能够应用于含苯磺酰基的喹啉类化
青岛农业大学 2021-01-12
硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测器
本发明的硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、T型结功分器、T型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成,基于高阻Si衬底制作,其上有四个缝隙耦合结构,上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量,在前后缝隙之间有一个移相器;T型结功分器和T型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成;间接式热电式功率传感器由共面波导传输线、终端电阻以及热电堆所构成,热电堆是由两种不同的半导体臂级联组成。
东南大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 67 68 69
  • ...
  • 79 80 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1