项目简介： 常规聚丙烯 ( PP) 材料存在强度低、韧性差、单位体积质量难以进一步降低等缺陷。本项目基于这一现状，利用分子

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MY6000-6S触摸屏混凝试验搅拌器技术性能基于普通搅拌器之上，使用10寸触摸液晶屏集中化管理操作，免去按键部分，程序设置、轴承升降、动态数据显示更直观、更清晰，内存30组程序，调用方便，多样化运行模式是水处理领域用户的福音。不锈钢选材具备防腐、耐磨、耐化学反应特质。适用领域广泛，一般应用于高教院校、科研院所、自来水厂、污水处理厂、给/排水、环保、石油、化工、冶金、轻工、药剂、电力、造纸、印染等行业的化验室、实验室.     MY6000-6S触摸屏混凝试验搅拌器技术特征：1、10寸触摸液晶屏，反应灵敏，操作方便，中英文双显界面1、一体式折边半设计，耐用、移动方便2、搅拌轴垂直升降，利于矾花形成，复位快2、微电脑自动化控制系统，人性化操作3、搅拌轴可同步运行、可异步运行4、配置加药支架，可可设置自动多次加药5、可程控30种程序（无级变速10次），储存与调用方便6、转速提升10~12000转/分，转速宽裕，使用无限7、底部有冷光照明，更清晰观察实验沉淀过程8、工作结束后有智能语音提示，工作效率高9、自动清准计算GT值、转速、温度   MY6000-6S触摸屏混凝试验搅拌器产品参数1、搅拌功率：180W2、包装尺寸：90*30*50厘米/cm3、转速范围：10 ～ 1200转/分  ± 0.01%4、速度梯度G 值：10  ～ 1000秒-1  5、时间范围： 0  ～ 99 分59秒 x 10 ± 0.01秒6、测温范围： 0  ～   50℃  ± 1℃7、可设程序数量：30种； 每种自动无级变速10次           8、电  压： 0  ～  220V   ± 5%    MY6000-6S触摸屏混凝试验搅拌器工艺性能 1、10寸触摸彩色液晶屏，全屏触摸设置程序和操作升降，免去按键、动态显示各种参数更清晰 2、微电脑控制、程序储存30种，每种自动无级变速10次 3、中文、英文双显系统适用于国内外各类用户 4、仪器采用一体化设计，外形美观，操作方便，安全性能好 5、数根搅拌轴既可同步运行，亦可独立运行（无级变速10次）  6、自动测温；自动计算显示Ｇ值、ＧＴ值 7、自动加药；根据需要可设定多次自动加药 8、自动升降；搅拌轴在程序完成后自动升起；沉淀结束时有信号提示 9、搅拌轴采用步进电机垂直升降；更容易保护矾花的形成 10、免费配送搅拌器配套有机玻璃试验杯和试管11、试验杯底座配有照明光源，观察絮凝效果更清楚   12、磨砂不锈钢机箱制造，高档大气，外形优雅，美观大方

产品详细介绍伟伦眼科头灯 02600-U 6V照明灯泡Welch Allyn伟伦眼科头灯49003 Headlight 02600-U 6V照明灯泡Used in medical headlights13.2 Watt  6 VoltG4, Single Ended 2 Contact Base20 Hours Rated Average LifeT-1.5 Glass10 LumensC-2R FilamentClear Lamp Finish1.0 in (25.4 mm) Max Overall Length495 in (12.573 mm) Bulb DiameterOther part numbers, 02600, WA-02600-U, WA02600U, CL78404, 78404, BO02600RoHS Compliant

产品详细介绍 IPMP36-6L性能参数除非特殊说明，电源的性能参数都是在以下条件下进行测试。负载为纯电阻电源输出接口的负极与机壳相连至少热机30分钟以上所有参数只是作为使用电源时候的参考值，并不作为电源性能的保证。型号 IPMP36-6L输入 电压 220 VAC±10﹪,50/60 Hz,1 Ф输出 电压 额定电压 36 V 最大电压 37.08V  变化范围 0～36 V 分辨率 1 mV   编程准确度注释1-4 ≦(0.05﹪ + 5digits)   电流 额定电流 6 A 最大电流 6.18 A   变化范围 0～6 A 分辨率 0.1 mA   编程准确度注释1-4 ≦(0.5﹪ + 5digits)  额定电压特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 0.5 mVrms  电源效应注释1-3 0.005﹪+  1 mV  负载效应注释1-3 0.005﹪+  2 mV  瞬态响应时间注释5 50 μs 温度系数 50 ppm/℃额定电流特性 纹波（5Hz～1MHz,RMS) 3 mArms  电源效应 3 mA  负载效应 3 mA  温度系数 300 ppm/℃保护电路 内部过温保护电路检测温度 95℃ 过压保护（OVP） 3.6～39.6V  过流保护（OCP） 0.6～6.6A   OVP/OCP触发脉冲宽度（标准值） 50ms输入保险丝 10A输出保险丝（安装于电源内部） 10A 恒压指示 CV，绿色LED灯指示恒流指示 CC，红色LED灯指示工作环境温度和湿度 0～40 ℃ / 10﹪～90﹪ RH储藏温度和湿度 -10～60 ℃ / 低于90﹪ RH冷却系统 风扇强制制冷输出极性 正极或者负极都可以接地绝缘电压 ±500 V控制接口 RS485/RS232（二选一）外部存储器接口 USB2.0 HOST(可选）读出准确度注释1-4 电压：≦(0.05﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃电流：≦(0.5﹪ + 5digits)，环境25 ℃ ± 5 ℃【注释1】由于设置值不同会有所不同。【注释2】﹪表示额定输出的百分比。【注释3】使用远端感应模式，测量点在电源面板的S端子【注释4】digits 表示最小分辨率【注释5】指当输出电流变化范围在5﹪到100﹪，输出电压恢复到额定值的±(0.05﹪ + 10 mV)的时间。机箱尺寸：4路输出机箱尺寸：宽427  高174（含垫脚） 纵深667 mm2路输出机箱尺寸：宽213  高174（含垫脚） 纵深667 mm多路程控电源，多路电源，程控电源，精密电镀电源，多通道电源，多通道程控电源  ，程控直流电源

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极， 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维 进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。