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Bi2Te3层可有效降低相邻两个磁层间的交换作用
课题组与加州大学洛杉矶分校的倪霓课题组联合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成员，MnBi 4
南方科技大学
2021-04-14
Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料，由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用，可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结，以保持晶界对声子的有效散射，对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。本发明还公开了该复合材料的一步水热法或一步溶剂热法的制备方法，具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点。
浙江大学
2021-04-11
“FeTe上外延生长单层Bi2Te3产生的超导电性
拓扑界面超导作为一种二维体系，不仅可以为研究非常规超导体提供很好的平台，还可以为探测马约拉纳费米子提供研究思路，因此具有很高的研究价值，近些年受到广泛的关注。Bi3Te3/FeTe异质结就是一个典型的拓扑界面超导体系，其中FeTe是一种铁硫族化合物（即一种超导母体，但块体并不超导），Bi2Te3则是一种典型的拓扑绝缘体，两者都属于二维材料，且层与层间由范德华力连接。有研究证明，此界面结构的超导电性会随着Bi2Te3厚度增加而逐渐加强，并在5层Bi2
南方科技大学
2021-04-14
Sb2Te3(GeTe)n基热电材料
研究中发现，通过适当的退火工艺，可以有效调控Sb2Te3(GeTe)n基材料中阳离子缺陷的类型，该工作运用球差矫正电子显微镜的原位观测技术及高角暗场扫描透射电镜技术（in situ/HAADF-STEM）等, 通过比对退火前后的样品及在电镜下模拟退火过程，清楚地追踪到样品中阳离子缺陷由短程的点缺陷聚集演化成长程的面缺陷的过程，使得调控样品内载流子浓度降低到合适的程度，最终达到优化材料性能的目的。 该项工作使得Sb2Te3(GeTe)n基热电材料的总体性能大幅提升。据悉，热点材料优值ZT越高，其转换效率越高。在温度达到773K时，热电材料优值ZT达到了2.4，在323~773K较宽的工作温度区间内，材料的平均ZT高达1.51，能够满足中温区热电材料在商业应用中对性能的需求，有望解决Sb2Te3(GeTe)n基热电材料效率较低的问题。 本研究成果在目前热电材料亟待推广的低品位废热发电方向以及未来有可能实现的可穿戴自驱动电子器件与智能传感设备方面有较大的应用前景。
南方科技大学
2021-04-13
一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法
本发明涉及一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法，其具体作法是：a、配制混合溶液：分别称量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,将其混合后放入高压釜内衬。在高压釜内衬中加入80mL乙醇，用玻璃棒搅拌越5min。b、水热反应：封闭高压釜后，将其放入箱式炉加热至200°C，12h，待自然冷却后取出。c、离心过滤：将b步反应后所得的溶液超声5-8分钟，1000转/分离心过滤，将滤液于80℃下干燥得灰黑色产物，即为半弧形Bi2Se3超薄纳米片。合成步骤少，操作简单，目的产物物性能优良。
西南交通大学
2016-10-20
维多层的Mn-Bi-Te材料可以用来实现多种拓扑相
基于对Mn-Bi-Te家族成员MnBi 2
南方科技大学
2021-04-14
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料（硒氧化铋，Bi 2 O 2 Se），在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区)，并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成，晶体中氧的存在，使其在空气中具有极佳的稳定性，完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
北京大学
2021-04-11
JC-2A胶质层测定仪
产品详细介绍功能特点： 1.利用单片机进行实时控制，按国标要求自动控制升温速度，自动化程度高。 2.具有自动、手动两种控制方式且实现无干扰切换，控制参数可调节，性能稳定。 3.采用高亮度数码显示，可同时显示试验时间、国标规定温度、前炉和后炉的实际温度及电流开度，显示清晰、直观。 4.具有一机双控功能，可同时测定两个试样，处用方便，操作简单。 5.具有热电偶冷端温度自动补偿，减少误差，测量精度高。 6.具有故障自行诊断、显示和报警功能，能及时发现故障，维修方便。 7.具有瞬间断电自动恢复功能，节约时间，避免试样报废 技术参数： 测定精度符合GB／T479-1999要求 控温范围：(0—1100)℃ 控温精度：±1O℃ 测温误差：±3℃ 温度显示分辨率：1℃ 定时精度：<1．25s／h 时间显示分辨率：lmin 控制功率：4kW x 2 连续工作时间：24h 记录转筒线速度：1mm／min； 线速度精度：(160±2)mm／160min 工作电源：220V±22V， 50Hz±1Hz 外形尺寸(mm)：主机：800 x 400 x 580 控制器：320 x 320 x 140 重量：主机96kg，控制器7kg。
鹤壁市华通分析仪器有限公司
2021-08-23
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11